Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5457)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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SI4143DY-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin SOIC N
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4410BDY-T1-E3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 7,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4410BDY-T1-GE3; SI4410BDY-E3; SI4134DY-T1-GE3;
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N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 7,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4410DY
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4435BDY
P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
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P-MOSFET | -30V | 20V | 20mOhm | -9,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G2K8P15S
MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -150V; -2,2A; 2,5 W; -2,2 V; 277 m? Si4455DY;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4463BDY
P-MOSFET -13.7A -20V 3W 0.011Ω SI4463BDY-E3
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P-MOSFET | -20V | 12V | 11mOhm | -13,7A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4948EY-T1-E3
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
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2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 3,1A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI4963DY VISHAY
2xP-MOSFET 20V 12V ID6,2A veraltet; Äquivalent: SI4963DY-T1-E3
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI5618-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI7818DN-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SI7998DP-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G180N06S2
MOSFET-Transistor; SOP-8; DUAL; N-Channel; NO ESD; 60V; 8A; 2W; 1,5 V; 16,5 m?; 18m? Si4946CDY; Si9945BDY; Si9634DY; G05N06S2 GOFORD; G06N06S2 GOFORD; G09N06S2 GOFORD
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SIA431DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SISS52DN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SISS76LDN-T1-GE3
P-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SPA16N50C3
Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA16N50C3XKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SPD02N80C3
N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 6,5 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD02N80C3ATMA1; SPD02N80C3BTMA1;
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N-MOSFET | 800V | 20V | 6,5Ohm | 2A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SQ2319ADS-T1
MOSFET-Transistor, P-Channel, -4.6 A, 40 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V VISHAY SQ2319ADS-T1_BE3; SQ2319ADS-T1_GE3;
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P-MOSFET | -40V | 20V | 68mOhm | -4,6A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-59 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SQD40081EL_GE3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 13,1 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C;
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P-MOSFET | 40V | 20V | 13,1mOhm | 50A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SQD50034EL_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 250 V (D-S) Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SQM120P06-07L
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 120A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SQM120P06-07L_GE3; SQM120P06-07L-GE3;
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P-MOSFET | 60V | 20V | 13mOhm | 120A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SQM40016EM_GE3
MOSFET N-CHAN 40V SQM40016EM-GE3; SQM40016EM_GE3;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SQM90142E_GE3
MOSFET N-CH 200V 95A TO263 SQM90142E_GE3;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SSA47N60S SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 600V | 30V | 70mOhm | 47A | 391W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | SUPER SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SSM6J512NU
Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 6-Pin UDFN-B EP Odpowiednik: SSM6J512NU,LF; SSM6J512NU,LF(T;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SSM6N951L,EFF
SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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SSP20N60S SUPER SEMICONDUCTOR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 205W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 600V | 30V | 190mOhm | 20A | 205W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | SUPER SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.