Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTGS3441T1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 90mOhm; 1,65A; 500mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS3441T1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 4,5V | 8V | 90mOhm | 1,65A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS3441T1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 4,5V | 8V | 90mOhm | 1,65A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTGS3446T1G
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin TSOP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS3446T1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTGS3455T1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 2,5A; 500mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS3455T1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 100mOhm | 2,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS3455T1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 100mOhm | 2,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTGS4111PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 2,6A; 630mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS4111PT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 2,6A | 630mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS4111PT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 2,6A | 630mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS4111PT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 2,6A | 630mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTGS4141NT1G
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS4141NT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS4141NT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTGS5120PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 111mOhm; 1,8A; 600mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS5120PT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 111mOhm | 1,8A | 600mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS5120PT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 111mOhm | 1,8A | 600mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTGS5120PT1G Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 10V | 20V | 111mOhm | 1,8A | 600mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTHD3100CT1G
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTHD3100CT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTHD3101FT1G
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTHD3101FT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTHD4102PT1G
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTHD4102PT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTHD4102PT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTHL075N065SC1
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTHL075N065SC1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1188 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTHL075N065SC1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
29 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTHS4101PT1G
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTHS4101PT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTJD4001NT1G
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SOT-363
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4001NT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4001NT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTJD4152PT1G
Trans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT2G
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4152PT2G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4152PT2G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4152PT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTJD4158CT1G
Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SOT-363
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4158CT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTJS3151PT2G
Trans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS3151PT1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS3151PT1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTJS3157NT1G
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SOT-363
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS3157NT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS3157NT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS3157NT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTJS4151PT1G
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS4151PT1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS4151PT1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTJS4405NT1G
Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJS4405NT1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTK3043NT1G
Trans MOSFET N-CH 20V 0.225A 3-Pin SOT-723 NTK3043NT5G
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTK3043NT1G Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
88000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTK3043NT1G Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
64000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTK3043NT1G Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTK3134NT1G
Trans MOSFET N-CH 20V 0.89A 3-Pin SOT-723 NTK3134NT5G
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTK3134NT1G Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
44000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTK3134NT1G Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
296000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTK3134NT5G Obudowa dokładna: SOT723 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 8000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTLJD4116NT1G
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 15V; 70mOhm; 2,5A; 710mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTLJD4116NT1G Obudowa dokładna: WDFN6 =ODFN6(2.1x2) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 4,5V | 15V | 70mOhm | 2,5A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | WDFN6 (2x2) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTLJF4156NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 70mOhm; 2,5A; 710mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTLJF4156NT1G Obudowa dokładna: WDFN6 =ODFN6(2.1x2) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 4,5V | 8V | 70mOhm | 2,5A | 710mW | SMD | -55°C ~ 150°C | WDFN6(2x2) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTLJS2103PTBG
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 40mOhm; 3,5A; 700mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTLJS2103PTBG Obudowa dokładna: WDFN6 =ODFN6(2.1x2) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 4,5V | 8V | 40mOhm | 3,5A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | WDFN6 (2x2) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTLJS4114NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 35mOhm; 3,6A; 700mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTLJS4114NT1G Obudowa dokładna: WDFN6 =ODFN6(2.1x2) |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 4,5V | 12V | 35mOhm | 3,6A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | WDFN6 (2x2) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTMD4N03R2G
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 4A; 2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMD4N03R2G Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
NTMFD5C674NLT1G
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin DFN EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMFD5C674NLT1G Obudowa dokładna: DFN08 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTMFS10N3D2C
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMFS10N3D2C Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTMFS4C022NT1G
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin(4+Tab) SO-FL
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMFS4C022NT1G Obudowa dokładna: DFN5 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTMFS4C029NT1G
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin(4+Tab) SO-FL
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMFS4C029NT1G Obudowa dokładna: DFN5 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMFS4C029NT1G Obudowa dokładna: DFN5 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
NTMFS4C08NT1G
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin(4+Tab) SO-FL
|
||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMFS4C08NT1G Obudowa dokładna: DFN5 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.