Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPB019N06L3G Infineon
N-MOSFET 60V 120A 250W 1.9mΩ IPB019N06L3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB019N06L3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB019N08N3 G
N-MOSFET 180A 80V 300W 0.0019Ω IPB019N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB019N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 1,9mOhm | 100A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/7 | INFINEON | |||||
IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB026N10NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB027N10N3G Infineon
N-MOSFET 100V 120A 300W 2.7mΩ IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GE8187ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB027N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB029N06N3GATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB029N06N3GE8187ATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB029N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB029N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon Technologies | |||||
IPB030N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB030N08N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB030N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB034N06N3G
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 IPB034N06N3G
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB034N06N3GATMA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB037N06N3G INFINEON
N-MOSFET 60V 90A 188W 3.7mΩ IPB037N06N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB037N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB039N10N3G INFINEON
N-MOSFET 100V 160A 214W 3.9mΩ IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GE8197ATMA1 IPB039N10N3GE8187ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB039N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB042N10N3G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,4mOhm; 137A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB042N10N3GATMA1; IPB042N10N3GE8187ATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB042N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
107000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7,4mOhm | 137A | 214W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB042N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7,4mOhm | 137A | 214W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB050N10NF2SATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB054N08N3G
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive IPB054N08N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB054N08N3GATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB060N15N5
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7 IPB060N15N5ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB060N15N5ATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB108N15N3G
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 IPB108N15N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB108N15N3GATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB108N15N3GATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB123N10N3G INFINEON
N-MOSFET 100V 58A 94W 12.3mΩ IPB123N10N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB123N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB123N10N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB156N22NFD
N-Channel 220V 72A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 IPB156N22NFDATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB156N22NFDATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB160N04S4H1 Infineon
N-MOSFET 40V 160A 167W 1.6mΩ IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4-H1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB160N04S4H1ATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB180N10S402 INFINEON
N-MOSFET 100V 180A 300W 2.5mΩ IPB180N10S402ATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB180N10S402ATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB180P04P4L02 Infineon
P-MOSFET 40V 180A 150W 2.4mΩ IPB180P04PL02ATMA1 IPB180P04P4L-02 IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB180P04P4L02ATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB180P04P4L02ATMA2 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB200N15N3G Infineon
N-MOSFET 150V 50A 150W 20mΩ IPB200N15N3GATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB200N15N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB200N25N3G Infineon
N-MOSFET 250V 64A 300W 20mΩ IPB200N25N3GATMA1 *OBSOLETE
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB200N25N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB200N25N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB320N20N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB320N20N3GATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB60R125CP
MOSFET N-CH 600V 25A TO263 IPB60R125CPATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB60R125CPATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB60R165CP Infineon
N-MOSFET 600V 21A 192W 165mΩ IPB60R165CPATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB60R165CPATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB65R065C7 Infineon
N-MOSFET 600V 7.3A 171mΩ 171W IPB65R065C7ATMA1 IPB65R065C7ATMA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB65R065C7ATMA2 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPC313N10N3RX1SA2 Infineon Technologies
TRENCH >=100V transistors - fets, mosfets - single
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPC313N10N3RX1SA2 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
46157 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD025N06N Infineon
N-MOSFET 60V 90A 3W 2.5mΩ IPD025N06NATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD025N06NATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD025N06NATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD031N06L3G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,2mOhm; 100A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD031N06L3GATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD031N06L3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,2mOhm | 100A | 167W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD033N06NATMA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPD034N06N3G Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD034N06N3GATMA1;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD034N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,4mOhm | 100A | 167W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.