Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Montage
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002 SOT23 YANGJIE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-YAN;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
MOSFET | 60V | 60V | 20V | 3Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-10
Anzahl der Stücke: 12000
|
||||||||||||
2N7002CK,215
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,4 Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2N7002E
N-Channel 60V 300mA 2.5V @ 250uA 3Ω @ 500mA,10V 350mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS 2N7002EY;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Anbonsemi | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2N7002E-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 2N7002E-T1-GE3
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2N7002K China
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.5A 60V 3000m? N-Channel(with ESD) MOSFET 0.5A 60V 3000m?
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2N7002W
N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 50V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W-LGE;
|
|||||||||||||
MOSFET | 60V | 60V | 25V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | LGE | |||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2SK117
N-Channel-JFET-Transistor; 50V; 14mA; 300 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK117-GR(F);
|
|||||||||||||
N-JFET | 50V | 14mA | 300mW | THT | -55°C ~ 125°C | TO92 | TOSHIBA | ||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2SK170-BL(F)
N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 20mA; 400 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
|
|||||||||||||
N-JFET | 40V | 20mA | 400mW | THT | -55°C ~ 125°C | TO92 | TOSHIBA | ||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2SK2542
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 8A; 80W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 850mOhm | 8A | 80W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | TOSHIBA | |||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2SK2545
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STF5N62K3; NDF06N60ZG; STP6NK60ZFP; 2SK2545-VB;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 1,25Ohm | 6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2SK2615
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 440 mOhm; 2A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK2615(TE12L,F);
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 440mOhm | 2A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | TOSHIBA | |||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2SK3566(Q,M) TOSHIBA
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP 2SK3566
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
2SK3745LS-1E ON Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 20V; 13Ohm; 2A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 1500V | 20V | 13Ohm | 2A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
45P40 Goford Semiconductor
P40V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T AOD413A; DMP4010SK3Q; G15P04K GOFORD;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
5N20A Goford Semiconductor
N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V; TO-252 FDD7N20TM;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
6706A
N-MOSFET 6.5A 30V 2W 0.20Ω SOP-8 DMC2020USD;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | |||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3400
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 35mOhm; 30A; 1,5 W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 10V | 12V | 35mOhm | 30A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GOODWORK | |||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
KO3400 SOT23 KEXIN
N-Channel 30V 5.8A 1.4V @ 250uA 28m? @ 5.8A,10V 1.4W SOT23 MOSFETs RoHS Äquivalent: AO3400;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
|
||||||||||||
AO3400 SOT23 LGE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 50Ohm; 5,8A; 1,4 W; -55°C~150°C; LGE3400
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 10V | 12V | 50Ohm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
SK3400 SHIKUES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | |||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3400
SOT-23-3L MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3400A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,7A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3400A SOT23 BORN
N-Channel 30V 5.8A 1.4V @ 250uA 32m? @ 5.8A,10V 1.4W SOT-23 MOSFETs RoHS
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
|
||||||||||||
AO3400A
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,7A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | |||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3401A SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 50mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 10V | 50mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | |||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3401A JSMICRO
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 12V | 90mOhm | 4,2A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3401A UMW
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120 mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
AO3402
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
MOSFET | 30V | 12V | 60mOhm | 4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | |||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
|
||||||||||||
AO3403
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
P-MOSFET | 30V | 12V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | |||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 1000
|
||||||||||||
AO3407
Transistor MOSFET; SOT-23-3L; P-Channel; NO ESD; -30V; -4.1A; 1.4W; -1.5V; 48mOhm; 60mOhm AO3407; DMP3056L; G3035 GOFORD
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.