Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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STW75N60M6
Trans MOSFET N-CH 600V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW75N60M6 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW75N60M6 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
596 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW75N60M6-4
Trans MOSFET N-CH 600V 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW75N60M6-4 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW75NF20
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 34mOhm; 75A; 190 W; -50 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW75NF20 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
1210 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 34mOhm | 75A | 190W | THT | -50°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW75NF20 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
6930 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 34mOhm | 75A | 190W | THT | -50°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW75NF20 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
6921 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 34mOhm | 75A | 190W | THT | -50°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW75NF30AG Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW77N65M5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW77N65M5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1290 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW77N65M5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
9410 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW77N65M5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW78N65M5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW78N65M5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
801 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW78N65M5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW7N105K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW7N105K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW7N105K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
675 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW7N90K5
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW7N90K5 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW7N90K5 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
1800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW88N65M5-4 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW88N65M5-4 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW8N120K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW8N120K5 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
2155 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW8N120K5 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
70 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW8N90K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW8N90K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STW9NK95Z STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW9NK95Z Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2490 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STWA20N95K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA20N95K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA20N95K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STWA40N90K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA40N90K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
420 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA40N90K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
690 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STWA40N95DK5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA40N95DK5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
410 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STWA40N95K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA40N95K5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STWA48N60DM2 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA48N60DM2 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STWA48N60M2 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA48N60M2 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STWA65N60DM6
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STWA65N60DM6 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STY145N65M5
Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STY145N65M5 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STY60NM50
N-MOSFET 60A 500V 560W
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STY60NM50 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
110 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
SUD08P06-155L-GE3
P-Channel 60V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD08P06-155L-GE3 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD09P10-195-GE3 Vishay
P-MOSFET 100V 8.8A 195mΩ 2.5W
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD09P10-195-GE3 Präzisionsgehäuse: DPAK |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD09P10-195-GE3 Präzisionsgehäuse: DPAK |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD15N15-95-E3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD19P06-60-E3
Single P-Channel MOSFET 60V 0.06Ohm SUD19P06-60GE3
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD19P06-60-E3 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD19P06-60-E3 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD20N10-66L-GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD23N06-31-GE3
Single N-Channel MOSFET 60V 0.031 Ohm 100W
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD23N06-31-GE3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 31mOhm | 9,1A | 31,25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252/3 (DPAK) | VISHAY | |||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD23N06-31-GE3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 31mOhm | 9,1A | 31,25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252/3 (DPAK) | VISHAY | |||||
SUD25N15-52-E3 Vishay
N-MOSFET 150V 25A 52mΩ 3W
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD25N15-52-E3 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD25N15-52-E3 Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD35N10-26P-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD35N10-26P-GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD40N08-16-E3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.