Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5457)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Drainstrom
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Gehäuse
Hersteller
TK100E08N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Äquivalent: TK100E08N1,S1X(S; TK100E08N1,S1X; TK100E08N1;
TK100E08N1,S1X(S TO220
 
 
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TK110P10PL,RQ(S2 Mosfet, N-ch, 100V, 40A, TO-252
TK110P10PL,RQ(S2 TO252
 
 
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TK40E06N1,S1X(S Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine TK40E06N1 TK40E06N1,S1X(S
TK40E06N1,S1X(S TO220
 
 
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TPC8124 SOP8 TOSHIBA Trans MOSFET P-CH Si 40V 12A 8-Pin SOP T/R TPC8124(TE12L,Q,M); TPC8124(TE12L,V); TPC8124(TE12L,V,M);
TPC8124 SOP8 TOSHIBA SOP08
 
 
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TPH2R608NH,L1Q Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance TPH2R608NH,L1Q(M
TPH2R608NH,L1Q SOP08
 
 
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TSM1N60CP N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 8Ohm; 1A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM1N60LCP;
TSM1N60CP TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 600V 30V 8Ohm 1A 50W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) TAI-SEM
 
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TSM2301ACX RFG P-Ch 20V 2,8A 0,7W 0,13R SOT23 TSM2301ACX ; TSM2301ACX RFG ;
TSM2301ACX RFG SOT23
 
 
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TSM2301CX P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 190 mOhm; 2,8A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; LGE2301;
TSM2301CX SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 3000
                     
PT2301B SOT23(T/R) HT SEMI ODPOWIEDNIK: TSM2301ACX RFG;
PT2301B SOT23(T/R) HT SEMI SOT23
 
 
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TSM2302CX N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent:TSM2302CX RFG; LGE2302;
TSM2302CX SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-24
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G2305 MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -20V; -4,8A; 1,7 W; -0,7V; ; 45m?~52m? TSM650P02CXRFG;
G2305 SOT23
 
 
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UJ4SC075006K4S 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
UJ4SC075006K4S  
 
 
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UT6K3TCR DFN2020-8 ROHM Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.5A
UT6K3TCR DFN2020-8 ROHM DFN08
 
 
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YJD20N06A-F1-0000HF N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
YJD20N06A-F1-0000HF TO252
                         
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Geplantes Datum: 2025-05-10
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YJL02N10A-F2-0000HF N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L YJL02N10A; YJL02N10A-YAN;
YJL02N10A-F2-0000HF SOT23
 
 
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YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Elec Tech N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L Entspricht 03N06 (Goford), RHK003N06FRAT146 (Rohm)
YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Elec Tech SOT23-3
 
 
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YJL03N06C YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C.
YJL03N06C SOT23
                         
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YJL05N04A-F2-0000HF N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
YJL05N04A-F2-0000HF SOT23
 
 
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YJL05N04C YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C.
YJL05N04C SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-05-10
Anzahl der Stücke: 3000
                     
YJM04N10A Trans; N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 16A, 2.5W; +-20V; 0.12Oh YJM04N10A-YAN
YJM04N10A SOT223
                         
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Anzahl der Stücke: 2500
                     
ZVN4206GTC Trans MOSFET N-CH 60V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
ZVN4206GTC  
 
 
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ZXM61N02FTA SOT-23-3 MOSFETs ROHS ZXM61N02FTA-VB;
ZXM61N02FTA SOT23
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-30
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ZXMS6008FFQ-7 N-Channel Self Protected Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
ZXMS6008FFQ-7  
 
 
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AUIR3313S INTERNATIONAL RECTIFIER Power Switch Hi Side 7A AUIR3313STRL(800pcs/reel) ; AUIR3313S(50pcs/Tube) AUIR3313STRR
AUIR3313S INTERNATIONAL RECTIFIER TO263/5(D2PAK)
  THT -40°C ~ 150°C TO263/5(D2PAK) International Rectifier
 
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BSS138 BORN N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138RFG;
BSS138 BORN SOT23
                         
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N-MOSFET 50V 50V 20V 3,5Ohm 200mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 BORN
                           
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Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 3000
                     
2N7000 CJ N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
2N7000 CJ TO92
  N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 CJ
 
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2N7000 TO92(ammo formed PIN) CJ N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-CJ; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
2N7000 TO92(ammo formed PIN) CJ TO92ammoformed
  N-MOSFET 60V 60V 20V 5,3Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92ammoformed CJ
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.