Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Montage
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PT9926 SOP-8 HT SEMI
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 19mOhm; 7,1A; 2W; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: IRF7301TRPBF;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-15
Anzahl der Stücke: 3000
|
||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7304
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 140 mOhm; 4,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: IRF7304TR; IRF7304PBF; IRF7304TRPBF; IRF7304TRPBF-VB;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7307TRPBF
2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 70mOhm/140mOhm; 5,2A/4,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7307PBF; IRF7307TRPBF; IRF7307PBF-GURT; IRF7307;
|
|||||||||||||
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 5,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7314TR
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7314PBF; IRF7314TRPBF; SP001562198; SP001570224;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
CJQ4953/SOP8
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7316TRPBF; IRF7316PBF-GURT; IRF7316; CJQ4953; CJQ4953/SOP8;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-24
Anzahl der Stücke: 1000
|
||||||||||||
IRF7380Q
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 73mOhm; 3,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 80V | 20V | 73mOhm | 3,6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
G18P03S
MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -30V; -15A; 3,1 W; -1,6V; 8,1 m?; 10,5 m? IRF7425; AOSP21307
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7425TRPBF SOP8 TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7220; IRF7220PBF; IRF7425TRPBF; IRF7425PBF; IRF7425PBF-GURT;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7476
N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 30mOhm; 15A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 12V | 12V | 30mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7478TRPBF
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Veraltet; IRF7478;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 30mOhm | 7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | |||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7507TR
N/P-MOSFET HEXFET 2.4A, 1.7A 20V 1.25W 0.14? LTB:31-JULY-2024; IRF7507TRPBF
|
|||||||||||||
N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF7580MTRPBF
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF820 TO220 LGE
N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,5A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | LGE | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF830PBF JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 2,6 Ohm; 4A; 33W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 550V | 30V | 2,6Ohm | 4A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF830PBF-ML MOSLEADER
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,2Ohm | 5A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF840PBF-ML MOSLEADER
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF840PBF; IRF840PBF-BE3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 30V | 695mOhm | 10A | 178W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF9310
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,8 mOhm; 20A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9310TRPBF; IRF9310PBF; IRF9310TRPBF&-9-VB; IRF9310TR; IRF9310TRPBF;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 20A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF9310
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20A; 2,8 Ohm; 20V; 2,5 W; -55°C~150°C; Äquivalent: CJ CJQ9435; IRF9310TR UMW; IRF9310TRPBF&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TRPBF; IRF9310TR;
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 2,8Ohm | 20A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-24
Anzahl der Stücke: 1000
|
||||||||||||
IRF9332
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 28,1 mOhm; 9,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9332TRPBF; IRF9332PBF;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 20V | 28,1mOhm | 9,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF9510SPBF
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 4A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9510SPBF; IRF9510STRRPBF; IRF9510STRLPBF;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,2Ohm | 4A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VISHAY | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRF9540N TO220
100V 23A 140W 0.117?@10V,11A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFB20N50KPBF
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 250 mOhm; 20A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 500V | 30V | 250mOhm | 20A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFB23N15DPBF Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 90mOhm; 23A; 136W; -55 °C ~ 175 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 150V | 30V | 90mOhm | 23A | 136W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFB3256PBF
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,4 mOhm; 206A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,4mOhm | 206A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFB4110 UMW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,5mOhm | 180A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFB41N15D
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 45mOhm; 41A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB41N15DPBF;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 150V | 30V | 45mOhm | 41A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFHM9331 Infineon
P-MOSFET 30V 14,6mΩ 2.8W IRFM9331TRPBF
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 25V | 10mOhm | 11A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | PQFN08 (6x5mm) | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFI4212H-117P TO220/5Qiso
2xN-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 72,5 mOhm; 11A; 18W; -55 °C ~ 150 °C; IRFI4212H-117PXKMA1;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 100V | 20V | 72,5mOhm | 11A | 18W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220/5Q iso | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
||||||||||||
IRFI4410ZPBF Infineon
N-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 9,3 mOhm; 43A; 47W; -55 °C ~ 175 °C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 30V | 9,3mOhm | 43A | 47W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | ||||
|
Artikel auf Anfrage erhältlich
|
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.