Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
G02P06 Goford Semiconductor P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2; SOT-23 BSS84; G09P02L SOT-23-3L GOFORD;
G02P06 Goford Semiconductor  
 
 
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G06N06S Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M; SOP-8 Si4850EY; IRF7855
G06N06S Goford Semiconductor  
 
 
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G06N10 Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3; TO-252 IRFR120N; IRLR120N;
G06N10 Goford Semiconductor  
 
 
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G06P01E Goford Semiconductor P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4 SI2333-TP; IRLML6401
G06P01E Goford Semiconductor  
 
 
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G07P04S Goford Semiconductor P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G07P04S Goford Semiconductor  
 
 
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G08N06S Goford Semiconductor N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40; SOP-8 Si4850EY; AO4266E
G08N06S Goford Semiconductor  
 
 
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G08P06D3 Goford Semiconductor P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3; DFN3*3-8L NTTFS5116PLTAG;
G08P06D3 Goford Semiconductor  
 
 
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G09P02L Goford Semiconductor P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3; SOT-23-3L BSS84; TG02P06 SOT-23 GOFORD;
G09P02L Goford Semiconductor  
 
 
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G1002L Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2 DMN10H220L;
G1002L Goford Semiconductor  
 
 
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G1003A Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2 AOSS62934; G1003A GOFORD;
G1003A Goford Semiconductor  
 
 
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G1006LE Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1 AOSS62934; G1003A GOFORD;
G1006LE Goford Semiconductor  
 
 
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G10N03S Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M AO4476A; FDS8884;
G10N03S Goford Semiconductor  
 
 
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G110N06K Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8, TO-252 NTD5C668NL;
G110N06K Goford Semiconductor  
 
 
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G110N06T Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.; TO-220 TG110N06T;
G110N06T Goford Semiconductor  
 
 
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G12P04K Goford Semiconductor P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45; TO-252 DMP4025LK3; AOD407;
G12P04K Goford Semiconductor  
 
 
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G12P10K Goford Semiconductor P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX); TO-252-3 ZXMP10A18K; FQD8P10TM_F085; G12P10KE GOFORD
G12P10K Goford Semiconductor  
 
 
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G15N06K Goford Semiconductor N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD; TO-252 IPD220N06L3G; IRLR2905;
G15N06K Goford Semiconductor  
 
 
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G16P03D3 Goford Semiconductor P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18; DFN3*3-8L AONR21307;
G16P03D3 Goford Semiconductor  
 
 
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G16P03S Goford Semiconductor P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18; SOP-8 IRF9317; AOSP21307;
G16P03S Goford Semiconductor  
 
 
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G18P03D3 Goford Semiconductor P30V,RD(MAX)<10M@-10V,RD(MAX)<15 AONS21357;
G18P03D3 Goford Semiconductor  
 
 
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G2014 Goford Semiconductor N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M DMN2011UFDF; AON2406;
G2014 Goford Semiconductor  
 
 
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G20N03D2 Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M; DFN2*2-6L NTLJS5D0N03CTAG;
G20N03D2 Goford Semiconductor  
 
 
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G20N03K Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M; TO-252 FDD6630A; FDD6N20TM;
G20N03K Goford Semiconductor  
 
 
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G20N06D52 Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M DMNH6021SPDW; Si7972DP;
G20N06D52 Goford Semiconductor  
 
 
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G20P08K Goford Semiconductor P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G20P08K Goford Semiconductor  
 
 
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G20P10KE Goford Semiconductor P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-; TO-252 IPD11DP10NMATMA1;
G20P10KE Goford Semiconductor  
 
 
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G2304 MOSFET-Transistor; SOT-23; N-Channel; NO ESD; 30V; 3,6A; 1,7 W; 1,5 V; 47 m? ~ 58 m?; 61 m? ~ 73 m?;
G2304 SOT23
 
 
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G26P04D5 Goford Semiconductor P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22 DMP4011SPSQ;
G26P04D5 Goford Semiconductor  
 
 
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G28N03D3 Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<18M AONR32314
G28N03D3 Goford Semiconductor  
 
 
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G30N02T Goford Semiconductor N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1. RFP45N02L;
G30N02T Goford Semiconductor  
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.