Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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PSMN3R7-100BSE NEXPERIA
N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10,7 mOhm; 120A; 405 W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10,7mOhm | 120A | 405W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc.
PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88 transistors - fets, mosfets - single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PTL03N10 SOT-23
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-23 Odpowiednik: AOSS62934; FDN8601;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-15
Anzahl der Stücke: 3000
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PTQ6002 PDFN3333 (=SIS438DN-T1-GE3)
Podobny do SIS438DN-T1-GE3; (PTQ6002 RDS smaller)
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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R6015KNX Rohm Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 290 mOhm; 15A; 60W; -55 °C ~ 150 °C; TO-220-3 Full Pack
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N-MOSFET | 600V | 30V | 290mOhm | 15A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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RD01MUS2B-T113
N-MOSFET-Transistor; 25V; 10V; 600mA; 3,6 W; -40 °C ~ 125 °C;
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N-MOSFET | 25V | 10V | 600mA | 3,6W | SMD | -40°C ~ 125°C | SOT89 | Mitsubishi Electric | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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RFD14N05L
N-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 10V; 100 mOhm; 14A; 48W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
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RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
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SI1330EDL
Trans MOSFET N-CH 60V 0,24A 3-Pin SC-70 Äquivalent: SI1330EDL-T1-E3;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI1902DL-T1-E3
2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 630 mOhm; 660mA; 270 mW; -55 °C ~ 150 °C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
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2xN-MOSFET | 20V | 12V | 630mOhm | 660mA | 270mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | VISHAY | ||||
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TPM2301LS3 SOT23
SI2301; YFW2301B; TPM2301LS3;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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KSI2302CDS-T1-GE3 KUU
N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; KSI2302CDS-T1-GE3;
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N-MOSFET | 20V | 10V | 59mOhm | 2,9A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||
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G29
MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -15V; -4,1A; 1,05 W; -0,55 V; ; 24m? SI2305-TP;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI2306-TP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620 mW; -55°C~150°C;
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N-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 20A | 620mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G05P06L
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AS3401
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 96mOhm; 4,4A; 1,2 W; -55°C~150°C;
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P-MOSFET | 30V | 12V | 96mOhm | 4,4A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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LGE3415ES
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 ähnlich zu: SI3415B-TP;
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P-MOSFET | -20V | 10V | 50mOhm | -4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI3900DV
2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 200 mOhm; 2A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1; SI3900DV; SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1-GE3; SI3900DV-T3;
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2xN-MOSFET | 20V | 12V | 200mOhm | 2A | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4143DY-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin SOIC N
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4410BDY-T1-E3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 7,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4410BDY-T1-GE3; SI4410BDY-E3; SI4134DY-T1-GE3;
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N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 7,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4410DY
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4435BDY
P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
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P-MOSFET | -30V | 20V | 20mOhm | -9,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G2K8P15S
MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -150V; -2,2A; 2,5 W; -2,2 V; 277 m? Si4455DY;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4463BDY
P-MOSFET -13.7A -20V 3W 0.011Ω SI4463BDY-E3
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P-MOSFET | -20V | 12V | 11mOhm | -13,7A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4948EY-T1-E3
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
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2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 3,1A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4963DY VISHAY
2xP-MOSFET 20V 12V ID6,2A veraltet; Äquivalent: SI4963DY-T1-E3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.