Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Gehäuse
Hersteller
PT9926 SOP-8 HT SEMI Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 19mOhm; 7,1A; 2W; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: IRF7301TRPBF;
PT9926 SOP-8 HT SEMI SOP08
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-15
Anzahl der Stücke: 3000
                     
IRF7303 SOP08
 
 
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IRF7304 2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 140 mOhm; 4,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: IRF7304TR; IRF7304PBF; IRF7304TRPBF; IRF7304TRPBF-VB;
IRF7304 SOP08
 
 
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IRF7307TRPBF 2xN/P-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 70mOhm/140mOhm; 5,2A/4,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7307PBF; IRF7307TRPBF; IRF7307PBF-GURT; IRF7307;
IRF7307TRPBF SOP08
  2xN/P-MOSFET 20V 12V 140mOhm 5,2A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
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IRF7314TR Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7314PBF; IRF7314TRPBF; SP001562198; SP001570224;
IRF7314TR SOP08
 
 
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CJQ4953/SOP8 2xP-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7316TRPBF; IRF7316PBF-GURT; IRF7316; CJQ4953; CJQ4953/SOP8;
CJQ4953/SOP8 SOP08
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-24
Anzahl der Stücke: 1000
                     
IRF7380Q N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 73mOhm; 3,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
IRF7380Q SOP08
  N-MOSFET 80V 20V 73mOhm 3,6A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
 
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G18P03S MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -30V; -15A; 3,1 W; -1,6V; 8,1 m?; 10,5 m? IRF7425; AOSP21307
G18P03S SOP08
 
 
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IRF7425TRPBF SOP8 TECH PUBLIC Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7220; IRF7220PBF; IRF7425TRPBF; IRF7425PBF; IRF7425PBF-GURT;
IRF7425TRPBF SOP8 TECH PUBLIC SOP08
 
 
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IRF7476 N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 30mOhm; 15A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
IRF7476 SOP08
  N-MOSFET 12V 12V 30mOhm 15A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
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IRF7478TRPBF Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Veraltet; IRF7478;
IRF7478TRPBF SOP08
  N-MOSFET 60V 20V 30mOhm 7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08
 
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IRF7507TR N/P-MOSFET HEXFET 2.4A, 1.7A 20V 1.25W 0.14? LTB:31-JULY-2024; IRF7507TRPBF
IRF7507TR MICRO8
  N/P-MOSFET
 
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IRF7580MTRPBF Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME
IRF7580MTRPBF DirectFET
 
 
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IRF820 TO220 LGE N-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 3Ohm; 2,5A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
IRF820 TO220 LGE TO220
  N-MOSFET 500V 20V 3Ohm 2,5A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220 LGE
 
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IRF830PBF JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 2,6 Ohm; 4A; 33W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;
IRF830PBF JSMICRO TO220
  N-MOSFET 550V 30V 2,6Ohm 4A 33W THT -55°C ~ 150°C TO220 JSMICRO
 
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IRF830PBF-ML MOSLEADER N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1,2Ohm; 5A; 83W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;
IRF830PBF-ML MOSLEADER TO220
  N-MOSFET 500V 30V 1,2Ohm 5A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220 MOSLEADER
 
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IRF840PBF-ML MOSLEADER N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF840PBF; IRF840PBF-BE3;
IRF840PBF-ML MOSLEADER TO220
  N-MOSFET 500V 30V 695mOhm 10A 178W THT -55°C ~ 150°C TO220 MOSLEADER
 
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IRF9310 P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,8 mOhm; 20A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9310TRPBF; IRF9310PBF; IRF9310TRPBF&-9-VB; IRF9310TR; IRF9310TRPBF;
IRF9310 SOP08
  P-MOSFET 30V 20V 6,8mOhm 20A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
 
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IRF9310 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20A; 2,8 Ohm; 20V; 2,5 W; -55°C~150°C; Äquivalent: CJ CJQ9435; IRF9310TR UMW; IRF9310TRPBF&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TRPBF; IRF9310TR;
IRF9310 SOP08
                         
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P-MOSFET 30V 10V 20V 2,8Ohm 20A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
                           
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Geplantes Datum: 2025-04-24
Anzahl der Stücke: 1000
                     
IRF9332 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 28,1 mOhm; 9,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9332TRPBF; IRF9332PBF;
IRF9332 SOP08
  P-MOSFET 30V 20V 28,1mOhm 9,8A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
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IRF9510SPBF P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 4A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9510SPBF; IRF9510STRRPBF; IRF9510STRLPBF;
IRF9510SPBF D2PAK
  P-MOSFET 100V 20V 1,2Ohm 4A 43W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK VISHAY
 
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IRF9540N TO220 100V 23A 140W 0.117?@10V,11A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS
IRF9540N TO220 TO220
 
 
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IRFB20N50KPBF N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 250 mOhm; 20A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C;
IRFB20N50KPBF TO220
  N-MOSFET 500V 30V 250mOhm 20A 280W THT -55°C ~ 150°C TO220 VISHAY
 
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IRFB23N15DPBF Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 90mOhm; 23A; 136W; -55 °C ~ 175 °C;
IRFB23N15DPBF Infineon TO220AB
  N-MOSFET 150V 30V 90mOhm 23A 136W THT -55°C ~ 175°C TO220AB Infineon (IRF)
 
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IRFB3256PBF N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,4 mOhm; 206A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
IRFB3256PBF TO220
  N-MOSFET 60V 20V 3,4mOhm 206A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
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IRFB4110 UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
IRFB4110 UMW TO220
  N-MOSFET 100V 20V 4,5mOhm 180A 370W THT -55°C ~ 175°C TO220 UMW
 
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IRFB41N15D N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 45mOhm; 41A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB41N15DPBF;
IRFB41N15D TO220
  N-MOSFET 150V 30V 45mOhm 41A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
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IRFHM9331 Infineon P-MOSFET 30V 14,6mΩ 2.8W IRFM9331TRPBF
IRFHM9331 Infineon PQFN08 (6x5mm)
  P-MOSFET 30V 25V 10mOhm 11A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C PQFN08 (6x5mm) Infineon (IRF)
 
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IRFI4212H-117P TO220/5Qiso 2xN-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 72,5 mOhm; 11A; 18W; -55 °C ~ 150 °C; IRFI4212H-117PXKMA1;
IRFI4212H-117P TO220/5Qiso TO220/5Q iso
  2xN-MOSFET 100V 20V 72,5mOhm 11A 18W THT -55°C ~ 150°C TO220/5Q iso Infineon (IRF)
 
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IRFI4410ZPBF Infineon N-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 9,3 mOhm; 43A; 47W; -55 °C ~ 175 °C;
IRFI4410ZPBF Infineon TO220FP
  N-MOSFET 100V 30V 9,3mOhm 43A 47W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.