Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9610
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9610PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
14550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 1,8A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 1,8A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
703 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 3Ohm | 1,8A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRF9610SPBF
P-MOSFET 1.8A 200V IRF9610STRRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9610SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2850 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRF9630
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 6,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9630PBF; IRF 9630 PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9630PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9630PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
975 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9630PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRF9952
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm/400mOhm; 3,5A/2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9952TRPBF; IRF9952PBF-GURT;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9952TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN/P-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
IRF9Z24N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1269 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z24NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1110 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRF9Z24SPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 11A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24SPBF; IRF9Z24STRLPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9Z24SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 11A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VISHAY | |||||
IRF9Z34SPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 140mOhm; 18A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34STRLPBF; IRF9Z34STRRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9Z34SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2145 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 18A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VISHAY | |||||
IRFB17N50L
N-MOSFET 16A 500V 220W 0.32Ω IRFB17N50LPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB17N50LPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB17N50LPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB17N50LPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
60 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFB18N50K
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 290mOhm; 17A; 220W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB18N50KPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB18N50KPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1137 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 290mOhm | 17A | 220W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRFB3004PBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3004PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB3206 TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206PBF; IRFB 3206 PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
11282 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 210A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
130 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 210A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFB 3206 PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
92 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3mOhm | 210A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRFB3206GPBF
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 60V ; 150A ; 300W ; TO220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3206GPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
766 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB3207PBF
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3207PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
508 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB3307
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 6,3mOhm; 130A; 250W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3307PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3307PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5898 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 6,3mOhm | 130A | 250W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRFB3307Z
N-MOSFET HEXFET 120A 75V 230W 0.0058Ω IRFB3307ZPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3307ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
34470 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3307ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3617 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3307ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
110 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFB38N20D
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 54mOhm; 43A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB38N20DPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB38N20DPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 54mOhm | 43A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB38N20DPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
9305 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 54mOhm | 43A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||
IRFB4019
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 95mOhm; 17A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4019PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4019PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
22550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 95mOhm | 17A | 80W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4019PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
320 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 95mOhm | 17A | 80W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRFB4110
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6683 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,5mOhm | 180A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4110PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
610 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,5mOhm | 180A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRFB4137PBF
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB4137PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4137PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
130 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB4229PBF
N-MOSFET Transistor, 46 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4229PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3031 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4229PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
170 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB4510PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220A IRFB4510PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4510PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
228 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB4610
N-MOSFET HEXFET 73A 100V 190W 0.014Ω IRFB4610PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4610PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1588 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFB4615
N-MOSFET HEXFET 35A 150V 144W 0.039Ω IRFB4615PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4615PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1770 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFB4620
N-MOSFET HEXFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB4620PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
60 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFB5615
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 39mOhm; 35A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB5615PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB5615PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3601 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 39mOhm | 35A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB5615PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 39mOhm | 35A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||
IRFIB6N60A
N-MOSFET HEXFET 5.5A 600V 60W 0.750Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIB6N60APBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIB6N60APBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFB7434
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,8mOhm; 317A; 294W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7434PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7434PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,8mOhm | 317A | 294W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | International Rectifier | |||||
IRFB7440 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3mOhm; 172A; 143W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7440PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7440PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3mOhm | 172A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7440PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
310 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3mOhm | 172A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||
IRFB7546PBF
Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7546PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7546PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7546PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
160 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFB7730PBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220A IRFB7730PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7730PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1385 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7730PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
140 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.