Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRLR2908 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
IRLR2908TRPBF-TP RoHS || IRLR2908 TO252
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
IRLR2908TRPBF-TP RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8900 2,5800 2,1400 1,9300 1,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 24mOhm 31A 53,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
GAN063-650WSAQ Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
GAN063-650WSAQ RoHS || GAN063-650WSAQ || GAN063-650WSAQ TO247
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
GAN063-650WSAQ RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 74,1300 61,3400 58,1400 55,8100 54,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
GAN063-650WSAQ
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,1282
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
GAN063-650WSAQ
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
260 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 120mOhm 34,5A 143W THT -55°C ~ 175°C TO247 NXP
BSS138 SOT23 HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2790 0,1080 0,0525 0,0418 0,0399
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 50V 22V 2,5Ohm 340mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
BSS84 SOT23 HT SEMI Tranzystor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11900 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2610 0,0976 0,0523 0,0390 0,0360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET -60V 20V 10Ohm -130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT-23 HT
YFW9926S SOP-8 YFW 20V 5.2A 2W 50m?@4.5V,2.6A 700mV 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7301; IRF7301TRPBF;
YFW9926S RoHS || YFW9926S SOP-8 YFW SOP08
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW9926S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 20+ 60+ 180+
cena netto (PLN) 1,8100 1,1600 0,9600 0,7830 0,6980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
180
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 19mOhm 7,1A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08
2N7002K SOT23 MDD Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 MDD SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
2N7002K RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 10)
MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 300mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
 
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
2N7002K RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 300mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
2N7000 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO;
2N7000 RoHS || 2N7000 || 2N7000 TO92
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7000 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92ammoformed
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7200 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,7540 0,3010 0,1750 0,1450 0,1370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7000
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
85370 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2849
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
 
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7000
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
AO3400A UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3400A RoHS || AO3400A UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
AO3400A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5340 0,2450 0,1330 0,0997 0,0890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
AO3420 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3420 RoHS || AO3420 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3420 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
988 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9810 0,4980 0,3010 0,2390 0,2180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-12-30
Ilość szt.: 3000
                     
AO4805 Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 25V; 29mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4805 RoHS || AO4805 || AO4805 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4805 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6800 1,3200 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 30V 25V 29mOhm 9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
 
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4805
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xP-MOSFET 30V 25V 29mOhm 9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
2N7002 Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
2N7002 RoHS || 2N7002 || 2N7002 SOT23
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9885 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3760 0,1480 0,0866 0,0634 0,0579
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7002
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
789000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0579
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1091
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
2N7002
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
4960 szt.
Ilość szt. 20+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0831
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
AO4842 Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4842 RoHS || AO4842 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4842 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4300 0,9370 0,6710 0,5870 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 30mOhm 7,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
RTR040N03TL 30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3;
RTR040N03TL RoHS || RTR040N03TL SOT23
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
RTR040N03TL RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 350+ 1750+
cena netto (PLN) 1,5800 0,8770 0,6920 0,6370 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
350
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBsemi
AOD409 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
AOD409 RoHS || AOD409 TO252
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOD409 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7300 1,3700 1,2500 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 55mOhm 26A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 ALPHA&OMEGA
AOD417 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C;
AOD417 RoHS || AOD417 DPAK
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOD417 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
 
Stan magazynowy:
125 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0300 1,2200 0,9340 0,8410 0,8120
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 25A 50W SMD -55°C ~ 175°C DPAK ALPHA&OMEGA
2N7002-T1-E3 VISHAY Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
2N7002-T1-E3 RoHS || 2N7002-T1-E3 VISHAY SOT23
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
2N7002-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9460 0,4490 0,2530 0,1920 0,1720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 40V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
IRLR2908TR Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
IRLR2908TR RoHS || IRLR2908TR TO252
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
IRLR2908TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 4,6200 3,0700 2,4500 2,2300 2,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 35mOhm 40A 3,75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBsemi
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D || AP2311GN-HF RoHS || AP2311GN RoHS || AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5970 0,4630 0,4270 0,4090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11545 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5970 0,4630 0,4270 0,4090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/78000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
360 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5970 0,4630 0,4270 0,4090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-01
Ilość szt.: 30000
                     
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GH-HF RoHS || AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GH-HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7900 0,9880 0,7770 0,7200 0,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GH-HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7900 0,9880 0,7770 0,7200 0,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AO3407 HXY MOSFET Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3407 RoHS || AO3407 HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
AO3407 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6880 0,3270 0,1840 0,1390 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 98mOhm 4,1A 1,32W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
AO3407 JUXING Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
JX3407"3407" RoHS || AO3407 JUXING SOT23
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
JX3407"3407" RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7100 0,3370 0,1900 0,1440 0,1290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 87mOhm 4,1A 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 JUXING
8205A Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
8205A RoHS || 8205A TSSOP08
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
8205A RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6630 0,4350 0,3750 0,3460
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 27mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HXY MOSFET
BS170 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
BS170 RoHS || BS170 || BS170-D27Z || BS170 TO92
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
1800 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,5590 0,3820 0,3380 0,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
89378 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170-D27Z
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
BS250P Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
BS250P RoHS || BS250P || BS250P TO92formed
Producent:
Zetex
Symbol Producenta:
BS250P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
435 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,4300 2,1600 1,6900 1,5400 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250P
Obudowa dokładna:
TO92formed
 
Magazyn zewnetrzny:
42029 szt.
Ilość szt. 477+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
BSP318SH6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW);
BSP318SH6327XTSA1 RoHS || BSP318SH6327XTSA1 || BSP318SH6327XTSA1 SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP318SH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1500 1,9800 1,6400 1,4600 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 150mOhm 2,6A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP318SH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
687620 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 150mOhm 2,6A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP318SH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
2650 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6066
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 150mOhm 2,6A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 1000
                     
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3130 0,1200 0,0588 0,0468 0,0447
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 100V 20V 5,5Ohm 200mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
BSS123,215 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
BSS123,215 RoHS || BSS123,215 || BSS123,215 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS123,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
4480 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,3140 0,1760 0,1340 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS123,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
600000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS123,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
708000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS123,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3117000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSS138 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
BSS138 RoHS || BSS138 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6020 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3280 0,1260 0,0617 0,0491 0,0469
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/21000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 50V 50V 20V 3,5Ohm 300mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
BSS316NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
BSS316NH6327XTSA1 RoHS || BSS316NH6327XTSA1 || BSS316NH6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1485 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8550 0,4340 0,2630 0,2080 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1242000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
AO3403 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3403 RoHS || AO3403 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3403 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5320 0,3210 0,2540 0,2340
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
1  2  3  4  5  6  7  8  9    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.