Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Gehäuse
Hersteller
ZXMN3A14FTA Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23
ZXMN3A14FTA || ZXMN3A14FTA SOT23-3
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMN3A14FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
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DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMN3A14FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
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ZXMN6A07FQTA DIODES N-MOSFET 60V 0.25A
ZXMN6A07FQTA || ZXMN6A07FQTA DIODES SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMN6A07FQTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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DIODES/ZETEX
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ZXMN6A07FQTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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ZXMN6A08GTA Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
ZXMN6A08GTA || ZXMN6A08GQTA || ZXMN6A08GTA SOT223-4
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMN6A08GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4
 
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N-MOSFET 60V 20V 80mOhm 5,3A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SAWSMD2.0x1.6 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZXMN6A08GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4
 
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N-MOSFET 60V 20V 80mOhm 5,3A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SAWSMD2.0x1.6 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZXMN6A08GQTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4
 
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N-MOSFET 60V 20V 80mOhm 5,3A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SAWSMD2.0x1.6 DIODES
ZXMP10A13FQTA P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω AEC-Q101 ZXMP10A13FQTC
ZXMP10A13FQTA || ZXMP10A13FQTA SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP10A13FQTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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P-MOSFET -100V 20V 1Ohm -0,7A 806mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP10A13FQTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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P-MOSFET -100V 20V 1Ohm -0,7A 806mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
ZXMP10A16KTC DIODES P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 285 mOhm; 4,6A; 9,76 W; -55 °C ~ 150 °C;
ZXMP10A16KTC || ZXMP10A16KTC DIODES TO252
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP10A16KTC
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
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P-MOSFET 100V 20V 285mOhm 4,6A 9,76W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Zetex
 
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DIODES/ZETEX
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ZXMP10A16KTC
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TO252
 
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P-MOSFET 100V 20V 285mOhm 4,6A 9,76W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Zetex
ZXMP10A18GTA Trans MOSFET P-CH 100V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
ZXMP10A18GTA || ZXMP10A18GTA SOT223-4
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZXMP10A18GTA
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SOT223-4
 
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DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP10A18GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223-4
 
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ZXMP10A18KTC P-MOSFET 3.8A 100V 2.17W 0.15Ω
ZXMP10A18KTC || ZXMP10A18KTC TO252 (DPACK)
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP10A18KTC
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TO252 (DPACK)
 
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P-MOSFET
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP10A18KTC
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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P-MOSFET
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP10A18KTC
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
 
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P-MOSFET
ZXMP3A13FTA DIODES Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
ZXMP3A13FTA || ZXMP3A13FTA DIODES SOT23-3
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZXMP3A13FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
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DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP3A13FTA
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SOT23-3
 
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP3A13FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
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ZXMP6A13FTA P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 600 mOhm; 1,1A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
ZXMP6A13FTA || ZXMP6A13FTA SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A13FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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537000 Stk.
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P-MOSFET 60V 20V 600mOhm 1,1A 806mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A13FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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P-MOSFET 60V 20V 600mOhm 1,1A 806mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A13FTA
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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171000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
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P-MOSFET 60V 20V 600mOhm 1,1A 806mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
ZXMP6A17E6TA P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 190 mOhm; 3A; 1,92 W; -55 °C ~ 150 °C;
ZXMP6A17E6TA || ZXMP6A17E6TA SOT23-6
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A17E6TA
Präzisionsgehäuse:
SOT23-6
 
