Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
IPP034N03LG Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP034N03LGXKSA1
IPP034N03LG TO220
 
 
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IRF1404 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
IRF1404 TO220
 
 
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IRF1404 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF; SP001561374;
IRF1404 JSMICRO TO220
  N-MOSFET 40V 20V 4mOhm 230A 285W THT -55°C ~ 175°C TO220 JSMICRO
 
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IRF3205PBF-ML MOSLEADER N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3205PBF; SP001559536;
IRF3205PBF-ML MOSLEADER TO220
  N-MOSFET 60V 20V 12mOhm 80A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220 MOSLEADER
 
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IRF3205S JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF; IRF3205STRLPBF; IRF3205STRRPBF; SP001576776; SP001576758; SP001564448;
IRF3205S JSMICRO TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 55V 20V 8mOhm 110A 200W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) JSMICRO
 
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IRF3710 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
IRF3710 TO220
 
 
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IRF3710PBF-ML MOSLEADER N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
IRF3710PBF-ML MOSLEADER TO220
  N-MOSFET 100V 20V 10mOhm 80A 125W THT -55°C ~ 150°C TO220 MOSLEADER
 
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IRF3711 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8,5 mOhm; 110A; 120 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF3711PBF;
IRF3711 TO220
  N-MOSFET 20V 20V 8,5mOhm 110A 120W THT -55°C ~ 150°C TO220 International Rectifier
 
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IRF3808PBF-ML MOSLEADER N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3808PBF; SP001563250;
IRF3808PBF-ML MOSLEADER TO220
  N-MOSFET 80V 20V 4,5mOhm 130A 192W THT -55°C ~ 150°C TO220 MOSLEADER
 
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IRF4905 P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
IRF4905 TO220
 
 
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IRF5210 TO220 110V 35A 26m?@10V,15A 180W 1 Piece P-Channel TO-220 MOSFETs ROHS IRF5210PBF-JSM; IRF5210PBF;
IRF5210 TO220 TO220
 
 
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IRF530NS TO-263-2 VBsemi Elec 100V 20A 1V 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
IRF530NS TO-263-2 VBsemi Elec TO263
 
 
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G45P40T MOSFET-Transistor; TO-220; P-Channel; NO ESD; -40V; -45A; 80W; ; -1,5 V; 10,5 m?; 15m? IRF5305;
G45P40T TO220
 
 
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IRF5305PBF JSMICRO P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5305PBF; SP001564354;
IRF5305PBF JSMICRO TO220
  P-MOSFET 60V 20V 55mOhm 35A 110W THT -55°C ~ 150°C TO220 JSMICRO
 
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IRF530N JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF530PBF; IRF530PBF-BE3; IRF530NPBF; SP001570120;
IRF530N JSMICRO TO220
  N-MOSFET 100V 20V 38mOhm 33A 110W THT -55°C ~ 150°C TO220 JSMICRO
 
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IRF530N TO-220AB MOSFETs ROHS IRF530NPBF; IRF530N-VB; IRF530NPBF-VB;
IRF530N TO220
 
 
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IRF540 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 77mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP30NF10 IRF540PBF
IRF540 TO220
  N-MOSFET 100V 20V 77mOhm 28A 150W THT -55°C ~ 175°C TO220
 
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IRF540N 100V 35A 25m?@10V,12A 70W 2,3V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
IRF540N TO220
 
 
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IRF6215 Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF6215LPBF IRF6215PBF
IRF6215 TO220
 
 
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IRF6218S P-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 150 mOhm; 27A; 250 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF6218SPBF, IRF6218STRLPBF
IRF6218S TO263 (D2PAK)
  P-MOSFET 150V 20V 150mOhm 27A 250W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
 
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IRF640NS D2PAK Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF640NSTRLPBF; IRF640NSPBF; IRF640NSPBF-GURT; IRF640NSTRRPBF;
IRF640NS D2PAK TO263 (D2PAK)
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 100
                     
TO263 (D2PAK)
 
 
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IRF7103TRPBF SOIC8 TECH PUBLIC SOP08
 
 
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IRF7103TR UMW 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103PBF; IRF7103TRPBF; SP001563458; SP001562004;
IRF7103TR UMW SOP08
  2xN-MOSFET 50V 20V 40mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
 
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IRF7103TR-VB SOP8 VBsemi Elec SOP08
 
 
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IRF7204 smd P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 100 mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; VERALTET: IRF7204TRPBF; IRF7204PBF; ähnlich zu: IRF7204TRPBF-VB;
IRF7204 smd SOP08
  P-MOSFET 20V 12V 100mOhm 5,3A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
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IRF7204TR UMW P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5.1A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7204PBF; IRF7204TRPBF; SP001574762; SP001551198;
IRF7204TR UMW SOP08
  P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 5,1A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
 
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IRF7204TR 20V 13A 15mOhm@4.5V,13A P Channel SOP-8-4.0mm MOSFETs IRF7204TR-VB;
IRF7204TR SOP08
 
 
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IRF7210 P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 10mOhm; 16A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
IRF7210 SOP08
  P-MOSFET 12V 12V 10mOhm 16A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
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G13P04S MOSFET-Transistor; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -40V; -13A; 3W; -1,8 V; 13m? IRF7240TRPBF; DMP4025LK3Q
G13P04S SOP08
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.