Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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GT090N06D52 Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@; DFN5*6-8L HP8K22TB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT095N10D5 Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15; DFN5*6-8L DMTH10H4M5LPSW; SIR846BDP-T1-RE3; GT52N10D5 GOFORD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT095N10K Goford Semiconductor
N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-252 SUD70090E; DMNH10H028SK3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT100N12D5 Goford Semiconductor
N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; DFN8L SiR696DP; BSC077N12NS3 G
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT100N12T Goford Semiconductor
N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; TO-220 SUP70090E; IPP076N12N3 G
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT105N10F Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-220F IRLI540G;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT105N10T Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-220 SUP70090E
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT110N06S Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1; SOP-8 TPH14006NH,L1Q; RS3L045GNGZETB
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT52N10D5 Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1; DFN5*6-8L DMTH10H4M5LPSW; SIR846BDP-T1-RE3; GT095N10D5 GOFORD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT52N10T Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M; TO-220 SUP70090E; IRFB4710
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT55N06D5 Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@; DFN5*6-8L GKI06109;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT650N15K Goford Semiconductor
N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT700P08S
MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -80V; -6,5A; 3W; -2,5 V; 60 m?
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HUF75345G3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325 W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 7mOhm | 75A | 325W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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HUF76639S3ST
Trans MOSFET N-CH 100V 51A (HUF76639P3 TO220AB *OBSOLETE)
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPA65R150CFD
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 351 mOhm; 22,4A; 195,3W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA65R150CFDXKSA1;
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N-MOSFET | 700V | 30V | 351mOhm | 22,4A | 195,3W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPB010N06NATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G120P06M
MOSFET-Transistor; TO-263; P-Channel; NO ESD; -60V; -120A; 277W; -2,5 V; 7m? IPB110P06LM; IRF9Z34S, SiHF9Z34S
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G80P03K
MOSFET-Transistor; TO-252; P-Channel; NO ESD; -30V; -80A; 78W; -1,4 V; 4,5 m?; 6m? IPD042P03L3G; AOD21357
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD135N03LGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R210PFD7S
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 386 mOhm; 16A; 64W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R210PFD7SAUMA1;
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N-MOSFET | 650V | 20V | 386mOhm | 16A | 64W | SMD | -40°C ~ 150°C | DPAK | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R280P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET ; unipolar; 600V; 8A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Leistungstransistor
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R280P7S Infineon Technologies
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 501 mOhm; 12A; 53W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R280P7SAUMA1; IPD60R280P7SE8228AUMA1;
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N-MOSFET | 650V | 20V | 501mOhm | 12A | 53W | SMD | -40°C ~ 150°C | TO252 | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD60R360P7ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD65R660CFDATMA2
LOW POWER_LEGACY Ähnlich zu: IPD65R660CFDBTMA1; Transistoren - FETs, MOSFETs - Singles
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD70N10S3L-12 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15,2 mOhm; 70A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 15,2mOhm | 70A | 125W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPD70P04P409ATMA1
Trans MOSFET P-CH 40V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD70P04P409; IPD70P04P409ATMA2; IPD70P04P4-09;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G60N04D52
MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 40V; 35A; 20W; 1,8 V; 9m?; 12m? IPG20N04S4L08ATMA1; AON6884
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPG20N06S2L35ATMA1
Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IPN80R1K2P7ATMA1
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; +/-20V; 1,2 Ohm; 4,5A; 6,8 W; -55°C~150°C;
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N-MOSFET | 800V | 20V | 1,2Ohm | 4,5A | 6,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | INFINEON | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.