Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5457)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 30V 17.7A 8-Pin SOIC N
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY SOP08
 
 
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SI4410BDY-T1-E3 N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 7,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4410BDY-T1-GE3; SI4410BDY-E3; SI4134DY-T1-GE3;
SI4410BDY-T1-E3 SOP08
  N-MOSFET 30V 20V 20mOhm 7,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
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SI4410DY N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
SI4410DY SOP08
  N-MOSFET 30V 20V 20mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
 
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SI4435BDY P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
SI4435BDY SOP08
  P-MOSFET -30V 20V 20mOhm -9,1A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
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G2K8P15S MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -150V; -2,2A; 2,5 W; -2,2 V; 277 m? Si4455DY;
G2K8P15S SOP08
 
 
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SI4463BDY P-MOSFET -13.7A -20V 3W 0.011Ω SI4463BDY-E3
SI4463BDY SOP08
  P-MOSFET -20V 12V 11mOhm -13,7A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
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SI4463BDY BYCHIP SOP08
 
 
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SI4948EY-T1-E3 Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
SI4948EY-T1-E3 SOP08
  2xP-MOSFET 60V 20V 150mOhm 3,1A 2,4W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 VISHAY
 
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SI4963DY VISHAY 2xP-MOSFET 20V 12V ID6,2A veraltet; Äquivalent: SI4963DY-T1-E3
SI4963DY VISHAY SOIC08
 
 
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SI5618-TP P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SI5618-TP SOT23
 
 
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SI7818DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212
SI7818DN-T1-E3 VISHAY PPAK1212
 
 
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SI7998DP-T1-GE3 VISHAY Trans MOSFET N-CH 30V 15A/21A 8-Pin PowerPAK SO
SI7998DP-T1-GE3 VISHAY  
 
 
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G180N06S2 MOSFET-Transistor; SOP-8; DUAL; N-Channel; NO ESD; 60V; 8A; 2W; 1,5 V; 16,5 m?; 18m? Si4946CDY; Si9945BDY; Si9634DY; G05N06S2 GOFORD; G06N06S2 GOFORD; G09N06S2 GOFORD
G180N06S2 SOP08
 
 
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SIA431DJ-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
SIA431DJ-T1-GE3 PPAK-SC70-6
 
 
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SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PPAK-SO8
 
 
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SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix  
 
 
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SISS52DN-T1-GE3 N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SISS52DN-T1-GE3  
 
 
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SISS76LDN-T1-GE3 P-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SISS76LDN-T1-GE3  
 
 
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SPA16N50C3 Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3 TO220iso
 
 
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SPD02N80C3 N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 6,5 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD02N80C3ATMA1; SPD02N80C3BTMA1;
SPD02N80C3 TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 800V 20V 6,5Ohm 2A 42W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
 
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SQ2319ADS-T1 MOSFET-Transistor, P-Channel, -4.6 A, 40 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V VISHAY SQ2319ADS-T1_BE3; SQ2319ADS-T1_GE3;
SQ2319ADS-T1 SC-59
  P-MOSFET -40V 20V 68mOhm -4,6A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SC-59 VISHAY
 
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SQD40081EL_GE3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 13,1 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C;
SQD40081EL_GE3 TO252
  P-MOSFET 40V 20V 13,1mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VISHAY
 
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SQD50034EL_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 250 V (D-S) Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SQD50034EL_GE3 TO252 (DPACK) t/r
 
 
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SQM120P06-07L P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 120A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SQM120P06-07L_GE3; SQM120P06-07L-GE3;
SQM120P06-07L TO263
  P-MOSFET 60V 20V 13mOhm 120A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 VISHAY
 
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SQM40016EM_GE3 MOSFET N-CHAN 40V SQM40016EM-GE3; SQM40016EM_GE3;
SQM40016EM_GE3 TO263
 
 
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SQM90142E_GE3 MOSFET N-CH 200V 95A TO263 SQM90142E_GE3;
SQM90142E_GE3 D2PAK
 
 
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SSA47N60S SUPER SEMICONDUCTOR N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55 °C ~ 150 °C;
SSA47N60S SUPER SEMICONDUCTOR TO 3P
  N-MOSFET 600V 30V 70mOhm 47A 391W THT -55°C ~ 150°C TO 3P SUPER SEMICONDUCTOR
 
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SSM6J512NU Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 6-Pin UDFN-B EP Odpowiednik: SSM6J512NU,LF; SSM6J512NU,LF(T;
SSM6J512NU uDFN06
 
 
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SSM6N951L,EFF SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SSM6N951L,EFF TCSPA6 (2.14x1.67)
 
 
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SSP20N60S SUPER SEMICONDUCTOR N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 205W; -55 °C ~ 150 °C;
SSP20N60S SUPER SEMICONDUCTOR TO220
  N-MOSFET 600V 30V 190mOhm 20A 205W THT -55°C ~ 150°C TO220 SUPER SEMICONDUCTOR
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.