Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
3415A MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; YES ESD; -20V; -4A; 1,4 W; -0,7V; ; 28m? AO3415A; DMP1045U
3415A SOT23
 
 
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DMP2018LFK-7 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 25mOhm; 9,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
DMP2018LFK-7 UDFN2523-6
  P-MOSFET 20V 12V 25mOhm 9,2A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C UDFN2523-6 DIODES
 
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DMP2305U SOT-23 MOSFETs ROHS
DMP2305U SOT23
 
 
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3401 MOSFET-Transistor; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -30V; -4,2A; 1W; -0,8 V; 39 m?; 44m? DMP3056L; AO3406; G3401L SOT23-3L GOFORD
3401 SOT23
 
 
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G35P04D5 MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; P-Channel; NO ESD; -40V; -35A; 35W; -1,5 V; 11m?; 15m? DMP4015SPSQ;
G35P04D5 DFN08(5x6)
 
 
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DMP4051LK3-13 P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
DMP4051LK3-13 TO252
 
 
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GT090N06S MOSFET-Transistor; SOP-8; N-Channel; NO ESD; 60V; 14A; 3,1 W; 1,6 V; 6,5 m?; 8,5 m? DMT4008LSS-13; AO4484; G13N04 GOFORD
GT090N06S SOP08
 
 
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G30N04D3 MOSFET-Transistor; DFN3*3-8L; N-Channel; NO ESD; 40V; 30A; 50W; 1,8 V; 6,5 m?; 8m? DMTH48M3SFVW; DMT4011LFG
G30N04D3 DFN08(3x3)
 
 
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DN2450N8-G Microchip N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 20V; 10 Ohm; 230mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
DN2450N8-G Microchip SOT89
  N-MOSFET 500V 500V 20V 10Ohm 230mA 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 MICROCHIP
 
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EPC2067 TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
EPC2067 DIE
 
 
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EPC2070 TRANS GAN DIE 100V .022OHM
EPC2070 DIE
 
 
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FDA20N50_F109 N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 22A; 280 W; -55 °C ~ 150 °C;
FDA20N50_F109 TO 3P
  N-MOSFET 500V 30V 230mOhm 22A 280W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Fairchild
 
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FDA50N50 N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 105 mOhm; 48A; 625 W; -55 °C ~ 150 °C; Obsolete;
FDA50N50 TO 3P
  N-MOSFET 500V 20V 105mOhm 48A 625W THT -55°C ~ 150°C TO 3P ON SEMICONDUCTOR
 
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FDC5614P 60V 3A 105m?@10V,3A 1.6W 3V@250uA 1 Piece P-Channel MOSFET YFW3P06LI
FDC5614P SSOT6L
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-15
Anzahl der Stücke: 1000
                     
FDC6420C SSOT6 TECH PUBLIC N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;
FDC6420C SSOT6 TECH PUBLIC SSOT6L
 
 
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FDD3682 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 90mOhm; 32A; 95W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FDD3682-F085;
FDD3682 TO252
  N-MOSFET 100V 20V 90mOhm 32A 95W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Fairchild
 
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18N10 MOSFET-Transistor; TO-252; N-Channel; NO ESD; 100V; 25A; 62,5 W; 2V; 37 m?; 42m? FDD3690
18N10 TO252
 
 
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FDD5612 ON Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 103mOhm; 18A; 42W; -55 °C ~ 175 °C;
FDD5612 ON Semiconductor DPAK
  N-MOSFET 60V 20V 103mOhm 18A 42W SMD -55°C ~ 175°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
 
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FDD6N25TM ON Semicondutor N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 1,1 Ohm; 4,4A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
FDD6N25TM ON Semicondutor DPAK
  N-MOSFET 250V 30V 1,1Ohm 4,4A 50W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
 
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FDD8424H ON Semiconductor N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 37mOhm/80mOhm; 26A/20A; 30W/35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDD8424H-F085A; FDD8424H_F085A;
FDD8424H ON Semiconductor DPAK
  N/P-MOSFET 40V 20V 80mOhm 26A 35W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
 
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FDD8896 ON Semiconductor N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9,2 mOhm; 94A; 80W; -55 °C ~ 175 °C;
FDD8896 ON Semiconductor DPAK
  N-MOSFET 30V 20V 9,2mOhm 94A 80W SMD -55°C ~ 175°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
 
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FDD8896 TO-252 TECH PUBLIC TO252
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-09
Anzahl der Stücke: 150
                     
FDG6303N Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
FDG6303N SC70-6
 
 
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FDG6308P Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
FDG6308P SC70-6
 
 
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FDG6308P-P SOT-363 MOSFETs ROHS
FDG6308P-P SOT363
 
 
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FDG6321C Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
FDG6321C SC70-6
 
 
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GT700P08T MOSFET-Transistor; TO-220; P-Channel; NO ESD; -80V; -25A; 125 W; -2,5 V; 58 m?; FDMC86139P;
GT700P08T TO220
 
 
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FDMS6681Z Fairchild P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 5mOhm; 122A; 73W; -55 °C ~ 150 °C; Obsolete;
FDMS6681Z Fairchild Power56
  P-MOSFET 30V 25V 5mOhm 122A 73W SMD -55°C ~ 150°C Power56 ON SEMICONDUCTOR
 
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FDN338P SOT-23 MOSFETs ROHS
FDN338P SOT23
 
 
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FDN338P-NL SOT23-3 VBsemi Elec P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 35mOhm; 5A; 2,5 W; -55°C~150°C;
FDN338P-NL SOT23-3 VBsemi Elec SOT23
  P-MOSFET 20V 10V 12V 35mOhm 5A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBS
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.