Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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SUD50N04-8M8P-4GE3
Single N-Channel MOSFET 40V 0.0088 Ohm 48.1W
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Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SUD50N04-8M8P-4GE3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50N04-8M8P-4GE3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
5000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50N04-8M8P-4GE3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
20000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD50P04-08-GE3
P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 11,7 mOhm; 50A; 73,5 W; -55 °C ~ 150 °C; SUD50P04-08-BE3
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P04-08-GE3 Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 11,7mOhm | 50A | 73,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P04-08-GE3 Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Externes Lager:
22000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 11,7mOhm | 50A | 73,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||
SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P06-15-GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
16000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P06-15-GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD50P06-15L-E3
P-MOSFET -50A -60V 0.012Ohm -10V -3V SUD50P06-15L-GE3
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P06-15L-E3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P06-15L-E3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
28000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD50P08-25L-E3
P-MOSFET 80V 50A 8.3W 136W
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD50P08-25L-E3 Präzisionsgehäuse: TO252/3 (DPAK) |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD70090E-GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUD90330E-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD90330E-GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUD90330E-GE3 Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
16000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUM110P04-04L-E3
Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P04-04L-E3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUM110P06-08L-E3
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
2400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
6400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-08L-E3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
2400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUM110P08-11L
P-MOSFET 110A 80V 375W 0.0111Ω
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P08-11L-E3 Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
1600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
SUM60N10-17-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SUM60N10-17-E3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUM65N20-30-E3
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM65N20-30-E3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUM70101EL-GE3
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM70101EL-GE3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
18289 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUM85N15-19-E3
Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SUM85N15-19-E3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUM90330E-GE3
Trans MOSFET N-CH 200V 35.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM90330E-GE3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
1600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM90330E-GE3 Präzisionsgehäuse: D2PAK |
Externes Lager:
800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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SUP85N10-10-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUP85N10-10-E3 Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK090E65Z,S1X(S
PWR-MOSFET N-CHANNEL
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK090E65Z,S1X(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK090N65Z,S1F
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK090N65Z,S1F(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
120 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK100A06N1,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK100A06N1,S4X(S Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
750 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK100A10N1,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK100A10N1,S4X(S Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
250 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK100E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK100E10N1,S1X(S Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
5200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK100E10N1,S1X(S Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
250 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK10A60W,S4VX(M Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK12A60W,S4VX(M Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
700 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK14A65W,S5X(M
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS TK14A65W
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK14A65W,S5X(M Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK14G65W,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK14G65W,RQ(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
19000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK15A20D,S4X(S
PWR-MOSFET N-CHANNEL
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK15A20D,S4X(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
107050 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK16E60W,S1VX(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK16E60W,S1VX(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK16V60W,LVQ(S
Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 5-Pin DFN EP
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK16V60W,LVQ(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
50000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK20N60W,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK20N60W,S1VF(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK20P04M1,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK20P04M1,RQ(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
8000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.