Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
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Max. Drainstrom
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Gehäuse
Hersteller
2N7002 SOT23 YANGJIE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-YAN;
2N7002 SOT23  YANGJIE SOT23
                         
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MOSFET 60V 60V 20V 3Ohm 340mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
                           
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Geplantes Datum: 2025-05-10
Anzahl der Stücke: 12000
                     
2N7002CK,215 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,4 Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2N7002CK,215 SOT23-3
  N-MOSFET 60V 20V 4,4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
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2N7002E N-Channel 60V 300mA 2.5V @ 250uA 3Ω @ 500mA,10V 350mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS 2N7002EY;
2N7002E SOT23-3
  N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 Anbonsemi
 
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2N7002E-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3 SOT23
 
 
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2N7002K China N-Channel(with ESD) MOSFET 0.5A 60V 3000m? N-Channel(with ESD) MOSFET 0.5A 60V 3000m?
2N7002K China SOT23
 
 
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2N7002W N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 50V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W-LGE;
2N7002W SOT323
  MOSFET 60V 60V 25V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 LGE
 
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2SK117 N-Channel-JFET-Transistor; 50V; 14mA; 300 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK117-GR(F);
2SK117 TO92
  N-JFET 50V 14mA 300mW THT -55°C ~ 125°C TO92 TOSHIBA
 
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2SK170-BL(F) N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 20mA; 400 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
2SK170-BL(F) TO92
  N-JFET 40V 20mA 400mW THT -55°C ~ 125°C TO92 TOSHIBA
 
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2SK2542 N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 8A; 80W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK2542 TO220
  N-MOSFET 500V 500V 30V 850mOhm 8A 80W THT -55°C ~ 150°C TO220 TOSHIBA
 
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2SK2545 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STF5N62K3; NDF06N60ZG; STP6NK60ZFP; 2SK2545-VB;
2SK2545 TO220iso
  N-MOSFET 600V 600V 30V 1,25Ohm 6A 40W THT -55°C ~ 150°C TO220iso
 
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2SK2615 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 440 mOhm; 2A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK2615(TE12L,F);
2SK2615 SOT89
  N-MOSFET 60V 60V 20V 440mOhm 2A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 TOSHIBA
 
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2SK3566(Q,M) TOSHIBA Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 40W; TO220FP 2SK3566
2SK3566(Q,M) TOSHIBA TO220iso
 
 
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2SK3745LS-1E ON Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 20V; 13Ohm; 2A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK3745LS-1E ON Semiconductor TO220iso
  N-MOSFET 1500V 20V 13Ohm 2A 35W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ON SEMICONDUCTOR
 
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45P40 Goford Semiconductor P40V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T AOD413A; DMP4010SK3Q; G15P04K GOFORD;
45P40 Goford Semiconductor  
 
 
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5N20A Goford Semiconductor N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V; TO-252 FDD7N20TM;
5N20A Goford Semiconductor  
 
 
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6706A N-MOSFET 6.5A 30V 2W 0.20Ω SOP-8 DMC2020USD;
6706A SOP8
  N-MOSFET
 
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AO3400 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 35mOhm; 30A; 1,5 W; -55°C~150°C;
AO3400 SOT23
  N-MOSFET 30V 10V 12V 35mOhm 30A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 GOODWORK
 
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KO3400 SOT23 KEXIN N-Channel 30V 5.8A 1.4V @ 250uA 28m? @ 5.8A,10V 1.4W SOT23 MOSFETs RoHS Äquivalent: AO3400;
KO3400 SOT23 KEXIN SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-20
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AO3400 SOT23 LGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 50Ohm; 5,8A; 1,4 W; -55°C~150°C; LGE3400
AO3400 SOT23 LGE SOT23
  N-MOSFET 30V 10V 12V 50Ohm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
 
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SK3400 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
SK3400 SHIKUES SOT23
  N-MOSFET 30V 12V 55mOhm 5,8A SMD -50°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
 
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AO3400 SOT-23-3L MOSFETs ROHS
AO3400 SOT23
 
 
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AO3400A N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3400A SOT23
  N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,7A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
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AO3400A SOT23 BORN N-Channel 30V 5.8A 1.4V @ 250uA 32m? @ 5.8A,10V 1.4W SOT-23 MOSFETs RoHS
AO3400A SOT23 BORN SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3400A N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,7A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3400A SOT23
  N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,7A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
 
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AO3401A SOT23 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 50mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55°C~150°C;
AO3401A SOT23 SOT23
  P-MOSFET 30V 10V 50mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
 
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AO3401A JSMICRO P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3401A JSMICRO SOT23
  P-MOSFET 30V 12V 90mOhm 4,2A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
 
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AO3401A UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120 mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3401A UMW SOT23
  P-MOSFET 30V 12V 120mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
 
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AO3402 Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23
AO3402 SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
MOSFET 30V 12V 60mOhm 4A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                           
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Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
AO3403 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3403 SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
P-MOSFET 30V 12V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                           
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Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 1000
                     
AO3407 Transistor MOSFET; SOT-23-3L; P-Channel; NO ESD; -30V; -4.1A; 1.4W; -1.5V; 48mOhm; 60mOhm AO3407; DMP3056L; G3035 GOFORD
AO3407 SOT23
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.