Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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SUD50N04-8M8P-4GE3 Single N-Channel MOSFET 40V 0.0088 Ohm 48.1W
SUD50N04-8M8P-4GE3 || SUD50N04-8M8P-4GE3 TO252/3 (DPAK)
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-
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SUD50N04-8M8P-4GE3
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TO252/3 (DPAK)
 
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Vishay
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SUD50N04-8M8P-4GE3
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TO252/3 (DPAK)
 
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Vishay
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SUD50N04-8M8P-4GE3
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TO252/3 (DPAK)
 
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SUD50P04-08-GE3 P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 11,7 mOhm; 50A; 73,5 W; -55 °C ~ 150 °C; SUD50P04-08-BE3
SUD50P04-08-GE3 || SUD50P04-08-GE3 TO252 (DPACK)
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Vishay
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SUD50P04-08-GE3
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TO252 (DPACK)
 
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P-MOSFET 40V 20V 11,7mOhm 50A 73,5W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) VISHAY
 
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Vishay
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SUD50P04-08-GE3
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TO252 (DPACK)
 
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P-MOSFET 40V 20V 11,7mOhm 50A 73,5W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) VISHAY
SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
SUD50P06-15-GE3 || SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SUD50P06-15-GE3
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SUD50P06-15L-E3 P-MOSFET -50A -60V 0.012Ohm -10V -3V SUD50P06-15L-GE3
SUD50P06-15L-E3 || SUD50P06-15L-E3 TO252/3 (DPAK)
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Vishay
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SUD50P06-15L-E3
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TO252/3 (DPAK)
 
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TO252/3 (DPAK)
 
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SUD50P08-25L-E3 P-MOSFET 80V 50A 8.3W 136W
SUD50P08-25L-E3 || SUD50P08-25L-E3 TO252/3 (DPAK)
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Vishay
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SUD50P08-25L-E3
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TO252/3 (DPAK)
 
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SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
SUD70090E-GE3 || SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SUD70090E-GE3
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SUD90330E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
SUD90330E-GE3 || SUD90330E-GE3 Vishay Siliconix  
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Vishay
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SUD90330E-GE3
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SUD90330E-GE3
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SUM110P04-04L-E3 Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SUM110P04-04L-E3 || SUM110P04-04L-E3 D2PAK
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Vishay
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SUM110P04-04L-E3
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D2PAK
 
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SUM110P06-08L-E3 Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SUM110P06-08L-E3 || SUM110P06-08L-E3 D2PAK
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Vishay
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SUM110P06-08L-E3
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D2PAK
 
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-
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SUM110P06-08L-E3
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D2PAK
 
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Vishay
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SUM110P06-08L-E3
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D2PAK
 
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SUM110P08-11L P-MOSFET 110A 80V 375W 0.0111Ω
SUM110P08-11L-E3 || SUM110P08-11L TO263 (D2PAK)
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Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUM110P08-11L-E3
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TO263 (D2PAK)
 
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P-MOSFET
SUM60N10-17-E3 Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SUM60N10-17-E3 || SUM60N10-17-E3 D2PAK
Hersteller:
-
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SUM60N10-17-E3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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SUM65N20-30-E3 Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SUM65N20-30-E3 || SUM65N20-30-E3 D2PAK
Hersteller:
Vishay
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SUM65N20-30-E3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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SUM70101EL-GE3 Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SUM70101EL-GE3 || SUM70101EL-GE3 D2PAK
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUM70101EL-GE3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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18289 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1933
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SUM85N15-19-E3 Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SUM85N15-19-E3 || SUM85N15-19-E3 D2PAK
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
SUM85N15-19-E3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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1600 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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SUM90330E-GE3 Trans MOSFET N-CH 200V 35.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SUM90330E-GE3 || SUM90330E-GE3 D2PAK
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUM90330E-GE3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
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1600 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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800
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Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUM90330E-GE3
Präzisionsgehäuse:
D2PAK
 
Externes Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7136
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800
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SUP85N10-10-E3 Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SUP85N10-10-E3 || SUP85N10-10-E3 TO220
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUP85N10-10-E3
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2975
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50
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TK090E65Z,S1X(S PWR-MOSFET N-CHANNEL
TK090E65Z,S1X(S || TK090E65Z,S1X(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK090E65Z,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,7322
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50
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TK090N65Z,S1F PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TK090N65Z,S1F(S || TK090N65Z,S1F  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK090N65Z,S1F(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1624
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30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK100A06N1,S4X(S Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
TK100A06N1,S4X(S || TK100A06N1,S4X(S TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK100A06N1,S4X(S
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Externes Lager:
750 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0200
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK100A10N1,S4X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
TK100A10N1,S4X(S || TK100A10N1,S4X(S TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK100A10N1,S4X(S
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Externes Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,5755
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
TK100E10N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK100E10N1,S1X(S || TK100E10N1,S1X(S TO220
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK100E10N1,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
5200 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7525
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK100E10N1,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Externes Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0564
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK10A60W,S4VX(M || TK10A60W,S4VX(M  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK10A60W,S4VX(M
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
400 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8788
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK12A60W,S4VX(M || TK12A60W,S4VX(M  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK12A60W,S4VX(M
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
700 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0079
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK14A65W,S5X(M Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS TK14A65W
TK14A65W,S5X(M || TK14A65W,S5X(M TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK14A65W,S5X(M
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Externes Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3449
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK14G65W,RQ(S Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A
TK14G65W,RQ(S || TK14G65W,RQ(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK14G65W,RQ(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
19000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,4101
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK15A20D,S4X(S PWR-MOSFET N-CHANNEL
TK15A20D,S4X(S || TK15A20D,S4X(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK15A20D,S4X(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
107050 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4705
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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TK16E60W,S1VX(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK16E60W,S1VX(S || TK16E60W,S1VX(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK16E60W,S1VX(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2139
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK16V60W,LVQ(S Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 5-Pin DFN EP
TK16V60W,LVQ(S || TK16V60W,LVQ(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK16V60W,LVQ(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
50000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2750
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
TK20N60W,S1VF(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
TK20N60W,S1VF(S || TK20N60W,S1VF(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK20N60W,S1VF(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,7122
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30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TK20P04M1,RQ(S Trans MOSFET N-CH Si 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TK20P04M1,RQ(S || TK20P04M1,RQ(S  
Hersteller:
Toshiba
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TK20P04M1,RQ(S
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.