Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
MMFTN6001 MOSFET, SOT-23, 60V, 0.440A, N, ODPOWIEDNIK: MMFTN6001-DIO;
MMFTN6001 SOT23
 
 
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MMFTP3401 DIOTEC Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: MMFTP3401-DIO;
MMFTP3401 DIOTEC SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-05-31
Anzahl der Stücke: 3000
                     
MMFTP84 Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R MMFTP84-DIO;
MMFTP84 SOT23
 
 
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MSJPF11N65-BP N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MSJPF11N65-BP  
 
 
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MTD3055VL N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 180 mOhm; 12A; 48W; -55 °C ~ 175 °C;
MTD3055VL TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 60V 15V 180mOhm 12A 48W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
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NDT456P SOT223 P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 54mOhm; 7,5A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
NDT456P SOT223 SOT223
  P-MOSFET 30V 20V 54mOhm 7,5A 3W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 ON SEMICONDUCTOR
 
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NTD25P03LG DPAK UMW NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
NTD25P03LG DPAK UMW TO252 (DPACK)
 
 
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NTD2955-1G P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 12A; 55W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: NTD2955T4G; NTD2955G;
NTD2955-1G TO251 (IPACK)
  P-MOSFET 60V 20V 180mOhm 12A 55W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
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NTD5862NT4G Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK
NTD5862NT4G DPAK
 
 
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NTD5865N TO252 TO252 (DPACK)
 
 
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NTD5867NLT4G N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; OBSOLETE;
NTD5867NLT4G TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 50mOhm 20A 36W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
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NTLUS3A18PZTAG P-MOSFET 20V 8.2A 18mΩ 700mW
NTLUS3A18PZTAG uDFN06
  P-MOSFET -20V 8V 18mOhm -8,2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C UDFN6 ON SEMICONDUCTOR
 
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G33N03D52 MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 30V; 33A; 29W; 1,85 V; 8m?; 26m? NTMFD4C20NT1G; NTMFD4C20NT3G
G33N03D52 DFN08(5x6)
 
 
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10N65 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F 10N65-LGE
10N65 TO220iso
 
 
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NVBG015N065SC1 onsemi SIC MOS D2PAK-7L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NVBG015N065SC1 onsemi  
 
 
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NVD5C648NLT4G Trans MOSFET Single N-Channel Power; 60V; 18A; Automotive;
NVD5C648NLT4G DPAK
 
 
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NVH4L015N065SC1 onsemi SIC MOS TO247-4L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NVH4L015N065SC1 onsemi  
 
 
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NVMFS6B14NLT1G Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL
NVMFS6B14NLT1G DFN5
 
 
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NVMFWS014P04M8LT1G P-Channel 40 V 12.5A (Ta), 52.1A (Tc) 3.6W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFWS014P04M8LT1G DFN5
 
 
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NVTFS5116PLWFTAG Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP
NVTFS5116PLWFTAG WDFN8(5x6)
 
 
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NXH010P120MNF1PG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PG onsemi  
 
 
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NXH010P120MNF1PNG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PNG onsemi  
 
 
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NXH010P120MNF1PTNG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PTNG onsemi  
 
 
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PD20015-E STMicroelectronics Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
PD20015-E  STMicroelectronics PowerSO-10
 
 
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PE537BA PDFN3x3 MOSFETs ROHS
PE537BA  
 
 
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PYES3404_R1_00001 SOT-23, MOSFET PYES3404-R1; PYES3404_R2_00001; PYES3404_R1_00001;
PYES3404_R1_00001 SOT23
 
 
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PYES3415A_R1_00001 SOT-23, MOSFET PYES3415A_R1_00001; PYES3415A_R2_00001
PYES3415A_R1_00001 SOT23
 
 
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PYES3461_R1_00001 SOT-23, MOSFET PYES3461_R1_00001; PYES3461_R2_00001;
PYES3461_R1_00001 SOT-23 t/r
 
 
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PMV30ENEAR PMV30ENEA/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PMV30ENEAR TO236AB
 
 
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PSMN2R4-30MLDX Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD115
PSMN2R4-30MLDX LFPAK
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.