Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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ZVN3306A Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A Automotive 3-Pin E-Line
ZVN3306A || ZVN3306A  
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DIODES/ZETEX
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ZVN3306A
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ZVN3306FTA Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
ZVN3306FTA || ZVN3306FTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN3306FTA
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DIODES/ZETEX
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ZVN3306FTA
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DIODES/ZETEX
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ZVN3306FTA
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ZVN3310FTA Trans MOSFET N-CH 100V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
ZVN3310FTA || ZVN3310FTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN3310FTA
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DIODES/ZETEX
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ZVN3310FTA
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ZVN3320FTA Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
ZVN3320FTA || ZVN3320FTA SOT23
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DIODES/ZETEX
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ZVN3320FTA
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SOT23
 
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DIODES/ZETEX
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ZVN3320FTA
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SOT23
 
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ZVN4106FTA Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
ZVN4106FTA || ZVN4106FTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4106FTA
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ZVN4206A Trans MOSFET N-CH 60V 0.6A Automotive 3-Pin E-Line
ZVN4206A || ZVN4206A  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4206A
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DIODES/ZETEX
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ZVN4206A
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ZVN4206GTA Trans MOSFET N-CH 60V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4206GTA || ZVN4206GTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4206GTA
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DIODES/ZETEX
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ZVN4206GTA
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DIODES/ZETEX
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ZVN4206GTA
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ZVN4206GVTA Trans MOSFET N-CH 60V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4206GVTA || ZVN4206GVTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4206GVTA
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ZVN4210A Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A Automotive 3-Pin TO-92
ZVN4210A || ZVN4210A  
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ZVN4210A
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ZVN4210ASTZ Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A Automotive 3-Pin TO-92 T/R
ZVN4210ASTZ || ZVN4210ASTZ  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4210ASTZ
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ZVN4210GTA Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4210GTA || ZVN4210GTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4210GTA
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ZVN4306GTA Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4306GTA || ZVN4306GTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4306GTA
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DIODES/ZETEX
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ZVN4306GTA
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ZVN4306GVTA Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4306GVTA || ZVN4306GVTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4306GVTA
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ZVN4310GTA Trans MOSFET N-CH 100V 1.67A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4310GTA || ZVN4310GTA  
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DIODES/ZETEX
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ZVN4310GTA
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ZVN4424ASTZ Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A Automotive 3-Pin E-Line Box
ZVN4424ASTZ || ZVN4424ASTZ  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZVN4424ASTZ
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ZVN4424GQTA SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET
ZVN4424GQTA || ZVN4424GQTA  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZVN4424GQTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
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ZVN4424GTA Trans MOSFET N-CH 240V 0.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4424GTA || ZVN4424GTA  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4424GTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
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34000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4424GTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4424GTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
42000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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1000
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ZVN4525E6TA Trans MOSFET N-CH 250V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R
ZVN4525E6TA || ZVN4525E6TA  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZVN4525E6TA
Präzisionsgehäuse:
 
 
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63000 Stk.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4525E6TA
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3397
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3000
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ZVN4525GTA Trans MOSFET N-CH 250V 0.31A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4525GTA || ZVN4525GTA  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4525GTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3226
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4525GTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3287
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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ZVN4525ZTA Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
ZVN4525ZTA || ZVN4525ZTA  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4525ZTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2999
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVN4525ZTA
Präzisionsgehäuse:
 
 
Externes Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3091
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
ZVNL110A Trans MOSFET N-CH 100V 0.32A Automotive 3-Pin E-Line
ZVNL110A || ZVNL110A  
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVNL110A
Präzisionsgehäuse:
 
 
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4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2869
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ZVNL120A DIODES N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 10 Ohm; 180mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
ZVNL120A || ZVNL120A DIODES TO92
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVNL120A
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2422
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4000
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N-MOSFET 200V 20V 10Ohm 180mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZVNL120A
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2512
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4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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N-MOSFET 200V 20V 10Ohm 180mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
ZXMC3A16DN8TA Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.4A Automotive 8-Pin SOIC
ZXMC3A16DN8TA || ZXMC3A16DN8TA SOP08
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMC3A16DN8TA
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
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Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5836
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500
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ZXMC3AMCTA Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP
ZXMC3AMCTA || ZXMC3AMCTA DFN08
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMC3AMCTA
Präzisionsgehäuse:
DFN08
 
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3114
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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ZXMC4559DN8TA Trans MOSFET N/P-CH 60V 2.6A/3.6A Automotive 8-Pin SOIC T/R ZXMC4559DN8TC
ZXMC4559DN8TC || ZXMC4559DN8TA || ZXMC4559DN8TA SOP08
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMC4559DN8TC
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
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2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2860
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMC4559DN8TA
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2975
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500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMC4559DN8TC
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2961
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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20 Euro überschreiten.
ZXMHC3F381N8TC Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.98A/4.13A
ZXMHC3F381N8TC || ZXMHC3F381N8TC SOP08
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMHC3F381N8TC
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4233
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMHC3F381N8TC
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4327
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2500
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Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMHC3F381N8TC
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
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ZXMHC6A07N8TC Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.8A/1.42A 8-Pin SO
ZXMHC6A07N8TC || ZXMHC6A07N8TC SOP08
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMHC6A07N8TC
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SOP08
 
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DIODES/ZETEX
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ZXMN10A09KTC Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
ZXMN10A09KTC || ZXMN10A09KTC DPAK
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DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMN10A09KTC
Präzisionsgehäuse:
DPAK
 
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ZXMN2F34FHTA Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive 3-Pin SOT-23
ZXMN2F34FHTA || ZXMN2F34FHTA SOT23-3
Hersteller:
DIODES/ZETEX
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ZXMN2F34FHTA
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SOT23-3
 
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ZXMN2F34FHTA
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SOT23-3
 
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ZXMN3A03E6TA Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23
ZXMN3A03E6TA || ZXMN3A03E6TA SOT23-6
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
ZXMN3A03E6TA
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SOT23-6
 
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DIODES/ZETEX
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ZXMN3A03E6TA
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SOT23-6
 
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ZXMN3A03E6TA
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.