Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Hersteller
FDMT80080DC Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP
FDMT80080DC || FDMT80080DC QFN-08
Hersteller:
Fairchild
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FDMT80080DC
Präzisionsgehäuse:
QFN-08
 
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IPL65R230C7AUMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 230mOhm; 10A; 67W; -40°C~150°C;
IPL65R230C7AUMA1 || IPL65R230C7AUMA1 VSON04
Hersteller:
Infineon
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IPL65R230C7AUMA1
Präzisionsgehäuse:
VSON04
 
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N-MOSFET 650V 20V 230mOhm 10A 67W SMD -40°C ~ 150°C VSON04 INFINEON
IPN80R2K4P7ATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; +/-20V; 2,4Ohm; 2,4A; 6,3W; -55°C~150°C;
IPN80R2K4P7ATMA1 || IPN80R2K4P7ATMA1 SOT223
Hersteller:
Infineon
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IPN80R2K4P7ATMA1
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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N-MOSFET 800V 20V 2,4Ohm 2,4A 6,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 INFINEON
IPP50R280CEXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 280mOhm; 13A; 92W; -55°C~150°C;
IPP50R280CEXKSA1 || IPP50R280CEXKSA1 TO220
Hersteller:
Infineon
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IPP50R280CEXKSA1
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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N-MOSFET 500V 13V 20V 280mOhm 13A 92W THT -55°C ~ 150°C TO220 INFINEON
IPT029N08N5ATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 2,9mOhm; 52A; 168W; -55°C~175°C;
IPT029N08N5ATMA1 || IPT029N08N5ATMA1 HSOF8
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Infineon
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IPT029N08N5ATMA1
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HSOF8
 
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N-MOSFET 80V 6V 20V 2,9mOhm 52A 168W SMD -55°C ~ 175°C HSOF8 INFINEON
IPU80R900P7AKMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 900mOhm; 6A; 45W; -55°C~150°C;
IPU80R900P7AKMA1 || IPU80R900P7AKMA1 TO251 (IPACK)
Hersteller:
Infineon
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IPU80R900P7AKMA1
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TO251 (IPACK)
 
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N-MOSFET 800V 10V 20V 900mOhm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) INFINEON
STB100N10F7 N-channel 100 V 0.0068 Ohm Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
STB100N10F7 || STB100N10F7  
Hersteller:
ST
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STB100N10F7
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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ST
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STB100N10F7
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D2PAK
 
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ST
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STB100N10F7
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D2PAK
 
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STF100N6F7 Trans MOSFET N-CH 60V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
STF100N6F7 || STF100N6F7  
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ST
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STF100N6F7
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ST
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STF100N6F7
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BSC12DN20NS3G INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; +/-20V; 125mOhm; 11,3A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSC12DN20NS3GATMA1;
BSC12DN20NS3GATMA1 || BSC12DN20NS3G INFINEON TDSON08
Hersteller:
Infineon
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BSC12DN20NS3GATMA1
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TDSON08
 
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N-MOSFET 200V 10V 20V 125mOhm 11,3A 50W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 INFINEON
IPW65R080CFDA Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 IPW65R080CFDAFKSA1
IPW65R080CFDAFKSA1 || IPW65R080CFDA  
Hersteller:
Infineon
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IPW65R080CFDAFKSA1
Präzisionsgehäuse:
 
 
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IPD50N06S4L12ATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
IPD50N06S4L12ATMA2 || IPD50N06S4L12ATMA1  
Hersteller:
Infineon
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IPD50N06S4L12ATMA2
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IPA040N06NXKSA1 Trans MOSFET N-CH 60V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IPA040N06NXKSA1 || IPA040N06NXKSA1  
Hersteller:
Infineon
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IPA040N06NXKSA1
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TO220FP
 
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IPB065N15N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
IPB065N15N3GATMA1 || IPB065N15N3GATMA1  
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
IPB065N15N3GATMA1
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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LM1012T SOT523 LEIDITECH Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 800mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: DMG1012T-7, RE1C002UNTCL;
LM1012T SOT523 LEIDITECH SOT523
 
 
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LMTL2N02 SOT23 LEIDITECH Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: IRLML2502PBF; Si2302CDS-T1-E3; FDN327N; FDN337N;
LMTL2N02 SOT23 LEIDITECH SOT23
                         
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SE3401 SOT23 LEIDITECH Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: IRLML5203PBF; AO3401A; IRLML5203TR; IRLML5203TRPBF; SQ2303ES; NVTR4502P; IRLML9303; STR2P3LLH6; DMP3099L-7; DMG3401LSN-7;
SE3401 SOT23 LEIDITECH SOT23
                         
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SOT23
                         
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SOT523
                         
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DI040N03PT DIOTEC SEMICONDUCTOR Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 40A; Idm: 120A; 25W; QFN3X3
DI040N03PT DIOTEC SEMICONDUCTOR  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML2244 SOT23
 
 
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CMF75NF75 TO220F CMOS .ZMIENIĆ NA SYMBOL -FP
CMF75NF75 TO220F CMOS TO220F
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
CMB75NF75 TO263 CMOS TO263
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
GT700P08D3 MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; P-Channel; NO ESD; -80V; -16A; 69W; -2,5 V; 57m?
GT700P08D3 DFN08(3x3)
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
03N06 N-Channel 60V 3A 1.4V @ 250uA 105m? @ 3A,10V 1.7W SOT-23-3L MOSFET FDN5632N-F085; Si2308CDS; 03N06L SOT23-3L GOFORD;
03N06 SOT23-3
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
20N06 N-MOSFET 20A 60V 40W 0.037Ω TO-252 SUD23N06-31; IPD350N06L G
20N06 TO252
  N-MOSFET
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
2302 N-MOSFET 4.3A 20V 1W 0.27Ω SOT-23 SI2302; AO3420
2302 SOT23
  N-MOSFET
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
2N6039G ONS Darlington NPN-Transistor 80V 4A
2N6039G ONS TO225 (=TO126-3)
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
2N6040G Trans Darlington PNP 60V 8A 75W
2N6040G TO220
  PNP 8A 75W THT -65°C ~ 150°C TO220 ONSEMI
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
2N7000 TO92(BULK) TO92
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
2N7002 SOT23 CJ N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002 SOT23 CJ SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.