Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
BSZ025N04LSATMA1 INFINEON Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP
BSZ025N04LSATMA1 INFINEON  
 
 
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BSZ037N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R BSZ037N06LS5ATMA1
BSZ037N06LS5ATMA1 Infineon Technologies  
 
 
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BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 7,5 mOhm; 40A; 69W; -55°C~150°C;
BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TSDSON08
  N-MOSFET 80V 20V 7,5mOhm 40A 69W SMD -55°C ~ 150°C TSDSON08 INFINEON
 
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BUB323ZG ON Semiconductor Trans Darlington NPN 350V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK BUB323ZT4G
BUB323ZG   ON Semiconductor  
 
 
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BUK6D120-40EX BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
BUK6D120-40EX DFN2020MD-6
 
 
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BXS1150N10M Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W;
BXS1150N10M SOT23-3
 
 
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C2M0080120D Cree/Wolfspeed N-Channel-MOSFET-Transistor; 1200V; 20V; 128 mOhm; 36A; 192W; -55 °C ~ 150 °C;
C2M0080120D Cree/Wolfspeed TO247
  N-MOSFET 1200V 20V 128mOhm 36A 192W THT -55°C ~ 150°C TO247 Cree
 
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CJ3400S3 30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS Podobny do: RTR040N03TL;
CJ3400S3 SOT23
 
 
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DH105N07 DONGHAI N-Channel-MOSFET-Transistor; 68V; 20V; 15mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Ähnlich wie IRFZ44NPBF;
DH105N07 DONGHAI TO220
  N-MOSFET 68V 20V 15mOhm 60A 110W THT -55°C ~ 175°C TO220 Donghai
 
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DH240N06LD DONGHAI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 50W; -55 °C ~ 175 °C; Ähnlich zu: IRLR024NPBF, IRLR024NTRPBF, IRLR024NTRLPBF, IRLR024NTRLPBF;
DH240N06LD DONGHAI TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 35mOhm 30A 50W THT -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Donghai
 
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DHD12N10 DONGHAI N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 12A; 28W; -55 °C ~ 175 °C; Ähnlich zu: IRLR120NPBF, IRLR120NTRPBF, IRLR120NTRLPBF
DHD12N10 DONGHAI TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 100V 20V 110mOhm 12A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Donghai
 
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F10N60 DONGHAI N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 900 mOhm; 10A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich wie: STP10NK60ZFP
F10N60 DONGHAI TO220iso
  N-MOSFET 600V 30V 900mOhm 10A 40W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Donghai
 
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DI020N06D1 Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ODPOWIEDNIK: DI020N06D1-DIO;
DI020N06D1 TO252
 
 
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DI110N15PQ DComponents MOSFET, 150V, 110A, 56W transistors - fets, mosfets - single
DI110N15PQ DComponents  
 
 
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DMG1012UW SOT323 MOSFETs ROHS
DMG1012UW SOT323
 
 
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DMG4800LK3-13 Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
DMG4800LK3-13  
 
 
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DMN6140L-7 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive N-MOSFET 1.6A 60V 0.7W 0.17Ω DMN6140L-7 (3000pcs/T&R), DMN6140L-13 (10000pcs/T&R)
DMN6140L-7 SOT23
 
 
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3415A MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; YES ESD; -20V; -4A; 1,4 W; -0,7V; ; 28m? AO3415A; DMP1045U
3415A SOT23
 
 
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DMP2018LFK-7 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 25mOhm; 9,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
DMP2018LFK-7 UDFN2523-6
  P-MOSFET 20V 12V 25mOhm 9,2A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C UDFN2523-6 DIODES
 
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DMP2305U SOT-23 MOSFETs ROHS
DMP2305U SOT23
 
 
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3401 MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -30V; -4,2A; 1W; -0,8 V; 39 m?; 44m? DMP3056L; AO3406; G3401L SOT23-3L GOFORD
3401 SOT23
 
 
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G35P04D5 MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; P-Channel; NO ESD; -40V; -35A; 35W; -1,5 V; 11m?; 15m? DMP4015SPSQ;
G35P04D5 DFN08(5x6)
 
 
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DMP4051LK3-13 P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
DMP4051LK3-13 TO252
 
 
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GT090N06S MOSFET-Transistor; SOP-8; N-Channel; NO ESD; 60V; 14A; 3,1 W; 1,6 V; 6,5 m?; 8,5 m? DMT4008LSS-13; AO4484; G13N04 GOFORD
GT090N06S SOP08
 
 
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G30N04D3 MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; N-Channel; NO ESD; 40V; 30A; 50W; 1,8 V; 6,5 m?; 8m? DMTH48M3SFVW; DMT4011LFG
G30N04D3 DFN08(3x3)
 
 
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DN2450N8-G Microchip N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 20V; 10 Ohm; 230mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
DN2450N8-G Microchip SOT89
  N-MOSFET 500V 500V 20V 10Ohm 230mA 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 MICROCHIP
 
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EPC2067 TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
EPC2067 DIE
 
 
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EPC2070 TRANS GAN DIE 100V .022OHM
EPC2070 DIE
 
 
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FCP7N60 N-MOSFET 7A 600V 83W 0.60Ω
FCP7N60 TO220
  N-MOSFET 600V 30V 600mOhm 7A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 Fairchild
 
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FDA20N50_F109 N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C;
FDA20N50_F109 TO 3P
  N-MOSFET 500V 30V 230mOhm 22A 280W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Fairchild
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.