Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
IRFI4510GPBF Infineon N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 13,5 mOhm; 35A; 42W; -55 °C ~ 175 °C;
IRFI4510GPBF Infineon TO220
  N-MOSFET 100V 20V 13,5mOhm 35A 42W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
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IRFIZ48NPBF Infineon N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 16mOhm; 40A; 54W; -55 °C ~ 175 °C;
IRFIZ48NPBF Infineon TO220FP
  N-MOSFET 55V 20V 16mOhm 40A 54W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
 
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IRFL9110 P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 1,1A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;
IRFL9110 SOT223
 
 
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IRFP064N TO247
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFP4410ZPBF N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9mOhm; 97A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4410ZPBF; IRFP4410Z;
IRFP4410ZPBF TO247
  N-MOSFET 100V 20V 9mOhm 97A 230W THT -55°C ~ 175°C TO247 Infineon (IRF)
 
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IRFP4710 N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 72A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4710PBF;
IRFP4710 TO247
  N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 72A 190W THT -55°C ~ 175°C TO247 International Rectifier
 
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IRFPS37N50A SUPER247 N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 130 mOhm; 36A; 446 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFPS37N50APBF;
IRFPS37N50A SUPER247 SUPER-247
  N-MOSFET 500V 30V 130mOhm 36A 446W THT -55°C ~ 150°C SUPER-247 VISHAY
 
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IRFR024N N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 33mOhm; 25A; 50W; -55°C~175°C;
IRFR024N TO252
  N-MOSFET 60V 20V 33mOhm 25A 50W SMD -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
 
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IRFR13N20DTRPBF N-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 235 mOhm; 13A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR13N20DTRPBF; IRFR13N20DPBF; IRFR13N20D;
IRFR13N20DTRPBF TO252
  N-MOSFET 200V 30V 235mOhm 13A 110W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Infineon (IRF)
 
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IRFR220NTR N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; IRFR220NTRPBF;
IRFR220NTR TO252
 
 
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IRFR3607TRPBF N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF;
IRFR3607TRPBF TO252 (DPACK)
 
 
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IRFR3710Z TO252(DPAK) RoHS IRFR3710ZTR-VB; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRPBF-VB;
IRFR3710Z TO252(DPAK) RoHS DPAK
 
 
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IRFR3910 N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 115 mOhm; 16A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3910TRPBF; IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910PBF-GURT
IRFR3910 TO252 (DPACK)
 
 
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IRFR3910 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 100 mOhm; 14,7A; 34,7 W; -55°C~150°C;
IRFR3910 TO252
  N-MOSFET 100V 20V 100mOhm 14,5A 34,7W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
 
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IRFR5305TRPBF TO252 (DPACK)
 
 
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IRFR5410 smd P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 205 mOhm; 13A; 66W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT
IRFR5410 smd TO252 (DPACK)
 
 
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IRFR5505 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 8,5A; 60W; -55°C~175°C;
IRFR5505 TO252
  P-MOSFET 60V 20V 110mOhm 8,5A 60W THT -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
 
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G2K8P15K MOSFET-Transistor; TO-252; P-Channel; NO ESD; -150V; -12A; 59W; -2,2 V; 271 m? IRFR6215;
G2K8P15K TO252
 
 
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IRFR7546 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 71A; 99W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR7546PBF; IRFR7546TRPBF; IRFR7546PBF-GURT;
IRFR7546 TO252 (DPACK)
 
 
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IRFR8314TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR8314TRPBF TO252 (DPACK)
 
 
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IRFR9014 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 13A; 60W; -55°C~175°C;
IRFR9014 TO252
  P-MOSFET 60V 20V 110mOhm 13A 60W THT -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
CJU12P10/TO-252-2L P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9024NTRPBF;
CJU12P10/TO-252-2L TO252
                         
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-24
Anzahl der Stücke: 200
                     
IRFR9024N P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 13A; 60W; -55°C~150°C;
IRFR9024N TO252
  P-MOSFET 60V 20V 110mOhm 13A 60W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
 
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IRFR9024NTRPBF TO-252 MOSFETs ROHS
IRFR9024NTRPBF TO252
 
 
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TPIRFR9024TRPBF P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 8,5A; 60W; -55°C~175°C;
TPIRFR9024TRPBF TO252
  P-MOSFET 60V 20V 110mOhm 8,5A 60W THT -55°C ~ 175°C TO252 TECH PUBLIC
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFR9120N P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~150°C;
IRFR9120N TO252
  P-MOSFET 100V 20V 110mOhm 13A 66W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
 
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IRFS3806 N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15,8 mOhm; 43A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS3806TRLPBF;
IRFS3806 TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 60V 20V 15,8mOhm 43A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
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IRFS4410 N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10mOhm; 96A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4410PBF; IRFS4410TRLPBF;
IRFS4410 TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 20V 10mOhm 96A 250W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
GT080N10M MOSFET-Transistor; TO-263; N-Channel; NO ESD; 100V; 70A; 100 W; 2V; 6m?; 9m? SUM60N10-17; IRFS4510PbF
GT080N10M TO263
 
 
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IRFS4610 N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 73A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4610PBF; IRFS4610TRLPBF;
IRFS4610 TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 73A 190W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.