Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMZ120R030M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A IMZ120R030M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZ120R030M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
18031 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZ120R060M1H
IMZ120R060M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZ120R060M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
23437 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZ120R060M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
410 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZ120R090M1H
IMZ120R090M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZ120R090M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZ120R140M1H
IMZ120R140M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZ120R140M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
240 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZ120R220M1H
IMZ120R220M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZ120R220M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZ120R350M1H
IMZ120R350M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZ120R350M1HXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
270 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZA65R027M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R027M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZA65R027M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
960 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZA65R048M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R048M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZA65R048M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZA65R072M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R072M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZA65R072M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
420 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IMZA65R107M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R107M1HXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IMZA65R107M1HXKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
960 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA093N06N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 43A; 33W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA093N06N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
396 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,3mOhm | 43A | 33W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
IPA50R190CE
N-MOSFET 24.8A 500V 24.8W 0.19Ω IPA50R190CEXKSA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R190CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
9010 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 190mOhm | 24,8A | 32W | THT | -40°C ~ 150°C | THT | INFINEON | |||||
IPA50R280CEXKSA1
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA50R280CEXKSA2
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R280CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
2918 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R280CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA50R380CEXKSA2
Trans MOSFET N-CH 500V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA50R380CEXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R380CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA50R800CEXKSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 1,87Ohm; 7,6A; 26,4W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: SP001217234;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R800CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 550V | 30V | 1,87Ohm | 7,6A | 26,4W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA50R800CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 550V | 30V | 1,87Ohm | 7,6A | 26,4W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
IPA60R099C7XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R099C7XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
220 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 99mOhm | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | ||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R099C7XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 99mOhm | 278W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | ||||||
IPA60R099P6XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 232mOhm; 37,9A; 34W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R099P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
432 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 232mOhm | 37,9A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||
IPA60R230P6XKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R230P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 230mOhm | 16,8A | 126W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | INFINEON | |||||
IPA60R400CEXKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R400CEXKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPA60R600C6
N-MOSFET 7.3A 600V 28W 0.6Ω IPA60R600C6XKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R600C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
320 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
IPA80R650CEXKSA2
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA80R650CEXKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
690 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 650mOhm | 8A | 33W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | |||||
IPA90R800C3XKSA1
Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA90R800C3XKSA2 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 800mOhm | 6,9A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | |||||
IPAN60R125PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 16A | 32W IPAN60R125PFD7SXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPAN60R125PFD7SXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPAN60R210PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 10A | 25W IPAN60R210PFD7SXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPAN60R210PFD7SXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPAN60R280PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 7A | Idm: 31A IPAN60R280PFD7SXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPAN60R280PFD7SXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPAN60R360PFD7S
Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 6A | Idm: 24A IPAN60R360PFD7SXKSA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPAN60R360PFD7SXKSA1 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB014N06N
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB014N06NATMA1
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB014N06NATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB014N06NATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB015N04NGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB015N04NGATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB017N06N03G Infineon
N-MOSFET 60V 180A 250W 1.7mΩ
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB017N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB017N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||
IPB017N10N5 Infineon
N-MOSFET 100V 180A 375W 1.7mΩ IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5LF
|
||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB017N10N5ATMA1 Obudowa dokładna: TO263/7 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.