Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL6372TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 23mOhm; 8,1A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL6372TRPBF; IRL6372PBF-GURT; SP001569038; IRL6372PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL6372TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 23mOhm | 8,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRL6372TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 23mOhm | 8,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||
IRL640
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 10V; 270mOhm; 17A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL640PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRL640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 270mOhm | 17A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||
IRL640S
N-MOSFET 200V 17A 3.1W 0.18Ω IRL640SPBF IRL640STRLPBF IRL640STRRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRL640SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
945 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 180mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRL640STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 180mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRL640SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
375 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 180mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||
IRLB8314PBF
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLB8314PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
19677 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRLB8721PBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 16mOhm; 62A; 65W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SP001558140;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLB8721PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1705 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 16mOhm | 62A | 65W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLB8721PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2280 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 16mOhm | 62A | 65W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||
IRLD110
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 760mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLD110PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLD110PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 10V | 760mOhm | 1A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||
IRLH5030
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP IRLH5030TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLH5030TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRLH6224TRPBF Infineon
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLH6224TRPBF Obudowa dokładna: PQFN08 (6x5mm) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRLHS2242 International Rectifier
P-MOSFET 20V 15A 2.1W 31mΩ IRLHS2242TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS2242TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 31mOhm | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | ||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS2242TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 31mOhm | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | ||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS2242TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 31mOhm | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | ||||||
IRLHS6242TRPBF Inernational Rectifier
N-MOSFET 20V 10A 1.98W 11.7mΩ
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS6242TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 11,7mOhm | 10A | 1,98W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS6242TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 11,7mOhm | 10A | 1,98W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | |||||
IRLHS6276TRPBF International Rectifier
2N-MOSFET 20V 4.5A 1.5W 45mΩ
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS6276TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 45mOhm | 4,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS6276TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 45mOhm | 4,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS6276TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 45mOhm | 4,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | International Rectifier | |||||
IRLHS6376
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 12V; 82mOhm; 3,6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLHS6376TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLHS6376TRPBF Obudowa dokładna: PQFN06(2x2) |
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 12V | 82mOhm | 3,6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN06(2x2) | Infineon (IRF) | |||||
IRLML2030TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 154mOhm; 2,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2030TRPBF; IRLML2030PBF; IRLML2030;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
519000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 154mOhm | 2,7A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 154mOhm | 2,7A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 154mOhm | 2,7A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||
IRLMS1503TR MICRO6
N-MOSFET HEXFET 30V 3.2A 1.7W 0.1Ω IRLMS1503TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLMS1503TRPBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRLMS2002TRPBF INFINEON
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLMS2002TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
255000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLMS2002TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRLMS6802TR
P-MOSFET 5.6A 20V 2W IRLMS6802TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLMS6802TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
330000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLMS6802TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
IRLP3034
N-MOSFET 40V 327A 0.0017Ω IRLP3034PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLP3034PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
690 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLP3034PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
20 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRLR3105
N-MOSFET 25A 55V 57W IRLR3105TRPBF IRLR3105PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3105TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2050 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRLR7843
N-MOSFET HEXFET 30V 161A 140W 0.0033Ω IRLR7843PBF IRLR7843TRLPBF IRLR7843TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR7843TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRLR9343
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 20A; 79W; -40°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR9343PBF; IRLR9343TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR9343TRPBF Obudowa dokładna: DPAK-3 |
Magazyn zewnetrzny:
26000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 20A | 79W | SMD | -40°C ~ 175°C | DPAK-3 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR9343TRPBF Obudowa dokładna: DPAK-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 20A | 79W | SMD | -40°C ~ 175°C | DPAK-3 | Infineon (IRF) | |||||
IRLS3034
N-MOSFET 195A 40V 375W 0.0017Ω IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRLPBF IRLS3034PBF IRLS3034PBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLS3034TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLS3034TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
860 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLS3034TRL7PP Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1060 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRLS4030TRL7PP INFINEON
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R IRLS4030TRL7PP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLS4030TRL7PP Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1370 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRLTS2242TRPBF International Rectifier
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLTS2242TRPBF; SP001553280;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLTS2242TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
690000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLTS2242TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon (IRF) | |||||
IRLTS6342TRPBF International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 22mOhm; 8,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLTS6342TRPBF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
282000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 22mOhm | 8,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon (IRF) | |||||
IRLU110
N-MOSFET 4.3A 100V 25W 0.54Ω IRLU110PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLU110PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRLZ34NS smd
N-MOSFET 30A 55V 68W 0.035Ω IRLZ34NSTRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
18400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
15200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRLZ34PBF
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLZ34PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single; ISS17EP06LM;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: ISS17EP06LMXTSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: ISS17EP06LMXTSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
ISS55EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: ISS55EP06LMXTSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: ISS55EP06LMXTSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IXFK420N10T
Trans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264
|
||||||||||||||||
Producent:
LITTELFUSE Symbol Producenta: IXFK420N10T Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
IXYS Symbol Producenta: IXFK420N10T Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.