Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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G30N03D3 Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ AON7466;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G3404B Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M SI3404-TP; TSM240N03CXRFG
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G3404LL Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M; SOT-23-6 FDC645N; FDC655BN;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G40P03D5
MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; P-Channel; NO ESD; -30V; -35A; 48W; -1,4 V; 8,5 m?; 11,5 m?
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G40P03K Goford Semiconductor
P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)< Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G45P02D3 Goford Semiconductor
P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)< AON7421;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G48N03D3 Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4 AON7400AL_101; AON7400AL_102;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G50N03J Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G50N03K Goford Semiconductor
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@; TO-252 IPD040N03L-G; IRLR7843
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G60N04K Goford Semiconductor
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@; TO-252 DMTH47M2SK3 Diodes; AOD66406
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G60N10T Goford Semiconductor
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30; TO-220 FDP3651U;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G65P06F Goford Semiconductor
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10; TO-220F FQPF47P06; IRFZ44NPBF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G65P06K Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3. AOD4185; FQD11P06;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G65P06T Goford Semiconductor
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V; TO220 FQP47P06; FCP360N65S3R0; G300P06T GOFORD; G120P06T GOFORD
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G6P06 Goford Semiconductor
P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14; SOP-8 FDS9958; FDFS2P106A; G400P06S GOFORD; G06NP06S2 GOFORD; G2K2P10SE GOFORD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G70N04T Goford Semiconductor
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@; TO-220 AOT240L;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G70P02K Goford Semiconductor
P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX); TO-252 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G75P04K Goford Semiconductor
P40V,RD(MAX)<10M@-10V; TO-252 SUD50P04-09L
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G7P03L Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34 AOSP32314
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G7P03S Goford Semiconductor
P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33; SOP-8 IRF9332; FDS8984;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G86N06K Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,; TO-252 DMT6006LK3; IRFR1018E;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GC11N65F Goford Semiconductor
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4; TO-220F FCP360N65S3R0; FCP260N65S3; GC11N65T TO220 GOFORD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GC11N65K Goford Semiconductor
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4; TO-252 NTD360N65S3H; NTD250N65S3H;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GC11N65T Goford Semiconductor
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4; TO-220 FCP360N65S3R0; GC11N65F TO-220F GOFORD;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT007N04TL
MOSFET-Transistor; Maut-8L; N-Channel; NO ESD; 40V; 150A; 156W; 1,5 V; 1,2 m?; 1,6 m?
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT025N06D5 Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3. AON6260
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT035N06T Goford Semiconductor
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V; TO-220 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT045N10M
MOSFET-Transistor; TO-263; N-Channel; NO ESD; 100V; 120A; 180 W; 3V; 3,8 m?;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT045N10T
MOSFET-Transistor; TO-220; N-Channel; NO ESD; 100V; 150A; 156W; 3V; 4,3 m?
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT060N04D3 Goford Semiconductor
N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10 AONR66406;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.