Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1010ZS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010ZSTRLPBF; Discontinued IRF1010ZSTRLPBF; LTB:31.03.2025; replacement: IRF3205ZSTRLPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
6400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 94A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 94A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 94A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
IRF1310NS
N-MOSFET HEXFET 100V 42A 3.8W 0,036Ohm IRF1310NSPBF IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSPBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 42A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 42A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1310NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1330 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 36mOhm | 42A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
IRF135B203
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A (91A) 441W
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF135B203 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2399 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF1405SPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1405STRLPBF IRF1405STRRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1405STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1405STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF1405Z
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 230W 0,0049Ω IRF1405ZLPBF IRF1405ZPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1405ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
253 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF1407STRLPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK; IRF1407STRRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1407STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7,8mOhm | 100A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1407STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7,8mOhm | 100A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon Technologies | |||||
IRF200P222
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 6,6mOhm; 182A; 556W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF200P223;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF200P223 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
674 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 20V | 6,6mOhm | 182A | 556W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | INFINEON | ||||
IRF2204PBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2204PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF250P224
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 68A; 313W; TO247AC
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF250P224 Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
75 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF2804S
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 300mW 0,002Ω IRF2804STRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2804STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
13600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2804STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
890 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF2907ZSPBF International Rectifier
N-MOSFET 75V 75A 300W 4.5mΩ IRF2907ZSTRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2907ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
56800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,5mOhm | 160A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF2907ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,5mOhm | 160A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | International Rectifier | |||||
IRF3415S
N-MOSFET HEXFET 150V 43A 200W 0,042Ω IRF3415STRLPBF IRF3415STRRPBF IRF3415SPBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3415STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3415STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF3709ZS
N-MOSFET HEXFET 30V 90A 79W 0,009Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3709ZSTRRPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF3805S-7PPBF International Recifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 2,6mOhm; 240A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3805STRL-7PPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3805STRL-7PP Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 2,6mOhm | 240A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||
IRF3808
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3808PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1854 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7mOhm | 140A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1040 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7mOhm | 140A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRF3808S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7mOhm; 106A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3808STRLPBF; IRF3808SPBF; IRF3808STRRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7mOhm | 106A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3808STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1280 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 7mOhm | 106A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||
IRF40B207
Trans MOSFET N-CH Si 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF40B207 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2990 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF40R207
Trans MOSFET N-CH Si 90V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF40R207 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF40R207 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF530A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 14A; 55W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: IRF530A Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1322 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 14A | 55W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
IRF610
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,3A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF610PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
12900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1175 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,3A | 36W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRF620PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF620PBF; IRF620;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1392 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRF620G
N-MOSFET 4.1A 200V 30W 0.8Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI620GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 800mOhm | 4,1A | 30W | ||||||||||
IRF630 iso
N-MOSFET 9A 200V 30W 0.35Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI630GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFI630GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF640
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF640PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
852 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 18A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRF644
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 280mOhm; 14A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF644PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF644PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6890 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 14A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF644PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
25200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 14A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRF6644TRPBF INFINEON
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R IRF6644TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF6644TRPBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF6644TRPBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF6648
N-MOSFET 86A 60V 2.8W 0.007Ω IRF6648TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF6648TRPBF Obudowa dokładna: DirectFET |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF6674
N-MOSFET 67A 60V 3.6W 0.011Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF6674TRPBF Obudowa dokładna: DirectFET |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRF7104 smd
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7104PBF; IRF7104TRPBF; IRF7104PBF-GURT; SP001564756;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7104TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 400mOhm | 2,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||
IRF7105 smd
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 25V; 20V; 160mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7105PBF; IRF7105TRPBF; IRF7105TR;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7105TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 25V | 20V | 400mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7105TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 25V | 20V | 400mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7105TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7050 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 25V | 20V | 400mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.