Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
G30N03D3 Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ AON7466;
G30N03D3 Goford Semiconductor  
 
 
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G3404B Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M SI3404-TP; TSM240N03CXRFG
G3404B Goford Semiconductor  
 
 
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G3404LL Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M; SOT-23-6 FDC645N; FDC655BN;
G3404LL Goford Semiconductor  
 
 
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G40P03D5 MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; P-Channel; NO ESD; -30V; -35A; 48W; -1,4 V; 8,5 m?; 11,5 m?
G40P03D5 DFN08(5x6)
 
 
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G40P03K Goford Semiconductor P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)< Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G40P03K Goford Semiconductor  
 
 
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G45P02D3 Goford Semiconductor P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)< AON7421;
G45P02D3 Goford Semiconductor  
 
 
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G48N03D3 Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4 AON7400AL_101; AON7400AL_102;
G48N03D3 Goford Semiconductor  
 
 
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G50N03J Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@ Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G50N03J Goford Semiconductor  
 
 
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G50N03K Goford Semiconductor N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@; TO-252 IPD040N03L-G; IRLR7843
G50N03K Goford Semiconductor  
 
 
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G60N04K Goford Semiconductor N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@; TO-252 DMTH47M2SK3 Diodes; AOD66406
G60N04K Goford Semiconductor  
 
 
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G60N10T Goford Semiconductor N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30; TO-220 FDP3651U;
G60N10T Goford Semiconductor  
 
 
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G65P06F Goford Semiconductor P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10; TO-220F FQPF47P06; IRFZ44NPBF;
G65P06F Goford Semiconductor  
 
 
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G65P06K Goford Semiconductor P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3. AOD4185; FQD11P06;
G65P06K Goford Semiconductor  
 
 
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G65P06T Goford Semiconductor P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V; TO220 FQP47P06; FCP360N65S3R0; G300P06T GOFORD; G120P06T GOFORD
G65P06T Goford Semiconductor  
 
 
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G6P06 Goford Semiconductor P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14; SOP-8 FDS9958; FDFS2P106A; G400P06S GOFORD; G06NP06S2 GOFORD; G2K2P10SE GOFORD;
G6P06 Goford Semiconductor  
 
 
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G70N04T Goford Semiconductor N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@; TO-220 AOT240L;
G70N04T Goford Semiconductor  
 
 
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G70P02K Goford Semiconductor P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX); TO-252 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G70P02K Goford Semiconductor  
 
 
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G75P04K Goford Semiconductor P40V,RD(MAX)<10M@-10V; TO-252 SUD50P04-09L
G75P04K Goford Semiconductor  
 
 
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G7P03L Goford Semiconductor P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34 AOSP32314
G7P03L Goford Semiconductor  
 
 
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G7P03S Goford Semiconductor P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33; SOP-8 IRF9332; FDS8984;
G7P03S Goford Semiconductor  
 
 
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G86N06K Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,; TO-252 DMT6006LK3; IRFR1018E;
G86N06K Goford Semiconductor  
 
 
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GC11N65F Goford Semiconductor N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4; TO-220F FCP360N65S3R0; FCP260N65S3; GC11N65T TO220 GOFORD;
GC11N65F Goford Semiconductor  
 
 
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GC11N65K Goford Semiconductor N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4; TO-252 NTD360N65S3H; NTD250N65S3H;
GC11N65K Goford Semiconductor  
 
 
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GC11N65T Goford Semiconductor N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4; TO-220 FCP360N65S3R0; GC11N65F TO-220F GOFORD;
GC11N65T Goford Semiconductor  
 
 
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GT007N04TL MOSFET-Transistor; Maut-8L; N-Channel; NO ESD; 40V; 150A; 156W; 1,5 V; 1,2 m?; 1,6 m?
GT007N04TL  
 
 
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GT025N06D5 Goford Semiconductor N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3. AON6260
GT025N06D5 Goford Semiconductor  
 
 
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GT035N06T Goford Semiconductor N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V; TO-220 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
GT035N06T Goford Semiconductor  
 
 
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GT045N10M MOSFET-Transistor; TO-263; N-Channel; NO ESD; 100V; 120A; 180 W; 3V; 3,8 m?;
GT045N10M TO263
 
 
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GT045N10T MOSFET-Transistor; TO-220; N-Channel; NO ESD; 100V; 150A; 156W; 3V; 4,3 m?
GT045N10T TO220
 
 
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GT060N04D3 Goford Semiconductor N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10 AONR66406;
GT060N04D3 Goford Semiconductor  
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.