Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Gehäuse
Hersteller
TK22E10N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK22E10N1,S1X(S || TK22E10N1,S1X(S TO220
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK22E10N1,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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6900 Stk.
Anzahl der Stücke 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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TK25E60X,S1X(S PWR-MOSFET N-CHANNEL
TK25E60X,S1X(S || TK25E60X,S1X(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK25E60X,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
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Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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TK34E10N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK34E10N1,S1X(S || TK34E10N1,S1X(S TO220
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK34E10N1,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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400 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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TK39N60W,S1VF(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
TK39N60W,S1VF(S || TK39N60W,S1VF(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK39N60W,S1VF(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
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2900 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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TK39N60X,S1F(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
TK39N60X,S1F(S || TK39N60X,S1F(S TO247
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK39N60X,S1F(S
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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360 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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TK40S06N1L,LQ(O MOSFETs Silicon N-channel MOS
TK40S06N1L,LQ(O || TK40S06N1L,LQ(O  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK40S06N1L,LQ(O
Präzisionsgehäuse:
 
 
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8000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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2000
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TK49N65W,S1F(S Trans MOSFET N-CH Si 650V 49.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
TK49N65W,S1F(S || TK49N65W,S1F(S TO247
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK49N65W,S1F(S
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
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690 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,5840
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TK4P60DB(T6RDV,Q,S Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TK4P60DB(T6RSS-Q)
TK4P60DB(T6RSS-Q) || TK4P60DB(T6RDV,Q,S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Präzisionsgehäuse:
 
