Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)

1    95  96  97  98  99  100  101  102  103    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IPB019N06L3G Infineon N-MOSFET 60V 120A 250W 1.9mΩ IPB019N06L3GATMA1
IPB019N06L3GATMA1 || IPB019N06L3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB019N06L3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8094
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB019N08N3 G N-MOSFET 180A 80V 300W 0.0019Ω IPB019N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
IPB019N08N3GATMA1 || IPB019N08N3 G TO263/7
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB019N08N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,0199
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 20V 1,9mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/7 INFINEON
IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IPB026N10NF2SATMA1 || IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB026N10NF2SATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4161
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB027N10N3G Infineon N-MOSFET 100V 120A 300W 2.7mΩ IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GE8187ATMA1
IPB027N10N3GATMA1 || IPB027N10N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB027N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB029N06N3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB029N06N3GE8187ATMA1;
IPB029N06N3GATMA1 || IPB029N06N3GATMA1 D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB029N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3208
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB029N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4006
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK Infineon Technologies
IPB030N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB030N08N3GATMA1
IPB030N08N3GATMA1 || IPB030N08N3GATMA1 D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB030N08N3GATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6238
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB034N06N3G MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 IPB034N06N3G
IPB034N06N3GATMA2 || IPB034N06N3G  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB034N06N3GATMA2
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2814
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB037N06N3G INFINEON N-MOSFET 60V 90A 188W 3.7mΩ IPB037N06N3GATMA1
IPB037N06N3GATMA1 || IPB037N06N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB037N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0545
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB039N10N3G INFINEON N-MOSFET 100V 160A 214W 3.9mΩ IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GE8197ATMA1 IPB039N10N3GE8187ATMA1
IPB039N10N3GATMA1 || IPB039N10N3G INFINEON TO263/7
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB039N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,6799
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB042N10N3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,4mOhm; 137A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB042N10N3GATMA1; IPB042N10N3GE8187ATMA1;
IPB042N10N3GATMA1 || IPB042N10N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB042N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
107000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8457
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 7,4mOhm 137A 214W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB042N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8363
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 7,4mOhm 137A 214W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
IPB050N10NF2SATMA1 || IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB050N10NF2SATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2086
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB054N08N3G Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive IPB054N08N3GATMA1
IPB054N08N3GATMA1 || IPB054N08N3G D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB054N08N3GATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1590
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB060N15N5 MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7 IPB060N15N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1 || IPB060N15N5  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB060N15N5ATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3978
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB108N15N3G MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3GATMA1 || IPB108N15N3G  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB108N15N3GATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,2280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB108N15N3GATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0185
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB123N10N3G INFINEON N-MOSFET 100V 58A 94W 12.3mΩ IPB123N10N3GATMA1
IPB123N10N3GATMA1 || IPB123N10N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB123N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1753
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB123N10N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB156N22NFD N-Channel 220V 72A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 IPB156N22NFDATMA1
IPB156N22NFDATMA1 || IPB156N22NFD TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB156N22NFDATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,7656
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB160N04S4H1 Infineon N-MOSFET 40V 160A 167W 1.6mΩ IPB160N04S4H1ATMA1 IPB160N04S4-H1
IPB160N04S4H1ATMA1 || IPB160N04S4H1 Infineon TO263/7
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB160N04S4H1ATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8296
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB180N10S402 INFINEON N-MOSFET 100V 180A 300W 2.5mΩ IPB180N10S402ATMA1
IPB180N10S402ATMA1 || IPB180N10S402 INFINEON TO263/7
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB180N10S402ATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,0115
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB180P04P4L02 Infineon P-MOSFET 40V 180A 150W 2.4mΩ IPB180P04PL02ATMA1 IPB180P04P4L-02 IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA2
IPB180P04P4L02ATMA1 || IPB180P04P4L02ATMA2 || IPB180P04P4L02 Infineon TO263/7
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB180P04P4L02ATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB180P04P4L02ATMA2
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,4120
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB200N15N3G Infineon N-MOSFET 150V 50A 150W 20mΩ IPB200N15N3GATMA1
IPB200N15N3GATMA1 || IPB200N15N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB200N15N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2514
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB200N25N3G Infineon N-MOSFET 250V 64A 300W 20mΩ IPB200N25N3GATMA1 *OBSOLETE
IPB200N25N3GATMA1 || IPB200N25N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB200N25N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,3724
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB200N25N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,9780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB320N20N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IPB320N20N3GATMA1 || IPB320N20N3GATMA1 D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB320N20N3GATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,8097
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB60R125CP MOSFET N-CH 600V 25A TO263 IPB60R125CPATMA1
IPB60R125CPATMA1 || IPB60R125CP  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB60R125CPATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
13000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,3414
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB60R165CP Infineon N-MOSFET 600V 21A 192W 165mΩ IPB60R165CPATMA1
IPB60R165CPATMA1 || IPB60R165CP Infineon D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB60R165CPATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,5421
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB65R065C7 Infineon N-MOSFET 600V 7.3A 171mΩ 171W IPB65R065C7ATMA1 IPB65R065C7ATMA2
IPB65R065C7ATMA2 || IPB65R065C7 Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB65R065C7ATMA2
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,9527
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPC313N10N3RX1SA2 Infineon Technologies TRENCH >=100V transistors - fets, mosfets - single
IPC313N10N3RX1SA2 || IPC313N10N3RX1SA2 Infineon Technologies  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPC313N10N3RX1SA2
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
46157 szt.
Ilość szt. 42+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,9291
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD025N06N Infineon N-MOSFET 60V 90A 3W 2.5mΩ IPD025N06NATMA1
IPD025N06NATMA1 || IPD025N06N Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD025N06NATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9581
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD025N06NATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0817
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD031N06L3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,2mOhm; 100A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD031N06L3GATMA1;
IPD031N06L3GATMA1 || IPD031N06L3G Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD031N06L3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7734
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 5,2mOhm 100A 167W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD033N06NATMA1 || IPD033N06NATMA1  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD033N06NATMA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7469
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPD034N06N3G Infineon Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD034N06N3GATMA1;
IPD034N06N3GATMA1 || IPD034N06N3G Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD034N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2357
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 3,4mOhm 100A 167W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
1    95  96  97  98  99  100  101  102  103    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.