Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPW60R070C6FKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R070C6FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
102 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R070C6FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1936 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R070CFD7
N-Channel 650V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 IPW60R070CFD7XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R070CFD7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
9180 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R070CFD7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R070P6XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 70mOhm; 53,5A; 391W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R070P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
428 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 10V | 20V | 70mOhm | 53,5A | 391W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||
IPW60R099C7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
32 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R099CP
N-MOSFET 31A 600V 255W 0.099Ω IPW60R099CPFKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099CPFKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
335 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IPW60R099CPAFKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099CPAFKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
40 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R099P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R099P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3180 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R160P6FKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R160P6FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R165CPFKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R165CPFKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
428 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R180C7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R180C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
370 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R180C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
177 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R180P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R180P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R190C6FKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R190C6FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
560 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW60R190P6FKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 190mOhm; 20,2A; 151W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R190P6FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
17 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 10V | 20V | 190mOhm | 20,2A | 151W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW60R190P6FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
520 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 10V | 20V | 190mOhm | 20,2A | 151W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||
IPW65R037C6FKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R037C6FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW65R041CFD
Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IPW65R041CFDKSA1; IPW65R041CFDFKSA; IPW65R041CFDFKSA2; IPW65R041CFD7XKSA1; IPW65R041CFDFKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R041CFDFKSA2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
199 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW65R045C7FKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R045C7FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1570 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R045C7FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
42 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW65R070C6FKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R070C6FKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
171 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW65R080CFD
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFDFKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R080CFDFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
8515 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R080CFDFKSA2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
140 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW65R110CFD INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R110CFDFKSA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
120 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW65R125C7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 125mOhm; 18A; 101W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW65R125C7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
233 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 10V | 20V | 125mOhm | 18A | 101W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||
IPW80R280P7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW80R280P7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
870 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPW90R340C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 760mOhm; 15A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPW90R340C3FKSA1; IPW90R340C3XKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW90R340C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
349 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 760mOhm | 15A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Infineon Technologies | |||||
IPW90R500C3 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW90R500C3XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPW90R500C3XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
882 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPZ65R045C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
30 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPZA60R037P7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 37mOhm; 76A; 255W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPZA60R037P7XKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
420 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 10V | 20V | 37mOhm | 76A | 255W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||
IRF100B201
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF100B201
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF100B201 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1862 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF100B202
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF100B202
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF100B202 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF100S201
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF100S201 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF1010EZ
N-MOSFET HEXFET 60V 84A 140W 0,012Ω IRF1010EZPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10030 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,5mOhm | 84A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,5mOhm | 84A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.