 
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2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2552
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2000
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TK55S10N1,LQ(O Trans MOSFET N-CH 100V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
TK55S10N1,LQ(O || TK55S10N1,LQ(O  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK55S10N1,LQ(O
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8170
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2000
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TK56E12N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK56E12N1,S1X(S || TK56E12N1,S1X(S TO220
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK56E12N1,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
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700 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6920
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TK65E10N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
TK65E10N1,S1X(S || TK65E10N1,S1X(S  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK65E10N1,S1X(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
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400 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7482
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TK6A60W,S4VX(M Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
TK6A60W,S4VX(M || TK6A60W,S4VX(M TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK6A60W,S4VX(M
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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350 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6482
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TK6A65D(STA4,Q,M) Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
TK6A65D(STA4,Q,M) || TK6A65D(STA4,Q,M) TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK6A65D(STA4,Q,M)
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
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33360 Stk.
Anzahl der Stücke 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5115
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TK8P60W,RVQ(S Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
TK8P60W,RVQ(S || TK8P60W,RVQ(S DPAK
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TK8P60W,RVQ(S
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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8000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5358
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2000
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TP0610K SOT23 P-MOSFET 185mA 60V 350mW 6?
TP0610K-T1-E3 || TP0610K-T1-GE3 || TP0610K SOT23 SOT23
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
TP0610K-T1-E3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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14990 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0971
Standard-Verpackung:
3000
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P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
TP0610K-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1001
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3000
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P-MOSFET
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
TP0610K-T1-E3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0837
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3000
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P-MOSFET
TPHR8504PL,L1Q Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance TPHR8504PL,L1Q(M
TPHR8504PL,L1Q(M || TPHR8504PL,L1Q SOP08
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TPHR8504PL,L1Q(M
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5688
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TPN22006NH Trans MOSFET N-CH Si 60V 21A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NH,LQ(S || TPN22006NH  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TPN22006NH,LQ(S
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1579
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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20 Euro überschreiten.
TPN7R506NH Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN7R506NH,L1Q(M
TPN7R506NH,L1Q(M || TPN7R506NH  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
TPN7R506NH,L1Q(M
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
65000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2899
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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20 Euro überschreiten.
TSM220NB06CR RLG N-Ch 60V 35A 68W 0,022R PDFN56 TSM220NB06CR ; TSM220NB06CR RLG ; TSM220NB06CRRLG;
TSM220NB06CR RLG || TSM220NB06CR RLG  
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer:
TSM220NB06CR RLG
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2475 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2792
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Standard-Verpackung:
25
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TSM250NB06DCR RLG DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TSM250NB06DCR RLG || TSM250NB06DCR RLG  
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer:
TSM250NB06DCR RLG
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
2475 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4686
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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TSM650P02CX MOSFET P-Channel 20V 4,1A SOT23 TSM650P02CX RFG ; Ersatz für das abgekündigte TSM2301ACX RFG;
TSM650P02CX RFG || TSM650P02CX SOT23
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer:
TSM650P02CX RFG
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
33000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0454
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer:
TSM650P02CX RFG
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
19000 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0874
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer:
TSM650P02CX RFG
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1023
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
UMZ1NTR / UMZ1NT1G Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 200mA 114MHz, 142MHz 250mW UMZ1NFHATR
UMZ1NT1G || UMZ1NTR / UMZ1NT1G SC70-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
UMZ1NT1G
Präzisionsgehäuse:
SC70-3
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0281
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
VN10LP N-CHANNEL DMOS FET 0.27A 60V 270mA 0.625W 5Ω
VN10LP || VN10LP TO92
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
VN10LP
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2595
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-FET
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
VN10LP
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
4664 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2692
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-FET
VN2222LL-G Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 VN2222LL-G-P003; VN2222LLG;
VN2222LL-G || VN2222LL-G TO92
Hersteller:
Microchip
Hersteller-Teilenummer:
VN2222LL-G
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2768
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
VND14NV04-E OMNI-FET-Transistor; 40V; 70mOhm; 12A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND14NV04-E; VND14NV04TR-E;
VND14NV04TR-E || VND14NV04-E TO252
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VND14NV04TR-E
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1234
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
OMNI-FET 40V 70mOhm 12A 74W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VND14NV04TR-E
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
455000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0968
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
OMNI-FET 40V 70mOhm 12A 74W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VND14NV04TR-E
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
190000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0972
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
OMNI-FET 40V 70mOhm 12A 74W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
VND3NV04TR-E MOSFET POWER OMNIFET II DPAK VND3NV0413TR; VND3NV04-E; VND3NV04TR-E; VND3NV04;
VND3NV04TR-E || VND3NV04TR-E TO252 (DPAK)
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VND3NV04TR-E
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPAK)
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7484
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
VND7NV04 OMNI-FET-Transistor; 40V; 120 mOhm; 6A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VND7NV04-E; VND7NV04TR-E;
VND7NV04TR-E || VND7NV04 TO252
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VND7NV04TR-E
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8611
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
OMNI-FET 40V 120mOhm 6A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VND7NV04TR-E
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
285000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8419
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
OMNI-FET 40V 120mOhm 6A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VND7NV04TR-E
Präzisionsgehäuse:
TO252
 
Externes Lager:
25000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8410
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
OMNI-FET 40V 120mOhm 6A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 STMicroelectronics
VNN1NV04P-E Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 3.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 VNN1NV04PTR-E
VNN1NV04PTR-E || VNN1NV04P-E SOT223
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VNN1NV04PTR-E
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
17000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5396
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VNN1NV04PTR-E
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
602000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5005
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VNN1NV04PTR-E
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
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VNS1NV04D-E 2xOMNI-FET-Transistor; 40V; 500 mOhm; 1,7A; 4W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: VNS1NV04DP-E; VNS1NV04D; VNS1NV04D13TR; VNS1NV04DP-E; VNS1NV04DPTR-E;
VNS1NV04DPTR-E || VNS1NV04D-E SOP08
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VNS1NV04DPTR-E
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
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2xOMNI-FET 40V 500mOhm 1,7A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
VNS1NV04DPTR-E
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
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2xOMNI-FET 40V 500mOhm 1,7A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
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VNS1NV04DPTR-E
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SOP08
 
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2xOMNI-FET 40V 500mOhm 1,7A 4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 STMicroelectronics
ZVN2120GTA Trans MOSFET N-CH 200V 0.32A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN2120GTA || ZVN2120GTA  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN2120GTA
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DIODES/ZETEX
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.