Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
GT090N06D52 Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@; DFN5*6-8L HP8K22TB;
GT090N06D52 Goford Semiconductor  
 
 
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GT095N10D5 Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15; DFN5*6-8L DMTH10H4M5LPSW; SIR846BDP-T1-RE3; GT52N10D5 GOFORD;
GT095N10D5 Goford Semiconductor  
 
 
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GT095N10K Goford Semiconductor N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-252 SUD70090E; DMNH10H028SK3
GT095N10K Goford Semiconductor  
 
 
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GT100N12D5 Goford Semiconductor N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; DFN8L SiR696DP; BSC077N12NS3 G
GT100N12D5 Goford Semiconductor  
 
 
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GT100N12T Goford Semiconductor N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; TO-220 SUP70090E; IPP076N12N3 G
GT100N12T Goford Semiconductor  
 
 
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GT105N10F Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-220F IRLI540G;
GT105N10F Goford Semiconductor  
 
 
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GT105N10T Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-220 SUP70090E
GT105N10T Goford Semiconductor  
 
 
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GT110N06S Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1; SOP-8 TPH14006NH,L1Q; RS3L045GNGZETB
GT110N06S Goford Semiconductor  
 
 
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GT52N10D5 Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1; DFN5*6-8L DMTH10H4M5LPSW; SIR846BDP-T1-RE3; GT095N10D5 GOFORD;
GT52N10D5 Goford Semiconductor  
 
 
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GT52N10T Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M; TO-220 SUP70090E; IRFB4710
GT52N10T Goford Semiconductor  
 
 
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GT55N06D5 Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@; DFN5*6-8L GKI06109;
GT55N06D5 Goford Semiconductor  
 
 
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GT650N15K Goford Semiconductor N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
GT650N15K Goford Semiconductor  
 
 
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GT700P08S MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -80V; -6,5A; 3W; -2,5 V; 60 m?
GT700P08S SOP08
 
 
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HUF75345G3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325 W; -55 °C ~ 175 °C;
HUF75345G3 TO247
  N-MOSFET 55V 55V 20V 7mOhm 75A 325W THT -55°C ~ 175°C TO247 ON SEMICONDUCTOR
 
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HUF76639S3ST Trans MOSFET N-CH 100V 51A (HUF76639P3 TO220AB *OBSOLETE)
HUF76639S3ST TO263 (D2PAK)
 
 
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IPA65R150CFD N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 351 mOhm; 22,4A; 195,3W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA65R150CFDXKSA1;
IPA65R150CFD TO220iso
  N-MOSFET 700V 30V 351mOhm 22,4A 195,3W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
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IPB010N06NATMA1 Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
IPB010N06NATMA1 D2PAK
 
 
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G120P06M MOSFET-Transistor; TO-263; P-Channel; NO ESD; -60V; -120A; 277W; -2,5 V; 7m? IPB110P06LM; IRF9Z34S, SiHF9Z34S
G120P06M TO263
 
 
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G80P03K MOSFET-Transistor; TO-252; P-Channel; NO ESD; -30V; -80A; 78W; -1,4 V; 4,5 m?; 6m? IPD042P03L3G; AOD21357
G80P03K TO252
 
 
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IPD135N03LGATMA1 Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IPD135N03LGATMA1 DPAK
 
 
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IPD60R210PFD7S N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 386 mOhm; 16A; 64W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R210PFD7SAUMA1;
IPD60R210PFD7S DPAK
  N-MOSFET 650V 20V 386mOhm 16A 64W SMD -40°C ~ 150°C DPAK Infineon Technologies
 
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IPD60R280P7ATMA1 Transistor: N-MOSFET ; unipolar; 600V; 8A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Leistungstransistor
IPD60R280P7ATMA1 DPAK
 
 
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IPD60R280P7S Infineon Technologies N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 501 mOhm; 12A; 53W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R280P7SAUMA1; IPD60R280P7SE8228AUMA1;
IPD60R280P7S Infineon Technologies TO252
  N-MOSFET 650V 20V 501mOhm 12A 53W SMD -40°C ~ 150°C TO252 Infineon Technologies
 
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IPD60R360P7ATMA1 Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
IPD60R360P7ATMA1 DPAK
 
 
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IPD65R660CFDATMA2 LOW POWER_LEGACY Ähnlich zu: IPD65R660CFDBTMA1; Transistoren - FETs, MOSFETs - Singles
IPD65R660CFDATMA2 DPAK
 
 
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IPD70N10S3L-12 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15,2 mOhm; 70A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C;
IPD70N10S3L-12 Infineon TO252
  N-MOSFET 100V 20V 15,2mOhm 70A 125W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Infineon Technologies
 
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IPD70P04P409ATMA1 Trans MOSFET P-CH 40V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD70P04P409; IPD70P04P409ATMA2; IPD70P04P4-09;
IPD70P04P409ATMA1 DPAK
 
 
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G60N04D52 MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 40V; 35A; 20W; 1,8 V; 9m?; 12m? IPG20N04S4L08ATMA1; AON6884
G60N04D52 DFN08(5x6)
 
 
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IPG20N06S2L35ATMA1 Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP
IPG20N06S2L35ATMA1 TDSON-8
 
 
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IPN80R1K2P7ATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; +/-20V; 1,2 Ohm; 4,5A; 6,8 W; -55°C~150°C;
IPN80R1K2P7ATMA1 SOT223
  N-MOSFET 800V 20V 1,2Ohm 4,5A 6,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 INFINEON
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.