Tranzystory polowe (wyszukane: 5429)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPL60R210P6AUMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 5-Pin Thin-PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPL60R210P6AUMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPL65R230C7AUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 230mOhm; 10A; 67W; -40°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPL65R230C7AUMA1 Obudowa dokładna: VSON04 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 230mOhm | 10A | 67W | SMD | -40°C ~ 150°C | VSON04 | INFINEON | |||||
IPN50R1K4CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN50R1K4CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
330000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 2Ohm; 3,6A; 5W; -40°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN50R2K0CEATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
726000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 2Ohm | 3,6A | 5W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||
IPN50R950CEATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; +/-20V; 950mOhm; 6,6A; 5W; -40°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN50R950CEATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 950mOhm | 6,6A | 5W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||
IPN60R1K0CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R1K0CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPN60R1K0PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 6W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R1K0PFDS7SATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R1K0PFD7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 1,978Ohm | 4,7A | 6W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||
IPN60R1K5CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R1K5CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPN60R1K5PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 2,893Ohm; 3,6A; 6W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R1K5PFD7SATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R1K5PFD7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 2,893Ohm | 3,6A | 6W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||
IPN60R2K0PFD7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 3,825Ohm; 3A; 6W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R2K0PFD7SATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R2K0PFD7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 3,825Ohm | 3A | 6W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||
IPN65R1K5CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN65R1K5CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R1K5CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R1K5CEATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R2K0P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R360P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPN70R450P7SATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; +/-16V; 450mOhm; 10A; 7,1W; -40°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R450P7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 700V | 16V | 450mOhm | 10A | 7,1W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||
IPN70R600P7SATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN70R600P7SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP020N06NA
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP020N06NAKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP020N06NAKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
502 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP020N08N5
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP020N08N5AKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP020N08N5AKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP023N04NG
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 90A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP023N04NGXKSA1; IPP023N04NGHKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP023N04NGXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 90A | 167W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
IPP023NE7N3G
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP023NE7N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP023NE7N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3588 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP024N06N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 2,4mOhm; 120A; 250W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP024N06N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
9500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,4mOhm | 120A | 250W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||
IPP027N08N5AKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP027N08N5AKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP028N08N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; +/-20V; 2,8mOhm; 100A; 300W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP028N08N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
18371 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 2,8mOhm | 100A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||
IPP030N10N3GHKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP030N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP034N08N5AKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP034N08N5AKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP034NE7N3GXKSA1
N-MOSFET 100A 75V
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP034NE7N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1059 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP037N08N3GXKSA1
N-MOSFET 100A 80V IPP037N08N3GE8181XKSA1 + IPP037N08N3GHKSA1 Obsolete;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP037N08N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP039N04LGXKSA1
N-MOSFET 80A 40V IPP039N04LGHKSA1 Obsolete ;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP039N04LGXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2006 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP040N06N3G
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP040N06N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP040N06N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
970 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP041N04NG
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N04NGXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP041N04NGXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
470 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.