Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB7734PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220A
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7734PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
850 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB9N60A
N-MOSFET 9.2A 600V 170W 0.75Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB9N60APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB9N60APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
990 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB9N60APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
991 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFBC20SPBF
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRFBC20STRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC20SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFBC30G
N-MOSFET 2.5A 600V 35W 2.2Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBF30GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFBC30APBF
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC30APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFBC30ASPBF
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRFBC30ASTRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFBC30ASPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFBC40A
N-MOSFET 6.2A 600V 125W 1.2Ω IRFBC40APBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFBC40AS
N-MOSFET 6.2A 600V 125W 1.2Ω IRFBC40ASPBF IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40ASPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40ASTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFBE30S
N-MOSFET 4.1A 800V 125W 3Ω IRFBE30STRLPBF IRFBE30SPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFBF20
N-MOSFET 1.7A 900V 54W 8Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFBF20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFBF20S
N-MOSFET 1.7A 900V 3.1W 8Ω IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRRPBF IRFBF20SPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF20SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF20SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFD220
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 800mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD220PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD220PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 800mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||
IRFD320
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 490mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFD320PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD320PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 490mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||
IRFD9014
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD9014PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD9014PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
5980 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,1A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||
IRFH3707TRPBF International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 17,9mOhm; 12A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH3707TRPBF Obudowa dokładna: PQFN56 (5x6mm) |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 17,9mOhm | 12A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN56 (5x6mm) | International Rectifier | |||||
IRFH5006TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,1mOhm; 21A; 3,6W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH5006TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH5006TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 4,1mOhm | 21A | 3,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | INFINEON | ||||
IRFH5020
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 55mOhm; 5,1A; 3,6W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH5020TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH5020TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 20V | 55mOhm | 5,1A | 3,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | INFINEON | ||||
IRFH7440 PQFN5X6
85A 40V 104W N-MOSFET IRFH7440TR2PBF IRFH7440TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH7440TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,4mOhm | 159A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH7440TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,4mOhm | 159A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | International Rectifier | |||||
IRFH7545
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,2mOhm; 85A; 83W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFH7545TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH7545TRPBF Obudowa dokładna: QFN-08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 5,2mOhm | 85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | QFN-08 | INFINEON | ||||
IRFH8324TRPBF
Trans. MOSFET N-CH 30V 23A IRFH8324TR2PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFH8324TRPBF Obudowa dokładna: QFN-08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFHM8363TRPBF Infineon
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP IRFHM8363TR2PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFHM8363TRPBF Obudowa dokładna: TDFN8 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFIBF20GPBF Vishay
N-MOSFET 900V 1.2A 30W
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBF20GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 8Ohm | 1,2A | 30W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||
IRFIZ44NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 24mOhm; 31A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFIZ44N;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFIZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
2050 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 24mOhm | 31A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFIZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
4850 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 24mOhm | 31A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||
IRFP054PBF
Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP054PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP054PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP054PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
759 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFP054PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFP064PBF VISHAY
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9mOhm; 70A; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP064PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2993 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9mOhm | 70A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP064PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
130 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9mOhm | 70A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||
IRFP150PBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 41A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP150PBF; IRFP150;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP150PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
689 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 55mOhm | 41A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP150PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
5225 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 55mOhm | 41A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFP150PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 55mOhm | 41A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||
IRFP250N
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 75mOhm; 30A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP250NPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
46825 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 75mOhm | 30A | 214W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
670 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 75mOhm | 30A | 214W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 100
|
|||||||||||||||
IRFP254PBF VISHAY
Trans MOSFET N-CH 250V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP254PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP254PBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFP254PBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFP260PBF VISHAY
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 55mOhm; 46A; 280W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP260PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1026 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 55mOhm | 46A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||
IRFP264PBF
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 75mOhm; 38A; 280W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP264PBF; IRFP264;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP264PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
308 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 75mOhm | 38A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFP264PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 75mOhm | 38A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP264PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
375 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 75mOhm | 38A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.