Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Montage
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMN3A14FTA
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN3A14FTA Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN3A14FTA Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
ZXMN6A07FQTA DIODES
N-MOSFET 60V 0.25A
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FQTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
123000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A07FQTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
ZXMN6A08GTA
Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A08GTA Präzisionsgehäuse: SOT223-4 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 80mOhm | 5,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SAWSMD2.0x1.6 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A08GTA Präzisionsgehäuse: SOT223-4 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 80mOhm | 5,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SAWSMD2.0x1.6 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMN6A08GQTA Präzisionsgehäuse: SOT223-4 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 80mOhm | 5,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SAWSMD2.0x1.6 | DIODES | |||||
ZXMP10A13FQTA
P-MOSFET 0.7A 100V 625mW 1Ω AEC-Q101 ZXMP10A13FQTC
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FQTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
96000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | -100V | 20V | 1Ohm | -0,7A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A13FQTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | -100V | 20V | 1Ohm | -0,7A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
ZXMP10A16KTC DIODES
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 285 mOhm; 4,6A; 9,76 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A16KTC Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
40000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 285mOhm | 4,6A | 9,76W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Zetex | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A16KTC Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
2500 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 285mOhm | 4,6A | 9,76W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Zetex | |||||
ZXMP10A18GTA
Trans MOSFET P-CH 100V 3.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A18GTA Präzisionsgehäuse: SOT223-4 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A18GTA Präzisionsgehäuse: SOT223-4 |
Externes Lager:
1000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
ZXMP10A18KTC
P-MOSFET 3.8A 100V 2.17W 0.15Ω
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A18KTC Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
10000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A18KTC Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
28500 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP10A18KTC Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
5000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
ZXMP3A13FTA DIODES
Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP3A13FTA Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP3A13FTA Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP3A13FTA Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
54000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
ZXMP6A13FTA
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 600 mOhm; 1,1A; 806 mW; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13FTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
537000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 600mOhm | 1,1A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13FTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
96000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 600mOhm | 1,1A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A13FTA Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
171000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 600mOhm | 1,1A | 806mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||
ZXMP6A17E6TA
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 190 mOhm; 3A; 1,92 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A17E6TA Präzisionsgehäuse: SOT23-6 |
Externes Lager:
69000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 3A | 1,92W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | DIODES | |||||
ZXMP6A17GTA Diodes
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 190 mOhm; 4,3A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A17GTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
72000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 4,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A17GTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
282000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 4,3A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
ZXMP6A18DN8TA DIODES
2xP-MOSFET 60V 4.6A
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A18DN8TA Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
45500 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A18DN8TA Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
1500 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP6A18DN8TA Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
5500 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
ZXMP7A17GTA
P-MOSFET-Transistor; 70V; 20V; 250 mOhm; 3,7A; 3,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP7A17GTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
38000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 70V | 20V | 250mOhm | 3,7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP7A17GTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 70V | 20V | 250mOhm | 3,7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMP7A17GTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
63000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 70V | 20V | 250mOhm | 3,7A | 3,9W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | DIODES | |||||
ZXMS6004SGTA
N-MOSFET 1.3A 60V 1W 0.5Ω
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMS6004SGTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
80000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMS6004SGTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
1000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZXMS6004SGTA Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
7000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | ||||||||||||||
BSC009NE2LS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC009NE2LS5ATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
BSC256N10LSFGATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC265N10LSFGATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON-8 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
DI006P02PW DComponents
MOSFET, -20V, -6A, P, 2W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: DI006P02PW Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3980 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
DI010N03PW DComponents
MOSFET, 30V, 10A, N, 1.4W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: DI010N03PW Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3980 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
DI035N10PT DComponents
MOSFET, 100V, 35A, N, 25W Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: DI035N10PT Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
3256 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 Diodes
N-MOSFET 12V 11A 10mΩ 690mW
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMN1019UFDE-7 Präzisionsgehäuse: uDFN06 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
IPZ40N04S55R4ATMA1 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPZ40N04S55R4ATMA1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
5000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
IRF40R207
Trans MOSFET N-CH Si 90V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF40R207 Präzisionsgehäuse: DPAK |
Externes Lager:
2000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
IRF9Z14PBF
P-MOSFET 6,7A 60V IRF9Z14 IRF9Z14PBF
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9Z14PBF Präzisionsgehäuse: TO220AB |
Externes Lager:
500 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
IRFH5020
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 55mOhm; 5.1A; 3,6 W; -55°C~150°C; Äquivalent: IRFH5020TRPBF;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFH5020TRPBF Präzisionsgehäuse: PQFN08 (6x5mm) |
Externes Lager:
4000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 20V | 55mOhm | 5,1A | 3,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | INFINEON | ||||
IRLH5030
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP IRLH5030TRPBF
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLH5030TRPBF Präzisionsgehäuse: PQFN08 (6x5mm) |
Externes Lager:
8000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
MMBFJ113
N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ113 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-JFET | 35V | 35V | 100Ohm | 2mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||
MMBFJ270 ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: MMBFJ270 Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
MUN2212T1G ONSemiconductors
NPN 50V 100mA 246mW
|
||||||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN2212T1G Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
33000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
|||||||||||||||
SISS05DN-T1-GE3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,8mOhm; 108A; 65,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SISS05DN-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: PPAK1212 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 5,8mOhm | 108A | 65,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | |||||
DMP3010LPS-13
P-MOSFET 36A 30V 58.7W 0.0075Ω
|
||||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: DMP3010LPS-13 Präzisionsgehäuse: POWERDI5060-8 |
Externes Lager:
2500 Stk. |
|||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.