Bipolare Transistoren (Ergebnisse: 2580)

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BC857B CHINA PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475
Micros Symbol: TBC857b c Infos
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BC857B RoHS || BC857B CHINA SOT23
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YFW Hersteller-Teilenummer:
BC857B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
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9000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0567 0,0212 0,0113 0,0085 0,0078
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3000/15000
Menge (mehrere 10)
PNP 475 200mW 45V 100mA 100MHz SOT23 HOTTECH -55°C ~ 150°C
 
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KINGTRONICS Hersteller-Teilenummer:
BC857B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0567 0,0212 0,0113 0,0085 0,0078
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Standard-Verpackung:
3000/15000/135000
Menge (mehrere 10)
PNP 475 200mW 45V 100mA 100MHz SOT23 HOTTECH -55°C ~ 150°C
                         
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Geplantes Datum: 2024-11-30
Anzahl der Stücke: 15000
                   
                         
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Geplantes Datum: 2024-12-30
Anzahl der Stücke: 3000
                   
BC548B LGE NPN 100mA 30V 500mW 300MHz 200 < beta < 450 NPN 100mA 30V 500mW 300MHz 200 < beta < 450
Micros Symbol: TBC548b c Infos
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BC548B RoHS || BC548B LGE TO92
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LGE Hersteller-Teilenummer:
BC548B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
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2000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 300+ 2000+ 10000+
Preis netto (EUR) 0,0935 0,0373 0,0199 0,0154 0,0144
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2000
Menge (mehrere 10)
NPN 450 625mW 30V 100mA 150MHz TO92 LGE -55°C ~ 150°C
BC33740BU Transistor: NPN; Bipolar; 45V; 0.8A; 625mW; TO92 Transistor: NPN; Bipolar; 45V; 0.8A; 625mW; TO92
Micros Symbol: TBC33740BU ON Infos
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BC33740BU RoHS || BC33740BU || BC33740BU TO92
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ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740BU RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
Auf Lager:
940 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2260 0,1131 0,0675 0,0558 0,0502
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1000
Menge (mehrere 1)
NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740BU Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0502
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10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
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ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740BU Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
30746 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0502
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10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740BU Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
36700 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0503
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100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
BC33740TA Transistor: NPN; Bipolar; 45V; 0.8A; 625mW; TO92 Transistor: NPN; Bipolar; 45V; 0.8A; 625mW; TO92
Micros Symbol: TBC33740TA ON Infos
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BC33740TA RoHS || BC33740TA || BC33740TA TO92
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ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740TA RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92amm  
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2074 0,1048 0,0631 0,0500 0,0461
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Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740TA Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
7000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0461
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2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740TA Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
16000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0461
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC33740TA Präzisionsgehäuse:
TO92  
Externes Lager:
8924 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0461
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 630 625mW 45V 800mA 100MHz TO92 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
BC807-16 PNP 45V 500mA 200mW hFE=100-250
Micros Symbol: TBC80716 c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
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BC807-16 RoHS || BC807-16 SOT23
Hersteller:
KEXIN Hersteller-Teilenummer:
BC807-16 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0537 0,0201 0,0108 0,0080 0,0074
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
                         
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2024-12-30
Anzahl der Stücke: 3000
                   
BD679 darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz
Micros Symbol: TBD679 c Infos
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BD679 RoHS || BD679 TO126
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
BD679 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126  
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3272 0,1809 0,1422 0,1288 0,1263
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Standard-Verpackung:
500/1000
Menge (mehrere 1)
NPN 750 40W 80V 4A TO126 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
2N3055 TO3 CDIL NPN 60V 15A 115W NPN 60V 15A 115W
Micros Symbol: T2N3055 cdil Infos
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2N3055 RoHS || 2N3055 TO3 CDIL TO 3
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
2N3055 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3
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Auf Lager:
63 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2925 0,9054 0,7557 0,7027 0,6797
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Standard-Verpackung:
25/100
Menge (mehrere 1)
NPN 80 115W 100V 15A 2,5MHz TO 3 CDIL -65°C ~ 200°C
                         
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-03-07
Anzahl der Stücke: 500
                   
