Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10,7 mOhm; 120A; 405 W; -55 °C ~ 175 °C;
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 100V 20V 10,7mOhm 120A 405W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) NXP
 
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PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PSMN4R2-80YSEX LFPAK56 (SOT669)
 
 
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PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc. PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.  
 
 
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PTL03N10 SOT-23 Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-23 Odpowiednik: AOSS62934; FDN8601;
PTL03N10 SOT-23 SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-15
Anzahl der Stücke: 3000
                     
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3) Podobny do SIS438DN-T1-GE3; (PTQ6002 RDS smaller)
PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3)  
 
 
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R6015KNX Rohm Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 290 mOhm; 15A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
R6015KNX Rohm Semiconductor TO220FP
  N-MOSFET 600V 30V 290mOhm 15A 60W THT -55°C ~ 150°C TO220FP ROHM
 
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RD01MUS2B-T113 N-MOSFET-Transistor; 25V; 10V; 600mA; 3,6 W; -40 °C ~ 125 °C;
RD01MUS2B-T113 SOT89
  N-MOSFET 25V 10V 600mA 3,6W SMD -40°C ~ 125°C SOT89 Mitsubishi Electric
 
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RFD14N05L N-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 10V; 100 mOhm; 14A; 48W; -55 °C ~ 175 °C;
RFD14N05L TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 50V 50V 10V 100mOhm 14A 48W THT -55°C ~ 175°C TO251 (IPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
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RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor HSMT8 (3.2x3)
 
 
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RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM SOT883
 
 
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RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM DFN1010-3W
 
 
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SI1330EDL Trans MOSFET N-CH 60V 0,24A 3-Pin SC-70 Äquivalent: SI1330EDL-T1-E3;
SI1330EDL SC70-3
 
 
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SI1902DL-T1-E3 2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 630 mOhm; 660mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
SI1902DL-T1-E3 SC70-6
  2xN-MOSFET 20V 12V 630mOhm 660mA 270mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 VISHAY
 
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TPM2301LS3 SOT23 SI2301; YFW2301B; TPM2301LS3;
TPM2301LS3 SOT23 SOT23
 
 
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KSI2302CDS-T1-GE3 KUU N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; KSI2302CDS-T1-GE3;
KSI2302CDS-T1-GE3 KUU SOT23
  N-MOSFET 20V 10V 59mOhm 2,9A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
 
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G29 MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -15V; -4,1A; 1,05 W; -0,55 V; ; 24m? SI2305-TP;
G29 SOT23
 
 
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SI2306-TP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620 mW; -55°C~150°C;
SI2306-TP SOT23
  N-MOSFET 30V 20V 65mOhm 20A 620mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MCC
 
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G05P06L P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
G05P06L SOT23
 
 
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AS3401 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 96mOhm; 4,4A; 1,2 W; -55°C~150°C;
AS3401 SOT23
  P-MOSFET 30V 12V 96mOhm 4,4A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
 
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LGE3415ES P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 ähnlich zu: SI3415B-TP;
LGE3415ES SOT23
  P-MOSFET -20V 10V 50mOhm -4A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
 
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SI3900DV 2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 200 mOhm; 2A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1; SI3900DV; SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1-GE3; SI3900DV-T3;
SI3900DV TSOP06
  2xN-MOSFET 20V 12V 200mOhm 2A 830mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 VISHAY
 
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SI4143DY-T1-GE3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin SOIC N
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY SOP08
 
 
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SI4410BDY-T1-E3 N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 7,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4410BDY-T1-GE3; SI4410BDY-E3; SI4134DY-T1-GE3;
SI4410BDY-T1-E3 SOP08
  N-MOSFET 30V 20V 20mOhm 7,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
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SI4410DY N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
SI4410DY SOP08
  N-MOSFET 30V 20V 20mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
 
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SI4435BDY P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
SI4435BDY SOP08
  P-MOSFET -30V 20V 20mOhm -9,1A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
G2K8P15S MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -150V; -2,2A; 2,5 W; -2,2 V; 277 m? Si4455DY;
G2K8P15S SOP08
 
 
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SI4463BDY P-MOSFET -13.7A -20V 3W 0.011Ω SI4463BDY-E3
SI4463BDY SOP08
  P-MOSFET -20V 12V 11mOhm -13,7A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
SI4463BDY BYCHIP SOP08
 
 
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SI4948EY-T1-E3 Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
SI4948EY-T1-E3 SOP08
  2xP-MOSFET 60V 20V 150mOhm 3,1A 2,4W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 VISHAY
 
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SI4963DY VISHAY 2xP-MOSFET 20V 12V ID6,2A veraltet; Äquivalent: SI4963DY-T1-E3
SI4963DY VISHAY SOIC08
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.