Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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TK22E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK22E10N1,S1X(S Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
6900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK25E60X,S1X(S
PWR-MOSFET N-CHANNEL
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK25E60X,S1X(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
250 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK34E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK34E10N1,S1X(S Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK39N60W,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK39N60W,S1VF(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK39N60X,S1F(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK39N60X,S1F(S Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
360 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK40S06N1L,LQ(O
MOSFETs Silicon N-channel MOS
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK40S06N1L,LQ(O Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
8000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK49N65W,S1F(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK49N65W,S1F(S Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
690 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK4P60DB(T6RDV,Q,S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TK4P60DB(T6RSS-Q)
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK4P60DB(T6RSS-Q) Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK55S10N1,LQ(O
Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK55S10N1,LQ(O Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK56E12N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK56E12N1,S1X(S Präzisionsgehäuse: TO220 |
Externes Lager:
700 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK65E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK65E10N1,S1X(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK6A60W,S4VX(M
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK6A60W,S4VX(M Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
350 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK6A65D(STA4,Q,M)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK6A65D(STA4,Q,M) Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
33360 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TK8P60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK8P60W,RVQ(S Präzisionsgehäuse: DPAK |
Externes Lager:
8000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TP0610K SOT23
P-MOSFET 185mA 60V 350mW 6?
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Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: TP0610K-T1-E3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
14990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: TP0610K-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: TP0610K-T1-E3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | ||||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance TPHR8504PL,L1Q(M
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TPHR8504PL,L1Q(M Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TPN22006NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 21A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN22006NH,LQ(S
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TPN22006NH,LQ(S Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TPN7R506NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN7R506NH,L1Q(M
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Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: TPN7R506NH,L1Q(M Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
65000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TSM220NB06CR RLG
N-Ch 60V 35A 68W 0,022R PDFN56 TSM220NB06CR ; TSM220NB06CR RLG ; TSM220NB06CRRLG;
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Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM220NB06CR RLG Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2475 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TSM250NB06DCR RLG
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM250NB06DCR RLG Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
2475 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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TSM650P02CX
MOSFET P-Channel 20V 4,1A SOT23 TSM650P02CX RFG ; Ersatz für das abgekündigte TSM2301ACX RFG;
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Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P02CX RFG Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
33000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P02CX RFG Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
19000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P02CX RFG Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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UMZ1NTR / UMZ1NT1G
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW UMZ1NFHATR
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: UMZ1NT1G Präzisionsgehäuse: SC70-3 |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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VN10LP
N-CHANNEL DMOS FET 0.27A 60V 270mA 0.625W 5Ω
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Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: VN10LP Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-FET | ||||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: VN10LP Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
4664 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-FET | ||||||||||||||
VN2222LL-G
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 VN2222LL-G-P003; VN2222LLG;
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Hersteller:
Microchip Hersteller-Teilenummer: VN2222LL-G Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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VND14NV04-E
OMNI-FET-Transistor; 40V; 70mOhm; 12A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND14NV04-E; VND14NV04TR-E;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VND14NV04TR-E Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
OMNI-FET | 40V | 70mOhm | 12A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VND14NV04TR-E Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
455000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
OMNI-FET | 40V | 70mOhm | 12A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VND14NV04TR-E Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
190000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
OMNI-FET | 40V | 70mOhm | 12A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
VND3NV04TR-E
MOSFET POWER OMNIFET II DPAK VND3NV0413TR; VND3NV04-E; VND3NV04TR-E; VND3NV04;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VND3NV04TR-E Präzisionsgehäuse: TO252 (DPAK) |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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VND7NV04
OMNI-FET-Transistor; 40V; 120 mOhm; 6A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND7NV04-E; VND7NV04TR-E;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VND7NV04TR-E Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
OMNI-FET | 40V | 120mOhm | 6A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VND7NV04TR-E Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
285000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
OMNI-FET | 40V | 120mOhm | 6A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VND7NV04TR-E Präzisionsgehäuse: TO252 |
Externes Lager:
25000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
OMNI-FET | 40V | 120mOhm | 6A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||
VNN1NV04P-E
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 VNN1NV04PTR-E
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VNN1NV04PTR-E Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
17000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VNN1NV04PTR-E Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
602000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VNN1NV04PTR-E Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
333000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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VNS1NV04D-E
2xOMNI-FET-Transistor; 40V; 500 mOhm; 1,7A; 4W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR; VNS1NV04DP-E; VNS1NV04DPTR-E;
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Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VNS1NV04DPTR-E Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
32500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xOMNI-FET | 40V | 500mOhm | 1,7A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VNS1NV04DPTR-E Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
145000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xOMNI-FET | 40V | 500mOhm | 1,7A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: VNS1NV04DPTR-E Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
7500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xOMNI-FET | 40V | 500mOhm | 1,7A | 4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | STMicroelectronics | ||||||
ZVN2120GTA
Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVN2120GTA Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: ZVN2120GTA Präzisionsgehäuse: |
Externes Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.