MMBT5551 Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; Transistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TMMBT5551 ANB Infos
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MMBT5551 RoHS || MMBT5551 SOT23
Hersteller:
AnBon Hersteller-Teilenummer:
MMBT5551 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0770 0,0297 0,0145 0,0115 0,0110
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
NPN 300mW 180V 600mA 100MHz SOT23 AnBon -55°C ~ 150°C
PZTA42 NPN 100mA 500V 1.2W 50MHz NPN 100mA 500V 1.2W 50MHz
Micros Symbol: TPZTA42 NXP Infos
Datenblatt
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PZTA42,115 RoHS || PZTA42,115 || PZTA42 SOT223
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
PZTA42,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3364 0,2198 0,1574 0,1375 0,1290
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
NPN 40 1,2W 300V 100mA 50MHz SOT223 NXP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
PZTA42,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,1290
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 40 1,2W 300V 100mA 50MHz SOT223 NXP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
PZTA42,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
19000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,1290
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 40 1,2W 300V 100mA 50MHz SOT223 NXP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
PZTA42,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,1290
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 40 1,2W 300V 100mA 50MHz SOT223 NXP -65°C ~ 150°C
BC550 TO92 CDIL NPN 45V 0.1A 0.5W NPN 45V 0.1A 0.5W
Micros Symbol: TBC550 cdil Infos
Datenblatt
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TBC550 RoHS || BC550 TO92 CDIL TO92
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
TBC550 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
1200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1039 0,0394 0,0219 0,0180 0,0173
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
NPN 800 500mW 45V 100mA 100MHz TO92 CDIL -65°C ~ 150°C
BCX56-16 SOT89 LGE NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89 NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89
Micros Symbol: TBCX5616 LGE Infos
Datenblatt
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BCX56-16 RoHS || BCX56-16 SOT89 LGE  
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
BCX56-16 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,2269 0,0908 0,0528 0,0440 0,0412
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
NPN 1W 80V 50mA SOT89 LGE -65°C ~ 150°C
BC847B SOT23 LGE NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBC847B LGE Infos
Datenblatt
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BC847B RoHS || BC847B SOT23 LGE  
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
BC847B RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0544 0,0204 0,0109 0,0081 0,0075
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Standard-Verpackung:
3000/30000
Menge (mehrere 10)
NPN 450 250mW 45V 100mA 100MHz SOT23 LGE -55°C ~ 150°C
BD241C Transistor NPN; Bipolar; 100V; 10V; 3A; 40W; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; Bipolar; 100V; 10V; 3A; 40W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBD241c c Infos
Datenblatt
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BD241C RoHS || BD241C TO220
Hersteller:
ARK Hersteller-Teilenummer:
BD241C RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
1750 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 750+
Preis netto (EUR) 0,3018 0,1917 0,1339 0,1161 0,1094
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
NPN 40W 100V 3A TO220 ARK -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ARK Hersteller-Teilenummer:
BD241C RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 750+
Preis netto (EUR) 0,3018 0,1917 0,1339 0,1161 0,1094
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
NPN 40W 100V 3A TO220 ARK -55°C ~ 150°C
S8050 SOT23-3 BORN NPN 500mA 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS NPN 500mA 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS
Micros Symbol: TS8050 BORN Infos
Datenblatt
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S8050 RoHS || S8050 SOT23-3 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
S8050 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
590 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,0940 0,0373 0,0220 0,0162 0,0145
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 10)
NPN 300mW 25V 500mA 150MHz SOT23 BORN -55°C ~ 150°C
SS8050 SOT23-3 BORN NPN 1.5A 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS NPN 1.5A 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS
Micros Symbol: TSS8050 BORN Infos
Datenblatt
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SS8050 RoHS Y1. || SS8050 SOT23-3 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
SS8050 RoHS Y1. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1355 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 300+ 1500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1078 0,0424 0,0223 0,0174 0,0166
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Standard-Verpackung:
1500
Menge (mehrere 10)
NPN 300mW 25V 1,5A 100MHz SOT23 BORN -55°C ~ 150°C
BCX54-16 HOTTECH NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
Micros Symbol: TBCX5416 HOT Infos
Datenblatt
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BCX54-16 RoHS || BCX54-16 HOTTECH SOT89
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
BCX54-16 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r  
Auf Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2064 0,1034 0,0615 0,0509 0,0458
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
NPN 250 1W 45V 1A 100MHz SOT89 HOTTECH -65°C ~ 150°C
BC847BS Transistor PNP/NPN; Bipolar; 45V; 200MHz; 100mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP/NPN; Bipolar; 45V; 200MHz; 100mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBC847BS YY Infos
Datenblatt
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BC847BS RoHS || BC847BS-F2-0000HF RoHS || BC847BS SOT363
Hersteller:
YY Hersteller-Teilenummer:
BC847BS RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
900 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1016 0,0401 0,0233 0,0171 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
NPN/PNP 300mW 45V 100mA 200MHz SOT363 YY -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
YY Hersteller-Teilenummer:
BC847BS-F2-0000HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1016 0,0401 0,0233 0,0171 0,0156
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
NPN/PNP 300mW 45V 100mA 200MHz SOT363 YY -55°C ~ 150°C
                         
