Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Hersteller
STW75N60M6 Trans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STW75N60M6 || STW75N60M6 TO247
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STW75N60M6
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW75N60M6
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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STW75N60M6-4 Trans MOSFET N-CH 600V 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247
STW75N60M6-4 || STW75N60M6-4 TO247
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW75N60M6-4
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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STW75NF20 N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 34mOhm; 75A; 190 W; -50 °C ~ 150 °C;
STW75NF20 || STW75NF20 TO247
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW75NF20
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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N-MOSFET 200V 20V 34mOhm 75A 190W THT -50°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW75NF20
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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N-MOSFET 200V 20V 34mOhm 75A 190W THT -50°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW75NF20
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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N-MOSFET 200V 20V 34mOhm 75A 190W THT -50°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
STW75NF30AG || STW75NF30AG  
Hersteller:
ST
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STW75NF30AG
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STW77N65M5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW77N65M5 || STW77N65M5 STMicroelectronics  
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ST
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STW77N65M5
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ST
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STW77N65M5
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ST
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STW77N65M5
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STW78N65M5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW78N65M5 || STW78N65M5 STMicroelectronics  
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ST
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STW78N65M5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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Anzahl der Stücke 11+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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ST
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STW78N65M5
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Anzahl der Stücke 15+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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STW7N105K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW7N105K5 || STW7N105K5 STMicroelectronics  
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ST
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STW7N105K5
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STW7N105K5
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Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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STW7N90K5 Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STW7N90K5 || STW7N90K5 TO247
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ST
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STW7N90K5
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TO247
 
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ST
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STW7N90K5
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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1800 Stk.
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STW88N65M5-4 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
STW88N65M5-4 || STW88N65M5-4 STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
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STW88N65M5-4
Präzisionsgehäuse:
 
 
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STW8N120K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW8N120K5 || STW8N120K5 STMicroelectronics TO247
Hersteller:
ST
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STW8N120K5
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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2155 Stk.
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ST
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STW8N120K5
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TO247
 
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STW8N90K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW8N90K5 || STW8N90K5 STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
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STW8N90K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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600 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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STW9NK95Z STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STW9NK95Z || STW9NK95Z STMicroelectronics  
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ST
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STW9NK95Z
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STWA20N95K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STWA20N95K5 || STWA20N95K5 STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
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STWA20N95K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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600 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,6248
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Hersteller:
ST
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STWA20N95K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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600 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,6265
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STWA40N90K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STWA40N90K5 || STWA40N90K5 STMicroelectronics  
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ST
Hersteller-Teilenummer:
STWA40N90K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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420 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 8,5967
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Hersteller:
ST
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STWA40N90K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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690 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 8,6004
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STWA40N95DK5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STWA40N95DK5 || STWA40N95DK5 STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
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STWA40N95DK5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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410 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 9,1388
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STWA40N95K5 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STWA40N95K5 || STWA40N95K5 STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STWA40N95K5
Präzisionsgehäuse:
 
 
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600 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 9,7385
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STWA48N60DM2 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STWA48N60DM2 || STWA48N60DM2 STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STWA48N60DM2
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 5,1610
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STWA48N60M2 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STWA48N60M2 || STWA48N60M2 STMicroelectronics  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STWA48N60M2
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,8959
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STWA65N60DM6 Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STWA65N60DM6 || STWA65N60DM6 TO247
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STWA65N60DM6
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,4161
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30
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STY145N65M5 Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247
STY145N65M5 || STY145N65M5  
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STY145N65M5
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 25,7625
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30
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STY60NM50 N-MOSFET 60A 500V 560W
STY60NM50 || STY60NM50 TO247
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STY60NM50
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
110 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 7,4261
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30
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N-MOSFET
SUD08P06-155L-GE3 P-Channel 60V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
SUD08P06-155L-GE3 || SUD08P06-155L-GE3 TO252
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD08P06-155L-GE3
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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4000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3470
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2000
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SUD09P10-195-GE3 Vishay P-MOSFET 100V 8.8A 195mΩ 2.5W
SUD09P10-195-GE3 || SUD09P10-195-GE3 Vishay DPAK
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD09P10-195-GE3
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3715
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2000
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Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD09P10-195-GE3
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3979
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2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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SUD15N15-95-E3 || SUD15N15-95-E3  
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD15N15-95-E3
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8742
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2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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SUD19P06-60-E3 Single P-Channel MOSFET 60V 0.06Ohm SUD19P06-60GE3
SUD19P06-60-E3 || SUD19P06-60-E3 TO252
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD19P06-60-E3
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3288
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2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD19P06-60-E3
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4094
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
SUD20N10-66L-GE3 || SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix  
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD20N10-66L-GE3
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2647
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2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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SUD23N06-31-GE3 Single N-Channel MOSFET 60V 0.031 Ohm 100W
SUD23N06-31-GE3 || SUD23N06-31-GE3 TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD23N06-31-GE3
Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3182
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 31mOhm 9,1A 31,25W THT -55°C ~ 150°C TO252/3 (DPAK) VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD23N06-31-GE3
Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3748
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 20V 31mOhm 9,1A 31,25W THT -55°C ~ 150°C TO252/3 (DPAK) VISHAY
SUD25N15-52-E3 Vishay N-MOSFET 150V 25A 52mΩ 3W
SUD25N15-52-E3 || SUD25N15-52-E3 Vishay TO252
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD25N15-52-E3
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD25N15-52-E3
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 35A TO252
SUD35N10-26P-GE3 || SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix  
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUD35N10-26P-GE3
Präzisionsgehäuse:
 
 
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SUD40N08-16-E3 || SUD40N08-16-E3  
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.