Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5596)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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GT080N10M
MOSFET-Transistor; TO-263; N-Channel; NO ESD; 100V; 70A; 100 W; 2V; 6m?; 9m? SUM60N10-17; IRFS4510PbF
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFS4610
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 73A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4610PBF; IRFS4610TRLPBF;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 73A | 190W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFS59N10D
N-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 25mOhm; 59A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS59N10DTRLP; IRFS59N10DPBF; IRFS 59N 10D PBF;
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N-MOSFET | 100V | 30V | 25mOhm | 59A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFSL11N50A
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 550 mOhm; 11A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFSL11N50APBF;
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N-MOSFET | 500V | 30V | 550mOhm | 11A | 190W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFSL9N60A smd
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 9,2A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; IRFSL9N60A; IRFSL9N60APBF;
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N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 9,2A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFU024PBF
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 14A; 42W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 14A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFU120Z
N-MOSFET 8,7A 100V 35W IRFU120ZPBF; IRFU120ZPBF-VB;
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N-MOSFET | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFU214PBF VISHAY
Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFU310
N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 3,6 Ohm; 1,7A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU310PBF;
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N-MOSFET | 400V | 20V | 3,6Ohm | 1,7A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | VISHAY | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFU7546PBF INFINEON
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 71A; 99W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 60V | 20V | 8,5mOhm | 71A | 99W | THT | -55°C ~ 175°C | IPAK | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFU9214 VISHAY
Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU9214PBF
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFZ24NPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFZ24N;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFZ44NL
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NLPBF;
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N-MOSFET | 55V | 20V | 17,5mOhm | 49A | 94W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRFZ46NL
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C;
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N-MOSFET | 55V | 20V | 16,5mOhm | 53A | 107W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRL2910PBF International Recitifier
N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 100V | 16V | 40mOhm | 55A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRL530NS
TO-263 MOSFETs ROHS IRL530NSPBF-VB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRL620SPBF VISHAY
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRL6372TR
30V 8.5A 16mOhm @ 10V,8.5A 2N-CHANNEL SO-8 MOSFETs ROHS IRL6372TR-VB; IRL6372TRPBF-VB; IRL6372TRPBF;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRL7472L1TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 59A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRLIZ34N
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 60mOhm; 22A; 37W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLIZ34NPBF;
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N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 22A | 37W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | Infineon (IRF) | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRLML0100
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2 W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 310mOhm | 2A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRLML2244
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 100 mOhm; 4,2A; 350 mW; -55°C~150°C; Ähnlich wie: FS3401;
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P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,2A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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IRLML2244
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 4,9A; 1,31 W; -55°C~150°C;
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P-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 4,9A | 1,31W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Leiditech | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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TPIRLML2244TRPBF SOT23 TEC
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich wie IRLML2244TRPBF; IRLML2244PBF; IRLML2244TRPBF; TCJ2321; IRLML2244;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.