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-01-20
Anzahl der Stücke: 6000
                   
MMBT5401 Transistor PNP; Bipolar; 160V; 6V; 300MHz; 600mA; 300mW; 300; -55°C~150°C; Transistor PNP; Bipolar; 160V; 6V; 300MHz; 600mA; 300mW; 300; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TMMBT5401 YY Infos
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MMBT5401 RoHS || MMBT5401 SOT23
Hersteller:
YY Hersteller-Teilenummer:
MMBT5401 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0613 0,0229 0,0123 0,0092 0,0085
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
PNP 300 300mW 160V 600mA 300MHz SOT23 YY -55°C ~ 150°C
S9014 Transistor NPN; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C~150°C; Transistor NPN; 200mW; 45V; 100mA; 150MHz; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TS9014 ANB Infos
Datenblatt
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S9014 RoHS || S9014  
Hersteller:
AnBon Hersteller-Teilenummer:
S9014 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2300 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0608 0,0235 0,0114 0,0091 0,0087
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
NPN 200mW 45V 100mA 150MHz SOT23 AnBon -55°C ~ 150°C
BC807UE Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 330mW Automotive 6-Pin SC-74 Transistor GP BJT PNP 45V 0.5A 330mW Automotive 6-Pin SC-74
Micros Symbol: TBC807UE Infos
Datenblatt
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BC807UE6327 RoHS || BC807UE SC74-6
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BC807UE6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC74-6 t/r
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Preis netto (EUR) 0,8640 0,6405 0,4723 0,4078 0,3755
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Standard-Verpackung:
70
Menge (mehrere 1)
PNP 400 330mW 45V 500mA 200MHz SC74-6 Infineon Technologies -65°C ~ 150°C
BC817DS Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 600mW Automotive 6-Pin TSOP Transistor GP BJT NPN 45V 0.5A 600mW Automotive 6-Pin TSOP
Micros Symbol: TBC817DS Infos
Datenblatt
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BC817DS RoHS || BC817DS,115 || BC817DS TSOP06
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BC817DS RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2170 0,1200 0,0797 0,0666 0,0620
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
NPN 400 600mW 45V 500mA 100MHz TSOP06 NXP -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BC817DS,115 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
1032000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0620
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 400 600mW 45V 500mA 100MHz TSOP06 NXP -65°C ~ 150°C
BC856BDWT1G Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 Transistor GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88
Micros Symbol: TBC856BDW1 Infos
Datenblatt
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BC856BDW1T1G RoHS || BC856BDW1T1G || BC856BDWT1G SC-88
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC856BDW1T1G RoHS Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1560 0,0740 0,0417 0,0316 0,0283
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xPNP 475 380mW 65V 100mA 100MHz SC-88 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC856BDW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88  
Externes Lager:
441000 Stk.
Anzahl der Stücke 60000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0283
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2xPNP 475 380mW 65V 100mA 100MHz SC-88 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC856BDW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88  
Externes Lager:
1632000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0283
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2xPNP 475 380mW 65V 100mA 100MHz SC-88 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BC856BDW1T1G Präzisionsgehäuse:
SC-88  
Externes Lager:
223032 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,0283
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2xPNP 475 380mW 65V 100mA 100MHz SC-88 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
BD139-10 Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBD13910 STM Infos
Datenblatt
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BD139-10 RoHS || BD139-10 || BD139-10 SOT32
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
BD139-10 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT32
Datenblatt
Auf Lager:
700 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,3087 0,2018 0,1440 0,1258 0,1189
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Standard-Verpackung:
50/700
Menge (mehrere 1)
NPN 250 12,5W 80V 1,5A SOT32 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
BD139-10 Präzisionsgehäuse:
SOT32  
Externes Lager:
16800 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,1189
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 250 12,5W 80V 1,5A SOT32 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
BD139-10 Präzisionsgehäuse:
SOT32  
Externes Lager:
22286 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Preis netto (EUR) 0,1189
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		NPN 250 12,5W 80V 1,5A SOT32 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
2N5400 LGE Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2N5400 LGE Infos
Datenblatt
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2N5400 RoHS || 2N5400 LGE TO92
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N5400 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1244 0,0475 0,0267 0,0221 0,0207
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
PNP 180 625mW 120V 600mA 100MHz TO92 LGE -55°C ~ 150°C
MJD112 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252
Micros Symbol: TMJD112 LGE Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
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MJD112 RoHS || MJD112 TO252
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
MJD112 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r  
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2719 0,1735 0,1216 0,1058 0,0988
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
MJD31C YZPST Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TMJD31c YZP Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
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MJD31C RoHS || MJD31C YZPST TO252 (DPACK)
Hersteller:
YZPST Hersteller-Teilenummer:
MJD31C RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
105 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 15+ 75+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,4124 0,2442 0,1857 0,1670 0,1590
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Standard-Verpackung:
75/300
Menge (mehrere 1)
NPN 50 15W 100V 3A 3MHz TO252 (DPACK) YZPST -55°C ~ 150°C
MJD31C JSMICRO Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
Micros Symbol: TMJD31c JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
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MJD31C RoHS || MJD31C JSMICRO TO252 (DPACK)
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
MJD31C RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
295 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3525 0,2327 0,1668 0,1428 0,1359
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
NPN 50 15W 100V 3A 3MHz TO252 (DPACK) JSMICRO -65°C ~ 150°C
MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
Micros Symbol: TMJD31CJ Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
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MJD31CJ RoHS || MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA DPAK
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
MJD31CJ RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5000 0,2765 0,2186 0,2060 0,1995
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
NPN 50 1,6W 100V 3A 3MHz DPAK Nexperia -55°C ~ 150°C
TIP122 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220
Micros Symbol: TTIP122 LGE Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
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rufen Sie an: +48785054437
TIP122 RoHS || TIP122 TO220
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
TIP122 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220AB  
Auf Lager:
506 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4078 0,2673 0,1912 0,1673 0,1567
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Standard-Verpackung:
50/1000
Menge (mehrere 1)
NPN 1000 2W 100V 5A TO220 STMicroelectronics -65°C ~ 150°C
MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
Micros Symbol: TMJD32CJ Infos
Datenblatt
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder
rufen Sie an: +48785054437
MJD32CJ RoHS || MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA DPAK
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
MJD32CJ RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4700 0,2603 0,2055 0,1938 0,1875
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
PNP 50 1,6W 100V 3A 3MHz DPAK Nexperia -55°C ~ 150°C
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    86

