Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

1    159  160  161  162  163  164  165  166  167    183
Produkt Warenkorb
Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
G3035L MOSFET-Transistor; SOT-23-3L; P-Channel; NO ESD; -30V; -4,1A; 1,4 W; -1,5 V; 48 m?; 60 m? AO3407; DMP3056L; G3035 GOFORD
G3035L SOT23-3
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
KO3407 SOT23 KEXIN ODPOWIEDNIK: AO3407; DMP3056L; G3035 GOFORD; KO3407; YJL3407C;
KO3407 SOT23 KEXIN SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3407 SOT-23 XBLW ODPOWIEDNIK: KO3407; YJL3407C; AO3407;
AO3407 SOT-23 XBLW SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO3407A P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3407A SOT23
  P-MOSFET 30V 20V 87mOhm 4,1A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO3407A SOT-23 MOSFETs ROHS
AO3407A SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO3409A P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3409A SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
P-MOSFET 30V 20V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3413A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 80mOhm; 3A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3413 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3413A SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
P-MOSFET 20V 8V 80mOhm 3A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3414A N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 57mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3414 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3414A SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
N-MOSFET 20V 8V 57mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3415A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3415A SOT23
  P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO3416A N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 51mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3416 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3416A SOT23
  N-MOSFET 20V 8V 51mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
G2312 MOSFET-Transistor; SOT-23; N-Channel; NO ESD; 20V; 5A; 1,25 W; 0,7; V; 12m?; 13m? AO3420; DMG3414U
G2312 SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO3422 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 12V; 210mOhm; 2,1A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3422 SOT23
  N-MOSFET 55V 12V 210mOhm 2,1A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO3423A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 150 mOhm; 2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3423 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3423A SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
P-MOSFET 20V 12V 150mOhm 2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3442A N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 1A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3442 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3442A SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
N-MOSFET 100V 20V 1,2Ohm 1A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
4435 MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -30V; -11A; 2,5 W; -1,4 V; 12m?; 18m? AO4435; DMG4435SSS
4435 SOP08
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO4485 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 15mOhm; 10A; 3,1 W; -55°C~150°C;
AO4485 SOIC08
  MOSFET 40V 10V 20V 15mOhm 10A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 ALPHA&OMEGA
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO4629 N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4629 SOP08
  N/P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
G170P03S2 MOSFET-Transistor; SOP-8; DUAL; P+P-Channel; NO ESD; -30V; -9A; 1,4 W; -1,4 V; 15 m?; 20m? AO4805; AO4813
G170P03S2 SOP08
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO4832 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AO4832 SOP08
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO6602 N/P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 77mOhm/170mOhm; 3,5 A/2,7 A; 1,15 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO6602G;
AO6602 TSOP06
  N/P-MOSFET 30V 20V 170mOhm 3,5A 1,15W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 ALPHA&OMEGA
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AO7401 Trans MOSFET P-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70
AO7401 SC70-3
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AOB240L Trans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
AOB240L D2PAK
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AOB2500L N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 12,3 mOhm; 152A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;
AOB2500L TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 150V 20V 12,3Ohm 152A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) ALPHA&OMEGA
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AOB260L Trans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
AOB260L D2PAK
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
18N20-252 Tranzystor MOSFET; N-Channel; TO252-2(DPAK); 200V; 18A; 65.8W; 160m?@10V,9A; 3V@250uA AOD2210;
18N20-252 TO252
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AOD2N60A Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
AOD2N60A  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AOK40B65M3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
AOK40B65M3 TO247
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AOK60B65H2AL Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
AOK60B65H2AL TO247
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
G66 MOSFET-Transistor; DFN2*2-6L; P-Channel; NO ESD; -16V; -5,8A; 1,7 W; -0,7V; ; 32m?~45m?; AON2403; 1216D2 GOFORD; G69A GOFORD
G66 DFN06
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
G12P03D3 MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; P-Channel; NO ESD; -30V; -12A; 3W; -1,6 V; 17 m?; 24,5 m? AON3419
G12P03D3 DFN08(3x3)
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
1    159  160  161  162  163  164  165  166  167    183

Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.