Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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FDMT80080DC
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP
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Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDMT80080DC Präzisionsgehäuse: QFN-08 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IPL65R230C7AUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 230mOhm; 10A; 67W; -40°C~150°C;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPL65R230C7AUMA1 Präzisionsgehäuse: VSON04 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 230mOhm | 10A | 67W | SMD | -40°C ~ 150°C | VSON04 | INFINEON | |||||
IPN80R2K4P7ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; +/-20V; 2,4Ohm; 2,4A; 6,3W; -55°C~150°C;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN80R2K4P7ATMA1 Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
27000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 2,4Ohm | 2,4A | 6,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | |||||
IPP50R280CEXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 280mOhm; 13A; 92W; -55°C~150°C;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP50R280CEXKSA1 Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 500V | 13V | 20V | 280mOhm | 13A | 92W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | INFINEON | ||||
IPT029N08N5ATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,9mOhm; 52A; 168W; -55°C~175°C;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPT029N08N5ATMA1 Präzisionsgehäuse: HSOF8 |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 80V | 6V | 20V | 2,9mOhm | 52A | 168W | SMD | -55°C ~ 175°C | HSOF8 | INFINEON | ||||
IPU80R900P7AKMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 900mOhm; 6A; 45W; -55°C~150°C;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPU80R900P7AKMA1 Präzisionsgehäuse: TO251 (IPACK) |
Externes Lager:
1500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 800V | 10V | 20V | 900mOhm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | INFINEON | ||||
STB100N10F7
N-channel 100 V 0.0068 Ohm Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB100N10F7 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB100N10F7 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STB100N10F7 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
895 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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STF100N6F7
Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STF100N6F7 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
950 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STF100N6F7 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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BSC12DN20NS3G INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; +/-20V; 125mOhm; 11,3A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSC12DN20NS3GATMA1;
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC12DN20NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse: TDSON08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 200V | 10V | 20V | 125mOhm | 11,3A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | INFINEON | ||||
IPW65R080CFDA
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 IPW65R080CFDAFKSA1
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW65R080CFDAFKSA1 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
480 Stk. |
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Standard-Verpackung: 240 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IPD50N06S4L12ATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD50N06S4L12ATMA2 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IPA040N06NXKSA1
Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA040N06NXKSA1 Präzisionsgehäuse: TO220FP |
Externes Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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IPB065N15N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
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Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB065N15N3GATMA1 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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LM1012T SOT523 LEIDITECH
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: DMG1012T-7, RE1C002UNTCL;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LMTL2N02 SOT23 LEIDITECH
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: IRLML2502PBF; Si2302CDS-T1-E3; FDN327N; FDN337N;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
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SE3401 SOT23 LEIDITECH
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: IRLML5203PBF; AO3401A; IRLML5203TR; IRLML5203TRPBF; SQ2303ES; NVTR4502P; IRLML9303; STR2P3LLH6; DMP3099L-7; DMG3401LSN-7;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
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DI040N03PT DIOTEC SEMICONDUCTOR
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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CMF75NF75 TO220F CMOS
.ZMIENIĆ NA SYMBOL -FP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT700P08D3
MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; P-Channel; NO ESD; -80V; -16A; 69W; -2,5 V; 57m?
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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03N06
N-Channel 60V 3A 1.4V @ 250uA 105m? @ 3A,10V 1.7W SOT-23-3L MOSFET FDN5632N-F085; Si2308CDS; 03N06L SOT23-3L GOFORD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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20N06
N-MOSFET 20A 60V 40W 0.037Ω TO-252 SUD23N06-31; IPD350N06L G
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N-MOSFET | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2302
N-MOSFET 4.3A 20V 1W 0.27Ω SOT-23 SI2302; AO3420
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N-MOSFET | ||||||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2N6039G ONS
Darlington NPN-Transistor 80V 4A
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2N6040G
Trans Darlington PNP 60V 8A 75W
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PNP | 8A | 75W | THT | -65°C ~ 150°C | TO220 | ONSEMI | ||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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2N7002 SOT23 CJ
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.