BSS123 SHIKUES

Symbol Micros: TBSS123 SHK
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0901 0,0354 0,0207 0,0152 0,0138
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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