Bipolare Transistoren

Die in der Mitte des 20. Jahrhunderts erfundenen Transistoren haben eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der modernen Elektronik gespielt. Dank ihnen ist die Nutzung miniaturisierter Verbrauchertechnologiegeräte heute möglich. Aus diesem Grund gelten bipolare Transistoren als eine der am weitesten verbreiteten Komponenten, ohne die es unmöglich wäre, moderne integrierte Schaltkreise zu entwerfen.

Bipolarer Transistor – Symbol

Bipolare Transistoren sind elektronische Halbleiterbauelemente, die zur Steuerung des Stromflusses und zur Verstärkung von Signalen verwendet werden. Sie bestehen aus drei Schichten, die aus dem Emitter, der Basis und dem Kollektor bestehen, die durch eine Siliziumscheibe verbunden sind. Je nach Leitfähigkeitstyp unterscheidet man zwischen pnp- und npn-Transistoren. Sie funktionieren ähnlich, wobei die Unterschiede in der Steuerungsrichtung und der Polarisation in Bezug auf den Emitter liegen. Bei einem bipolaren Transistor zeigt das Symbol mit der angegebenen Pfeilrichtung, um welche Art von Bauelement es sich handelt.

Funktionsweise Bipolarer Transistoren

Bipolare Transistoren werden in elektronischen Geräten eingesetzt, um die Intensität des elektrischen Signalflusses zu steuern. Sie finden Anwendung in verschiedenen elektronischen Schaltungen wie z.B. Verstärkern, Signalmodulatoren, Stabilisatoren und Impulsgeneratoren. Die Funktionsweise eines bipolaren Transistors besteht darin, einen Strom mit niedriger Intensität sicher in elektrische Signale mit höherer Leistung umzuwandeln, um eine Überlastung des gesamten Schaltkreises zu vermeiden.

Katalog Bipolarer Transistoren

In unserem Sortiment finden Sie bipolare Transistoren von führenden Herstellern. Wir bieten nur Produkte von höchster Qualität an, die sich durch Zuverlässigkeit und Langlebigkeit auszeichnen. Unser Katalog der bipolaren Transistoren umfasst Komponenten, die sich in folgenden Punkten unterscheiden:

  • Stromverstärkungsfaktor,
  • Verlustleistung,
  • maximale Kollektor-Emitter-Spannung,
  • maximaler Kollektorstrom,
  • Gehäusetyp,
  • Betriebstemperaturbereich.

Durch die Berücksichtigung dieser spezifischen Parameter können Sie einen bipolaren Transistor genau für Ihre spezifische Anwendung auswählen.

Wir laden Sie zur Zusammenarbeit ein!