Tranzystory polowe (wyszukane: 5429)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP042N03LG
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGHKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP042N03LGXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
340 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP048N12N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 4,8mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP048N12N3 G-ND; IPP048N12N3 G-ND;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP048N12N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 120V | 20V | 4,8mOhm | 100A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP048N12N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2425 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 120V | 20V | 4,8mOhm | 100A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP052NE7N3GXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP055N03LGXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,5mOhm; 50A; 68W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP055N03LGXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
772 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5,5mOhm | 50A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||
IPP057N08N3G
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP057N08N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP057N08N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
638 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP072N10N3G
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP072N10N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP072N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5260 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP075N15N3G
N-MOSFET 100A 150V IPP075N15N3GHKSA1 Obsolete ; IPP075N15N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP075N15N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP075N15N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
18240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP076N12N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,6mOhm; 100A; 188W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP076N12N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 120V | 20V | 7,6mOhm | 100mA | 188W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP076N12N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 120V | 20V | 7,6mOhm | 100mA | 188W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||
IPP110N20NAA
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP110N20NAAKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP110N20NAAKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
63 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP111N15N3G
Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP111N15N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP111N15N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1008 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP120N20NFDA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 12mOhm; 84A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP120N20NFDAKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP120N20NFDAKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1025 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 12mOhm | 84A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
IPP147N12N3G
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP147N12N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP147N12N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP147N12N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP180N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP200N25N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP200N25N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2155 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP220N25NFD
Trans MOSFET N-CH 250V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP220N25NFDAKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP220N25NFDAKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
313 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP320N20N3G
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP320N20N3GXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP320N20N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7249 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP410N30N
Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP410N30NAKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP410N30NAKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
198 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP50R190CEXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1566 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP50R280CEXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 280mOhm; 13A; 92W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP50R280CEXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 13V | 20V | 280mOhm | 13A | 92W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | INFINEON | ||||
IPP600N25N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 60mOhm; 25A; 136W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP600N25N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5615 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 10V | 20V | 60mOhm | 25A | 136W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | ||||
IPP60R099C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP60R099C6XKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R099C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1725 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 230mOhm | 37,9A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R099C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1248 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 230mOhm | 37,9A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R099C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
25 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 230mOhm | 37,9A | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
IPP60R099C7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R099C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R099CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 240mOhm; 31A; 255W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPP60R099CPXKSA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R099CPXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 240mOhm | 31A | 255W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
IPP60R099P6XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R099P6XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R120P7XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R120P7XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
869 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R125P6XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R125P6XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R160C6XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R160C6XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R160C6XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
83 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R160P6XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R160P6XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R165CPXKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R165CPXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
635 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPP60R180C7XKSA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP60R180C7XKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.