Tranzystory polowe (wyszukane: 5428)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP27N60K
N-MOSFET 27A 600V 500W 0.22Ω IRFP27N60KPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP27N60KPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
115 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFP31N50L
N-MOSFET 31A 500V 460W 0.18Ω IRFP31N50LPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP31N50LPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
125 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFP340
N-MOSFET 11A 400V 150W 0.55Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP340PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFP360LC
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 30V; 200mOhm; 23A; 280W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP360LCPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP360LCPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
11375 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 30V | 200mOhm | 23A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||
IRFP3703
N-MOSFET HEXFET 210A 30V 3.8W 0.0028Ω IRFP3703PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP3703PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2572 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFP4004
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,7mOhm; 350A; 380W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4004PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4004PBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
1139 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,7mOhm | 350A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4004PBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
40 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,7mOhm | 350A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||
IRFP440
N-MOSFET 8.8A 500V 150W 0.85Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFP440PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP440PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP440PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
205 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFP7530PBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 281A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP7530PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP7530PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1563 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP7530PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
140 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFP90N20D
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 23mOhm; 94A; 580W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP90N20DPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP90N20DPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
675 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 23mOhm | 94A | 580W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP90N20DPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
140 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 23mOhm | 94A | 580W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||
IRFP9140
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 21A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP9140PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP9140PBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
625 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 21A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP9140PBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
225 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 21A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | VISHAY | |||||
IRFPC40
N-MOSFET 6.8A 600V 150V 1.2Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPC40PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
825 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPC40PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
831 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFPC60PBF
Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFPC60PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPC60PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
318 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPC60PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
235 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFPC60PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
250 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFPG30
N-MOSFET 3.1A 1000V(1kV) 125W 5Ω IRFPG30PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPG30PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
3365 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFPG30PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFPG50
N-MOSFET 6.1A 1000V(1kV) 190W 2Ω IRFPG50PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPG50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Infineon (IRF) | ||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPG50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
645 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Infineon (IRF) | ||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPG50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Infineon (IRF) | ||||||||||
IRFR014
N-MOSFET 7.7A 60V 2.5W 0.2Ω IRFR014PBF IRFR014TRPBF IRFR014TRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR014TRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR014PBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
1119 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFR014PBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFR024PBF
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR024TRLPBF IRFR024TRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR024PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1810 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR024PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1575 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFR1010Z
N-MOSFET HEXFET 42A 55V 140W 0.0075Ω IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZPBF-GURT IRFR1010ZTRLPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR1010ZTRLPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 42A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR1010ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 42A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR1010ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 7,5mOhm | 42A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||
IRFR1018E
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1018EPBF; IRFR1018EPBF-GURT; IRFR1018ETRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR1018ETRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR1018ETRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 8,4mOhm | 79A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | International Rectifier | |||||
IRFR120PBF VISHAY
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK IRFR120TRPBF IRFR120PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR120PBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
5804 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR120TRPBF Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFR120ZTRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 190mOhm; 8,7A; 35W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120ZPBF; IRFR120ZTRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR120ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 190mOhm | 8,7A | 35W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR120ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 190mOhm | 8,7A | 35W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||
IRFR15N20D
N-MOSFET HEXFET 200V 17A 140W 0,165Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR15N20DTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR15N20DTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFR1N60A
N-MOSFET 1.4A 600V 36W 7Ω IRFR1N60APBF IRFR1N60ATRLPBF IRFR1N60ATRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR1N60APBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR1N60ATRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFR210PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 2,6A; 2,5W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFR210TRPBF; IRFR210TRLPBF; IRFR210PBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR210PBF Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 2,6A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | VISHAY | |||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR210PBF Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
3745 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 2,6A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | VISHAY | |||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFR210PBF Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 2,6A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | VISHAY | |||||
IRFR224
N-MOSFET 3.8A 250V 2.5W 1.1Ω IRFR224PBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR224PBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
1563 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFR2307Z
N-MOSFET HEXFET 42A 75V 110W 0,016Ω
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2307ZTRLPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2307ZTRLPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFR2407
N-MOSFET HEXFET 42A 75V 110W 0.026Ω IRFR2407TRPBF IRFR2407PBF IRFR2407PBF-GURT
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2407TRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2407TRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
5450 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IRFR24N15D
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 95mOhm; 24A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR24N15DPBF; IRFR24N15DTRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR24N15DTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 95mOhm | 24A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR24N15DTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 95mOhm | 24A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||
IRFR2607Z
IRFR2607ZPBF IRFR2607ZTRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2607ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFR2905ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-252AA IRFR2905ZTRPBF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2905ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IRFR3411
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 32A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3411PBF; IRFR3411TRPBF;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3411TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 32A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3411TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 32A | 130W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.