Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF710SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 3,6Ohm; 2A; 3,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF710SPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF710SPBF Obudowa dokładna: DirectFET |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 400V | 20V | 3,6Ohm | 2A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | VISHAY | ||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF710SPBF Obudowa dokładna: DirectFET |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 400V | 20V | 3,6Ohm | 2A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | VISHAY | ||||||
IRF730S
N-MOSFET 5,5A 400V 1.0Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF730SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF730SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7343 smd
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7343TRPBF; IRF7343PBF-GURT; IRF 7343 TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7343TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN/P-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7343TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
37450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN/P-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF 7343 TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2855 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN/P-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-23
Ilość szt.: 600
|
|||||||||||||||
IRF740AL
N-MOSFET 10A 400V 125W
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740ALPBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
11600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF740AS
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740ASPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF740ASPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7469
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7469PBF; IRF7469TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7469TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 21mOhm | 9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
IRF7473TRPBF
P-MOSFET HEXFET 6.9A 100V 2.5W 0.026Ω IRF7473PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7473TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7490PBF Infineon
N-MOSFET 100V 5.4A 39mΩ 2.5W IRF7490TRPBF IRF7490 IRF7490TR
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7490TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 39mOhm | 5,4A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
IRF7495
N-MOSFET HEXFET 7.3A 100V 2.5W 0.022Ω IRF7495PBF IRF7495TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7495TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7495TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
92000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7495TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2750 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7805Z
N-MOSFET HEXFET 16A 30V 2.5W 0.0068Ω IRF7805TRPBF IRF7805PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7805ZTRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7815
N-MOSFET 5.1A 150V 2.5W 0.043Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7815TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7842TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,9mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7842TRPBF; IRF7842PBF-GURT; IRF7842PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7842TRPBF Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,9mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7842TRPBF Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,9mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7842TRPBF Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
6100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,9mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||
IRF7855
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,4mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7855PBF; IRF7855TRPBF; IRF7855PBF-GURT;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7855TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,4mOhm | 12A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7855TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,4mOhm | 12A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7855TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,4mOhm | 12A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | |||||
IRF7862
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7862TRPBF; IRF7862PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7862TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 4,5mOhm | 21A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7862TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 4,5mOhm | 21A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
IRF7904
2xN-MOSFET HEXFET 7.6A 30V 1.4W 0.0162Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7904TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7907
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 20,5mOhm/13,7mOhm; 9,1A/11A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7907TRPBF; IRF7907PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7907TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 20,5mOhm | 11A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7907TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 20,5mOhm | 11A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||
IRF8010S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 260W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF8010SPBF; IRF8010STRLPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8010STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
28800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 15mOhm | 80A | 260W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8010STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 15mOhm | 80A | 260W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||
IRF8113
N-MOSFET HEXFET 17.2A 30V 2.5W 0.0056Ω IRF8113TRPBF IRF8113GPBF IRF8113GTRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8113TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF820AL
N-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF820ALPBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF820AS
N-MOSFET 2.5A 500V 50W 3Ω IRF820ASTRPBF IRF820ASPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF820ASPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 3Ohm | 2,5A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||
IRF830FI iso
N-MOSFET 4.5A 500V 40W 1.5Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI830GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
5225 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI830GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
2985 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF840BPBF
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840BPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF840LC
N-MOSFET 8A 500V 0.85Ω IRF840LCPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840LCPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4779 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF840LCPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF8788
N-MOSFET HEXFET 24A 30V 2.5W 0.0028Ω IRF8788TRPBF IRF8788PBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8788TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8788TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8788TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF9335
P-MOSFET 30V 5.4A 2.5W IRF9335TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9335TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
IRF9362PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9362TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9362TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 32mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
IRF9389TRPBF
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm/103mOhm; 6,8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9389PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9389TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
432000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 103mOhm | 6,8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
IRF9520S smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520SPBF; IRF9520STRPBF; IRF9520STRLPBF; IRF9520STRRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9520SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1183 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||
IRF9530NPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 14A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9530NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
48325 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 14A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9530NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
15493 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 14A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9530NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2390 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 14A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRF9540SPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 19A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9540STRLPBF; IRF9540STRRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9540STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 19A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9540SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
429 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 19A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VISHAY | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9540SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 19A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VISHAY |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.