Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5596)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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MMBFJ113
N-JFET-Transistor; 35V; 35V; 100Ohm; 2mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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N-JFET | 35V | 35V | 100Ohm | 2mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MMBFJ270 ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IMW65R027M1H
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 IMW65R027M1HXKSA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MSJPF11N65-BP
N-CHANNEL MOSFET, TO-220F PACKAG Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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MTD3055VL
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 180 mOhm; 12A; 48W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 60V | 60V | 15V | 180mOhm | 12A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NDT456P SOT223
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 54mOhm; 7,5A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
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P-MOSFET | 30V | 20V | 54mOhm | 7,5A | 3W | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTD20N03L27T4G
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTD25P03LG DPAK UMW
NTD25P03LG(UMW); NTD25P03LG-HXY; NTD25P03LG-VB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTD2955-1G
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 12A; 55W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: NTD2955T4G; NTD2955G;
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P-MOSFET | 60V | 20V | 180mOhm | 12A | 55W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTD5862NT4G
Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTD5867NLT4G
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 36W; -55 °C ~ 150 °C; OBSOLETE;
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N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 20A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTHD3100CT1G
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTLUS3A18PZTAG
P-MOSFET 20V 8.2A 18mΩ 700mW
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P-MOSFET | -20V | 8V | 18mOhm | -8,2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | UDFN6 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G33N03D52
MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 30V; 33A; 29W; 1,85 V; 8m?; 26m? NTMFD4C20NT1G; NTMFD4C20NT3G
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTTFS5826NLTAG
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin WDFN EP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NTTFS5C673NLTAG
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin WDFN EP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NVBG015N065SC1 onsemi
SIC MOS D2PAK-7L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NVD5C648NLT4G
Trans MOSFET Single N-Channel Power; 60V; 18A; Automotive;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NVH4L015N065SC1 onsemi
SIC MOS TO247-4L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NVMFS6B14NLT1G
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NVMFWS014P04M8LT1G
P-Channel 40 V 12.5A (Ta), 52.1A (Tc) 3.6W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NVTFS5116PLWFTAG
Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NXH010P120MNF1PG onsemi
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NXH010P120MNF1PNG onsemi
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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NXH010P120MNF1PTNG onsemi
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PD20015-E STMicroelectronics
Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PE537BA
PDFN3x3 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BSP33,115
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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PYES3404_R1_00001
SOT-23, MOSFET PYES3404-R1; PYES3404_R2_00001; PYES3404_R1_00001;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.