Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
BSC010N04LS6 N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,4 mOhm; 285A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC010N04LS6ATMA1;
BSC010N04LS6 TDSON08
  N-MOSFET 40V 20V 1,4mOhm 285A 150W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
 
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BSC011N03LS Infineon N-MOSFET 30V 100A 1.1mΩ BSC011N03LSTATMA1
BSC011N03LS Infineon TDSON08
 
 
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BSC014N03MS INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 1,75 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC014N03MSGATMA1;
BSC014N03MS INFINEON TDSON-8
  N-MOSFET 30V 20V 1,75mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
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BSC014NE2LSI N-MOSFET 100A 25V 74W 0.0014Ω
BSC014NE2LSI TDSON08
  N-MOSFET
 
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BSC020N03LSG Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP BSC020N03LSGATMA2 BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGXT
BSC020N03LSG TDSON08
 
 
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BSC022N04LS Trans MOSFET N-CH 40V 25A BSC022N04LSATMA1;
BSC022N04LS TDSON-8
 
 
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BSC027N10NS5 Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP BSC027N10NS5ATMA1
BSC027N10NS5 PowerTDFN8(5x6)
 
 
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BSC084P03NS3EGATMA1 INFINEON Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP
BSC084P03NS3EGATMA1 INFINEON TDSON-8
 
 
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BSC084P03NS3GATMA1 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 14mOhm; 14,9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
BSC084P03NS3GATMA1 TDSON08
  P-MOSFET 30V 25V 14mOhm 14,9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
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BSC093N15NS5ATMA1 Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP
BSC093N15NS5ATMA1 TDSON-8
 
 
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BSL205NH6327 Infineon 2N-MOSFET 20V 2.5A 50mΩ 500mW BSL205NH6327XTSA1
BSL205NH6327 Infineon TSOP06
 
 
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LBSS123LT1G SOT23 LRC N-Channel 100V 170mA 2V @ 1mA 6? @ 100mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET
LBSS123LT1G SOT23 LRC SOT23
 
 
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BSS123 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 UMW SOT23
  N-MOSFET 100V 20V 10Ohm 170mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
 
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BSS123K-TP Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
BSS123K-TP SOT23
 
 
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BSS123W 100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF
BSS123W SOT323
  N-MOSFET 100V 3Ohm 200mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
 
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BSS126 SOT-23 MOSFETs ROHS
BSS126 SOT23
 
 
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BSS138LT1G-MS SOT23 MSKSEMI SOT23
 
 
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BSS138BK SOT23-3 SOT23
 
 
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BSS138BKS SOT363
 
 
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BKS138BKW SOT323
 
 
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BSS83P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
BSS83P SOT23
 
 
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BSS83PH6327-HXY SOT23 HXY MOSFET P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
BSS83PH6327-HXY SOT23 HXY MOSFET SOT23
 
 
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BSS84 SOT23 LGE Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
BSS84 SOT23 LGE SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-08-20
Anzahl der Stücke: 12000
                     
BSS84 MLCCBASE P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 MLCCBASE SOT23
  P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MLCCBASE
 
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BSS84A-TP Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23
BSS84A-TP SOT23
 
 
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BSS84 SOT323 DIOTEC P-MOSFET 50V 0.13A BSS84PW H6327XT, BSS84PWL6327XT (60V 0.15A), BSS84W-7-F BSS84PW H6327
BSS84 SOT323   DIOTEC SOT323
  P-MOSFET
 
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BSS84PW SOT323
 
 
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BSS84PW SOT323
 
 
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BSS84T116 PCH -60V -0.23A SMALL SIGNAL MOS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
BSS84T116 SOT23-3
 
 
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BSS84XHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-W
BSS84XHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM DFN1010-3W
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.