Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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3415A
MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; YES ESD; -20V; -4A; 1,4 W; -0,7V; ; 28m? AO3415A; DMP1045U
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DMP2018LFK-7
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 25mOhm; 9,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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P-MOSFET | 20V | 12V | 25mOhm | 9,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | UDFN2523-6 | DIODES | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DMP2305U
SOT-23 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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3401
MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -30V; -4,2A; 1W; -0,8 V; 39 m?; 44m? DMP3056L; AO3406; G3401L SOT23-3L GOFORD
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G35P04D5
MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; P-Channel; NO ESD; -40V; -35A; 35W; -1,5 V; 11m?; 15m? DMP4015SPSQ;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DMP4051LK3-13
P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT090N06S
MOSFET-Transistor; SOP-8; N-Channel; NO ESD; 60V; 14A; 3,1 W; 1,6 V; 6,5 m?; 8,5 m? DMT4008LSS-13; AO4484; G13N04 GOFORD
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G30N04D3
MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; N-Channel; NO ESD; 40V; 30A; 50W; 1,8 V; 6,5 m?; 8m? DMTH48M3SFVW; DMT4011LFG
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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DN2450N8-G Microchip
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 20V; 10 Ohm; 230mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 500V | 500V | 20V | 10Ohm | 230mA | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | MICROCHIP | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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EPC2067
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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EPC2070
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDA20N50_F109
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 500V | 30V | 230mOhm | 22A | 280W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Fairchild | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDA50N50
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 105 mOhm; 48A; 625 W; -55 °C ~ 150 °C; Obsolete;
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N-MOSFET | 500V | 20V | 105mOhm | 48A | 625W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDC5614P
60V 3A 105m?@10V,3A 1.6W 3V@250uA 1 Piece P-Channel MOSFET YFW3P06LI
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-15
Anzahl der Stücke: 1000
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FDC6420C SSOT6 TECH PUBLIC
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDD3682
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 32A; 95W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FDD3682-F085;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 32A | 95W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Fairchild | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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18N10
MOSFET-Transistor; TO-252; N-Channel; NO ESD; 100V; 25A; 62,5 W; 2V; 37 m?; 42m? FDD3690
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDD5612 ON Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 103mOhm; 18A; 42W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 60V | 20V | 103mOhm | 18A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDD6N25TM ON Semicondutor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 1,1 Ohm; 4,4A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 250V | 30V | 1,1Ohm | 4,4A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDD8424H ON Semiconductor
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 37mOhm/80mOhm; 26A/20A; 30W/35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDD8424H-F085A; FDD8424H_F085A;
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N/P-MOSFET | 40V | 20V | 80mOhm | 26A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDD8896 ON Semiconductor
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9,2 mOhm; 94A; 80W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 30V | 20V | 9,2mOhm | 94A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-09
Anzahl der Stücke: 150
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FDG6303N
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDG6308P
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDG6308P-P
SOT-363 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDG6321C
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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GT700P08T
MOSFET-Transistor; TO-220; P-Channel; NO ESD; -80V; -25A; 125 W; -2,5 V; 58 m?; FDMC86139P;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDMS6681Z Fairchild
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 5mOhm; 122A; 73W; -55 °C ~ 150 °C; Obsolete;
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P-MOSFET | 30V | 25V | 5mOhm | 122A | 73W | SMD | -55°C ~ 150°C | Power56 | ON SEMICONDUCTOR | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDN338P
SOT-23 MOSFETs ROHS
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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FDN338P-NL SOT23-3 VBsemi Elec
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 35mOhm; 5A; 2,5 W; -55°C~150°C;
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P-MOSFET | 20V | 10V | 12V | 35mOhm | 5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBS | |||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.