Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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IPP034N03LG
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP034N03LGXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF1404
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF1404 JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF; SP001561374;
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N-MOSFET | 40V | 20V | 4mOhm | 230A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF3205PBF-ML MOSLEADER
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3205PBF; SP001559536;
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N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 80A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF3205S JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF; IRF3205STRLPBF; IRF3205STRRPBF; SP001576776; SP001576758; SP001564448;
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N-MOSFET | 55V | 20V | 8mOhm | 110A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | JSMICRO | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF3710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF3710PBF-ML MOSLEADER
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 80A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF3711
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8,5 mOhm; 110A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF3711PBF;
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N-MOSFET | 20V | 20V | 8,5mOhm | 110A | 120W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF3808PBF-ML MOSLEADER
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3808PBF; SP001563250;
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N-MOSFET | 80V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF4905
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF5210 TO220
110V 35A 26m?@10V,15A 180W 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS IRF5210PBF-JSM; IRF5210PBF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF530NS TO-263-2 VBsemi Elec
100V 20A 1V 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G45P40T
MOSFET-Transistor; TO-220; P-Channel; NO ESD; -40V; -45A; 80W; ; -1,5 V; 10,5 m?; 15m? IRF5305;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF5305PBF JSMICRO
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5305PBF; SP001564354;
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P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 35A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF530N JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF530N
TO-220AB MOSFETs ROHS IRF530NPBF; IRF530N-VB; IRF530NPBF-VB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF540
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP30NF10 IRF540PBF
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N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 28A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF540N
100V 35A 25m?@10V,12A 70W 2,3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF6215
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF6215LPBF IRF6215PBF
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF6218S
P-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 150 mOhm; 27A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF6218SPBF, IRF6218STRLPBF
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P-MOSFET | 150V | 20V | 150mOhm | 27A | 250W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF640NS D2PAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT; IRF640NSTRRPBF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 100
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF7103TR UMW
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103PBF; IRF7103TRPBF; SP001563458; SP001562004;
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2xN-MOSFET | 50V | 20V | 40mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF7204 smd
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 100 mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; VERALTET: IRF7204TRPBF; IRF7204PBF; ähnlich zu: IRF7204TRPBF-VB;
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P-MOSFET | 20V | 12V | 100mOhm | 5,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF7204TR UMW
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7204PBF; IRF7204TRPBF; SP001574762; SP001551198;
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P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 5,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF7204TR
20V 13A 15mOhm@4.5V,13A P Channel SOP-8-4.0mm MOSFETs IRF7204TR-VB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRF7210
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 10mOhm; 16A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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P-MOSFET | 12V | 12V | 10mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G13P04S
MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -40V; -13A; 3W; -1,8 V; 13m? IRF7240TRPBF; DMP4025LK3Q
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.