Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Gehäuse
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Hersteller
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BSC010N04LS6
N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,4 mOhm; 285A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC010N04LS6ATMA1;
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N-MOSFET | 40V | 20V | 1,4mOhm | 285A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TDSON08 | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC011N03LS Infineon
N-MOSFET 30V 100A 1.1mΩ BSC011N03LSTATMA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC014N03MS INFINEON
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 1,75 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC014N03MSGATMA1;
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N-MOSFET | 30V | 20V | 1,75mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC014NE2LSI
N-MOSFET 100A 25V 74W 0.0014Ω
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N-MOSFET | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC020N03LSG
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP BSC020N03LSGATMA2 BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGXT
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC022N04LS
Trans MOSFET N-CH 40V 25A BSC022N04LSATMA1;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC027N10NS5
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP BSC027N10NS5ATMA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC084P03NS3EGATMA1 INFINEON
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC084P03NS3GATMA1
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 14mOhm; 14,9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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P-MOSFET | 30V | 25V | 14mOhm | 14,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSC093N15NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 87A 8-Pin TDSON EP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSL205NH6327 Infineon
2N-MOSFET 20V 2.5A 50mΩ 500mW BSL205NH6327XTSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LBSS123LT1G SOT23 LRC
N-Channel 100V 170mA 2V @ 1mA 6? @ 100mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS123 UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS123K-TP
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS123W
100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF
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N-MOSFET | 100V | 3Ohm | 200mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS126
SOT-23 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS83P
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS83PH6327-HXY SOT23 HXY MOSFET
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS84 SOT23 LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-08-20
Anzahl der Stücke: 12000
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BSS84 MLCCBASE
P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84.215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
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P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS84A-TP
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS84 SOT323 DIOTEC
P-MOSFET 50V 0.13A BSS84PW H6327XT, BSS84PWL6327XT (60V 0.15A), BSS84W-7-F BSS84PW H6327
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P-MOSFET | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS84T116
PCH -60V -0.23A SMALL SIGNAL MOS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSS84XHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin DFN-W
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.