Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP60R190P6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R190P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
54 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R190P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R199CPXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R199CPXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
920 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R280P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R280P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R280P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R360P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R360P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R385CPXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R385CPXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R385CPXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP65R045C7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP65R045C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
474 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP65R065C7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP65R065C7XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP65R095C7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP65R095C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP65R095C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
785 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP65R125C7
Trans MOSFET N-CH 650V 18A IPP65R125C7XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP65R125C7XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
419 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP65R190C7FKSA1
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP65R190C7FKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP65R190C7FKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
65 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP77N06S212AKSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 12mOhm; 77A; 158W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP77N06S212AKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP77N06S212AKSA2 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 12mOhm | 77A | 158W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
IPP80R280P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP80R280P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP80R450P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP80R450P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP90R340C3XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP90R340C3XKSA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
823 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPS70R900P7SAKMA1 Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
943 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPT004N03LATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 0,4mOhm; 300A; 3,8W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT004N03LATMA1 Obudowa dokładna: HSOF8 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 0,4mOhm | 300A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | HSOF8 | INFINEON | |||||
IPT015N10N5ATMA1 INFINEON
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 2mOhm; 300A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT015N10N5ATMA1 Obudowa dokładna: HSOF8 |
Magazyn zewnetrzny:
667477 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 2mOhm | 300A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | HSOF8 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT015N10N5ATMA1 Obudowa dokładna: HSOF8 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 2mOhm | 300A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | HSOF8 | Infineon Technologies | |||||
IPT029N08N5ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,9mOhm; 52A; 168W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT029N08N5ATMA1 Obudowa dokładna: HSOF8 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 6V | 20V | 2,9mOhm | 52A | 168W | SMD | -55°C ~ 175°C | HSOF8 | INFINEON | ||||
IPT059N15N3ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT059N15N3ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPT111N20NFDATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 200V 96A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT111N20NFDATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3377 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPT210N25NFDATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 250V 69A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT210N25NFDATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPT60R028G7XTMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 28mOhm; 75A; 391W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPT60R028G7XTMA1 Obudowa dokładna: HSOF8 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 10V | 20V | 28mOhm | 75A | 391W | SMD | -55°C ~ 150°C | HSOF8 | INFINEON | ||||
IPU60R1K5CEAKMA2 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 5A Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPU60R1K5CEAKMA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPU60R2K1CEAKMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPU60R2K1CEAKMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPU80R900P7AKMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 900mOhm; 6A; 45W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPU80R900P7AKMA1 Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 10V | 20V | 900mOhm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | INFINEON | ||||
IPW60R031CFD7
N-Channel 650V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 IPW60R031CFD7XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R031CFD7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
186 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R041P6FKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R041P6FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R045CP
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247 / Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R045CPFKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R045CPFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
220 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R045CPAFKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R060P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R060P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R060P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2639 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.