Tranzystory polowe (wyszukane: 5430)

1    94  95  96  97  98  99  100  101  102    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IMZ120R030M1H Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1 || IMZ120R030M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZ120R030M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
18031 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 22,0276
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZ120R060M1H IMZ120R060M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1 || IMZ120R060M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZ120R060M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
23437 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 23,8014
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZ120R060M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
410 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 22,9203
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZ120R090M1H IMZ120R090M1HXKSA1
IMZ120R090M1HXKSA1 || IMZ120R090M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZ120R090M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZ120R140M1H IMZ120R140M1HXKSA1
IMZ120R140M1HXKSA1 || IMZ120R140M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZ120R140M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
240 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,3248
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZ120R220M1H IMZ120R220M1HXKSA1
IMZ120R220M1HXKSA1 || IMZ120R220M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZ120R220M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
480 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,4781
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZ120R350M1H IMZ120R350M1HXKSA1
IMZ120R350M1HXKSA1 || IMZ120R350M1H  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZ120R350M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
270 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,7605
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZA65R027M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 59A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R027M1HXKSA1
IMZA65R027M1HXKSA1 || IMZA65R027M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZA65R027M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
960 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 31,9949
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZA65R048M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R048M1HXKSA1
IMZA65R048M1HXKSA1 || IMZA65R048M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZA65R048M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 20,6019
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZA65R072M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R072M1HXKSA1
IMZA65R072M1HXKSA1 || IMZA65R072M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZA65R072M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
420 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 16,2276
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IMZA65R107M1H Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 4-Pin(4+Tab) TO-247 IMZA65R107M1HXKSA1
IMZA65R107M1HXKSA1 || IMZA65R107M1H TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IMZA65R107M1HXKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
960 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,4988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPA093N06N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 43A; 33W; -55°C ~ 175°C;
IPA093N06N3GXKSA1 || IPA093N06N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA093N06N3GXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
396 szt.
Ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8948
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 43A 33W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA50R190CE N-MOSFET 24.8A 500V 24.8W 0.19Ω IPA50R190CEXKSA2
IPA50R190CEXKSA2 || IPA50R190CE TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R190CEXKSA2
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
9010 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7099
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 500V 20V 190mOhm 24,8A 32W THT -40°C ~ 150°C THT INFINEON
IPA50R280CEXKSA1 Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA50R280CEXKSA2
IPA50R280CEXKSA2 || IPA50R280CEXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R280CEXKSA2
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
2918 szt.
Ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8689
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R280CEXKSA2
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0583
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPA50R380CEXKSA2 Trans MOSFET N-CH 500V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA50R380CEXKSA1
IPA50R380CEXKSA2 || IPA50R380CEXKSA2 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R380CEXKSA2
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5254
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPA50R800CEXKSA2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 1,87Ohm; 7,6A; 26,4W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: SP001217234;
IPA50R800CEXKSA2 || IPA50R800CEXKSA2 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R800CEXKSA2
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
3500 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9974
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 550V 30V 1,87Ohm 7,6A 26,4W THT -40°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R800CEXKSA2
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0389
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 550V 30V 1,87Ohm 7,6A 26,4W THT -40°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R099C7XKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IPA60R099C7XKSA1 || IPA60R099C7XKSA1 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R099C7XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
220 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,8625
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 99mOhm 278W THT -55°C ~ 150°C TO220iso INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R099C7XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
175 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,1479
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 99mOhm 278W THT -55°C ~ 150°C TO220iso INFINEON
IPA60R099P6XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 232mOhm; 37,9A; 34W; -55°C ~ 150°C;
IPA60R099P6XKSA1 || IPA60R099P6XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R099P6XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
432 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,0032
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 30V 232mOhm 37,9A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R230P6XKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 16.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IPA60R230P6XKSA1 || IPA60R230P6XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R230P6XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9719
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 230mOhm 16,8A 126W THT -55°C ~ 150°C TO220FP INFINEON
IPA60R400CEXKSA1 Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IPA60R400CEXKSA1 || IPA60R400CEXKSA1 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R400CEXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7227
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPA60R600C6 N-MOSFET 7.3A 600V 28W 0.6Ω IPA60R600C6XKSA1
IPA60R600C6XKSA1 || IPA60R600C6 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R600C6XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
320 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4036
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET
IPA80R650CEXKSA2 Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IPA80R650CEXKSA2 || IPA80R650CEXKSA2 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA80R650CEXKSA2
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
690 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9337
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 20V 650mOhm 8A 33W THT -40°C ~ 150°C TO220iso INFINEON
IPA90R800C3XKSA1 Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IPA90R800C3XKSA2 || IPA90R800C3XKSA1 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA90R800C3XKSA2
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5651
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 900V 20V 800mOhm 6,9A 33W THT -55°C ~ 150°C TO220iso INFINEON
IPAN60R125PFD7S Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 16A | 32W IPAN60R125PFD7SXKSA1
IPAN60R125PFD7SXKSA1 || IPAN60R125PFD7S  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPAN60R210PFD7S Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 10A | 25W IPAN60R210PFD7SXKSA1
IPAN60R210PFD7SXKSA1 || IPAN60R210PFD7S  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3232
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPAN60R280PFD7S Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 7A | Idm: 31A IPAN60R280PFD7SXKSA1
IPAN60R280PFD7SXKSA1 || IPAN60R280PFD7S  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPAN60R280PFD7SXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6281
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPAN60R360PFD7S Tranzystor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 6A | Idm: 24A IPAN60R360PFD7SXKSA1
IPAN60R360PFD7SXKSA1 || IPAN60R360PFD7S  
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Obudowa dokładna:
 
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0865
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB014N06N Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK IPB014N06NATMA1
IPB014N06NATMA1 || IPB014N06N D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB014N06NATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4383
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB014N06NATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,2213
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB015N04NGATMA1 Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IPB015N04NGATMA1 || IPB015N04NGATMA1 D2PAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB015N04NGATMA1
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,2399
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB017N06N03G Infineon N-MOSFET 60V 180A 250W 1.7mΩ
IPB017N06N3GATMA1 || IPB017N06N03G Infineon TO263/7
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB017N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4077
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB017N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1362
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
IPB017N10N5 Infineon N-MOSFET 100V 180A 375W 1.7mΩ IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5LF
IPB017N10N5ATMA1 || IPB017N10N5 Infineon TO263/7
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB017N10N5ATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/7
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,6195
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1    94  95  96  97  98  99  100  101  102    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.