Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFS4510PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 13,9mOhm; 61A; 140W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFS4510TRLPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS4510TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 100V | 20V | 13,9mOhm | 61A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | INFINEON | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS4610TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
820 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 100V | 20V | 13,9mOhm | 61A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | INFINEON | |||||
IRFS52N15D
N-MOSFET 150V 60A 3.8W IRFS52N15DPBF IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRRP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS52N15DTRLP Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 32mOhm | 60A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS52N15DTRLP Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
830 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 32mOhm | 60A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||
IRFS7430
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 930mOhm; 522A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS74307PPBF; IRFS7430-7PPBF; IRF7430PBF; IRFS7430TRL7PP; IRFS7430TRLPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7430TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 930mOhm | 522A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||
IRFS7434PBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRFS7434TRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7434TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFS7437PBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRFS7437TRLPBF IRFS7437PBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7437TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7437TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
520 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFS7440PBF
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 40V; 120A; 208W; D2PAK IRFS7440PBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7440TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
8800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7440TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
970 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7440TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFS7530PBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 2,1mOhm; 295A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS7530TRLPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7530TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,1mOhm | 295A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7530TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
170 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,1mOhm | 295A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7530TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,1mOhm | 295A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||
IRFS7530-7PBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 1,4mOhm; 338A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS7530-7PBF-GURT; IRFS7530TRL7PP; IRFS7530-7PPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7530TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK/7 |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 1,4mOhm | 338A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK/7 | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7530TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK/7 |
Magazyn zewnetrzny:
1370 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 1,4mOhm | 338A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK/7 | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7530TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK/7 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 1,4mOhm | 338A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK/7 | International Rectifier | |||||
IRFS7730PBF
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 2,6mOhm; 246A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS7730TRLPBF; IRFS7730TRL7PP; IRFS7730-7PPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7730TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 2,6mOhm | 246A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7730TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 2,6mOhm | 246A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||
IRFS7734PBF
Trans MOSFET N-CH 75V 183A IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFS7734TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFS9N60A smd
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 9,2A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFS9N60APBF; IRFS9N60ATRRPBF; IRFS9N60ATRLPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFS9N60APBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
12354 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 9,2A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFS9N60APBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
32400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 9,2A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||
IRFSL3206PBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFSL3206PBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFSL3207Z
N-MOSFET 75V 120A 300W
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFSL3207ZPBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
49600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,1mOhm | 120A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||
IRFSL3306PBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFSL3306PBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFTS8342
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 29mOhm; 8,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFTS8342TRPBF; SP001552394;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFTS8342TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
219000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 29mOhm | 8,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFTS8342TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 29mOhm | 8,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon (IRF) | |||||
IRFU024PBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 14A; 42W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3075 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 14A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
IRFU220PBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,8A; 42W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU220PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU220PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1326 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU220PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
225 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,8A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
IRFU320
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 3,1A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU320PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU320PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,1A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU320PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2025 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,1A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU320PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6825 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,1A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
IRFU3410PBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 39mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU3410PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
632 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 39mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||
IRFU3607
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU3607PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU3607PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
18397 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU3607PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | International Rectifier | |||||
IRFU5410PBF
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU5410PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
330 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 205mOhm | 13A | 66W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU5410PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1117 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 205mOhm | 13A | 66W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||
IRFU9020 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 50V 9.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU9020PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU9020PBF Obudowa dokładna: IPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1747 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFU9120
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 5,6A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU9120PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU9120PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 5,6A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | |||||
IRFU9210
P-MOSFET 1.9A 200V 2.5W
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFU9210PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
IRFZ34NS
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ34NSTRLPBF; IRFZ34NSPBF; IRFZ34NSTRRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 29A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1070 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 29A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||
IRFZ48RPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFZ48RPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRL100HS121
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.1A 6-Pin PQFN EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL100HS121 Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRL1404ZS
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0.0031Ω IRL1404ZSPBF IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSPBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 16V | 3,1mOhm | 230W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | ||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 16V | 3,1mOhm | 230W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | ||||||
IRL3705NS
N-MOSFET HEXFET 55V 89A 3.8W 0.01Ω IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF-EL
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL3705NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
19200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRL40SC228
Trans MOSFET N-CH 40V 557A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL40SC228 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.