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P-MOSFET 60V 20V 190mOhm 3A 1,92W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 DIODES
ZXMP6A17GTA Diodes P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 190 mOhm; 4,3A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
ZXMP6A17GTA || ZXMP6A17GTA Diodes SOT223
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A17GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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P-MOSFET 60V 20V 190mOhm 4,3A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A17GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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282000 Stk.
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Preis netto (EUR) 0,1972
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1000
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P-MOSFET 60V 20V 190mOhm 4,3A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 DIODES
ZXMP6A18DN8TA DIODES 2xP-MOSFET 60V 4.6A
ZXMP6A18DN8TA || ZXMP6A18DN8TA DIODES SOP08
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A18DN8TA
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
45500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4671
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Standard-Verpackung:
500
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A18DN8TA
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4759
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP6A18DN8TA
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
5500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5190
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500
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ZXMP7A17GTA P-MOSFET-Transistor; 70V; 20V; 250 mOhm; 3,7A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
ZXMP7A17GTA || ZXMP7A17GTA SOT223
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP7A17GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
38000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2803
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1000
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20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 70V 20V 250mOhm 3,7A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP7A17GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2907
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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P-MOSFET 70V 20V 250mOhm 3,7A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMP7A17GTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
63000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2883
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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P-MOSFET 70V 20V 250mOhm 3,7A 3,9W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 DIODES
ZXMS6004SGTA N-MOSFET 1.3A 60V 1W 0.5Ω
ZXMS6004SGTA || ZXMS6004SGTA SOT223
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMS6004SGTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
80000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3160
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMS6004SGTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3270
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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N-MOSFET
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMS6004SGTA
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
7000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3345
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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N-MOSFET
BSC009NE2LS5ATMA1 Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP
BSC009NE2LS5ATMA1 || BSC009NE2LS5ATMA1  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC009NE2LS5ATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5045
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
BSC256N10LSFGATMA1 Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP
BSC265N10LSFGATMA1 || BSC256N10LSFGATMA1  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSC265N10LSFGATMA1
Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2889
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
DI006P02PW DComponents MOSFET, -20V, -6A, P, 2W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DI006P02PW || DI006P02PW DComponents  
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
DI006P02PW
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
3980 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2594
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
DI010N03PW DComponents MOSFET, 30V, 10A, N, 1.4W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DI010N03PW || DI010N03PW DComponents  
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
DI010N03PW
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
3980 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0966
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
DI035N10PT DComponents MOSFET, 100V, 35A, N, 25W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DI035N10PT || DI035N10PT DComponents  
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
DI035N10PT
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
3256 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2816
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
DMN1019UFDE-7 Diodes N-MOSFET 12V 11A 10mΩ 690mW
DMN1019UFDE-7 || DMN1019UFDE-7 Diodes uDFN06
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
DMN1019UFDE-7
Präzisionsgehäuse:
uDFN06
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1569
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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20 Euro überschreiten.
IPZ40N04S55R4ATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
IPZ40N04S55R4ATMA1 || IPZ40N04S55R4ATMA1 INFINEON  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IPZ40N04S55R4ATMA1
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2842
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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20 Euro überschreiten.
IRF40R207 Trans MOSFET N-CH Si 90V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IRF40R207 || IRF40R207  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRF40R207
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2146
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
IRF9Z14PBF P-MOSFET 6,7A 60V IRF9Z14 IRF9Z14PBF
IRF9Z14PBF || IRF9Z14PBF  
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
IRF9Z14PBF
Präzisionsgehäuse:
TO220AB
 
Externes Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2600
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Standard-Verpackung:
50
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Der Mindestbestellwert muss
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IRFH5020 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 55mOhm; 5.1A; 3,6 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFH5020TRPBF;
IRFH5020TRPBF || IRFH5020  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRFH5020TRPBF
Präzisionsgehäuse:
PQFN08 (6x5mm)
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5468
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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N-MOSFET 200V 10V 20V 55mOhm 5,1A 3,6W SMD -55°C ~ 150°C PQFN08 (6x5mm) INFINEON
IRLH5030 Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP IRLH5030TRPBF
IRLH5030TRPBF || IRLH5030  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IRLH5030TRPBF
Präzisionsgehäuse:
PQFN08 (6x5mm)
 
Externes Lager:
8000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7812
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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MMBFJ113 N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
MMBFJ113 || MMBFJ113 SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MMBFJ113
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0768
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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N-JFET 35V 35V 100Ohm 2mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ270 ON Semiconductor Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
MMBFJ270 || MMBFJ270 ON Semiconductor  
Hersteller:
Fairchild
Hersteller-Teilenummer:
MMBFJ270
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1280
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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MUN2212T1G ONSemiconductors NPN 50V 100mA 246mW
MUN2212T1G || MUN2212T1G ONSemiconductors SOT23-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
MUN2212T1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
33000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0173
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
SISS05DN-T1-GE3 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,8mOhm; 108A; 65,7W; -55°C ~ 150°C;
SISS05DN-T1-GE3 || SISS05DN-T1-GE3 PPAK1212
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SISS05DN-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
PPAK1212
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5310
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 5,8mOhm 108A 65,7W SMD -55°C ~ 150°C PPAK1212 VISHAY
DMP3010LPS-13 P-MOSFET 36A 30V 58.7W 0.0075Ω
DMP3010LPS-13 || DMP3010LPS-13 POWERDI5060-8
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
DMP3010LPS-13
Präzisionsgehäuse:
POWERDI5060-8
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3322
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.