Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5596)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
GT080N10M MOSFET-Transistor; TO-263; N-Channel; NO ESD; 100V; 70A; 100 W; 2V; 6m?; 9m? SUM60N10-17; IRFS4510PbF
GT080N10M TO263
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFS4610 N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 73A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS4610PBF; IRFS4610TRLPBF;
IRFS4610 TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 73A 190W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFS59N10D N-MOSFET-Transistor; 100V; 30V; 25mOhm; 59A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFS59N10DTRLP; IRFS59N10DPBF; IRFS 59N 10D PBF;
IRFS59N10D TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 30V 25mOhm 59A 200W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Infineon (IRF)
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFSL11N50A N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 550 mOhm; 11A; 190 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFSL11N50APBF;
IRFSL11N50A TO262
  N-MOSFET 500V 30V 550mOhm 11A 190W THT -55°C ~ 175°C TO262 VISHAY
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFSL9N60A smd N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 9,2A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; IRFSL9N60A; IRFSL9N60APBF;
IRFSL9N60A smd TO262
  N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 9,2A 170W THT -55°C ~ 150°C TO262 International Rectifier
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFU024PBF N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 14A; 42W; -55 °C ~ 150 °C;
IRFU024PBF TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 14A 42W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) VISHAY
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFU120Z N-MOSFET 8,7A 100V 35W IRFU120ZPBF; IRFU120ZPBF-VB;
IRFU120Z TO251 (IPACK)
  N-MOSFET
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFU214PBF VISHAY Trans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
IRFU214PBF VISHAY  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFU310 N-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 3,6 Ohm; 1,7A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFU310PBF;
IRFU310 TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 400V 20V 3,6Ohm 1,7A 25W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) VISHAY
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFU7546PBF INFINEON N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 71A; 99W; -55 °C ~ 175 °C;
IRFU7546PBF INFINEON IPAK
  N-MOSFET 60V 20V 8,5mOhm 71A 99W THT -55°C ~ 175°C IPAK Infineon (IRF)
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFU9214 VISHAY Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU9214PBF
IRFU9214 VISHAY  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFZ24NPBF Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFZ24N;
IRFZ24NPBF TO220
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFZ44NL N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NLPBF;
IRFZ44NL TO262
  N-MOSFET 55V 20V 17,5mOhm 49A 94W THT -55°C ~ 175°C TO262 Infineon (IRF)
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRFZ46NL Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C;
IRFZ46NL TO262
  N-MOSFET 55V 20V 16,5mOhm 53A 107W THT -55°C ~ 175°C TO262 Infineon (IRF)
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRL2910PBF International Recitifier N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 40mOhm; 55A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;
IRL2910PBF International Recitifier TO220
  N-MOSFET 100V 16V 40mOhm 55A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRL530NS TO-263 MOSFETs ROHS IRL530NSPBF-VB;
IRL530NS TO263
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRL620SPBF VISHAY Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL620SPBF VISHAY  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRL6372TR 30V 8.5A 16mOhm @ 10V,8.5A 2N-CHANNEL SO-8 MOSFETs ROHS IRL6372TR-VB; IRL6372TRPBF-VB; IRL6372TRPBF;
IRL6372TR SOP08
 
 
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IRL7472L1TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 40V 59A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
IRL7472L1TRPBF DirectFET
 
 
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IRLIZ34N N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 60mOhm; 22A; 37W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLIZ34NPBF;
IRLIZ34N TO220iso
  N-MOSFET 55V 16V 60mOhm 22A 37W THT -55°C ~ 175°C TO220iso Infineon (IRF)
 
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IRLML0030 SOT23 SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML0040 SOT23 SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML0060 SOT23L HUASHUO SEMICONDUCTOR SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML0060 SOT23 TECH PUBLIC SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML0100 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 310mOhm; 2A; 1,2 W; -55°C~150°C; IRLML0100TRPBF;
IRLML0100 SOT23
  N-MOSFET 100V 20V 310mOhm 2A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML2030 SOT23 SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML2060 SOT23 SOT23
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML2244 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 100 mOhm; 4,2A; 350 mW; -55°C~150°C; Ähnlich wie: FS3401;
IRLML2244 SOT23
  P-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,2A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
IRLML2244 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 4,9A; 1,31 W; -55°C~150°C;
IRLML2244 SOT23
  P-MOSFET 20V 12V 55mOhm 4,9A 1,31W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Leiditech
 
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TPIRLML2244TRPBF SOT23 TEC P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich wie IRLML2244TRPBF; IRLML2244PBF; IRLML2244TRPBF; TCJ2321; IRLML2244;
TPIRLML2244TRPBF SOT23 TEC SOT23
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.