Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
AON7230 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 22mOhm; 47A; 54W; -55 °C ~ 150 °C;
AON7230 DFN08
  N-MOSFET 100V 20V 22mOhm 47A 54W SMD -55°C ~ 150°C DFN08 ALPHA&OMEGA
 
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AONR21117 P-MOSFET 20V 34A
AONR21117 DFN08
 
 
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AONR66820  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AONS21357 Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -36A; 19W; DFN5x6
AONS21357 DFN08
  P-MOSFET 30V 25V 7,8mOhm 36A 19W SMD -55°C ~ 150°C DFN08 ALPHA&OMEGA
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AONS66811  
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AOT12N50 N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 12A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
AOT12N50 TO220
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
N-MOSFET 500V 30V 520mOhm 12A 250W THT -55°C ~ 150°C TO220 ALPHA&OMEGA
                           
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Geplantes Datum: 2025-12-30
Anzahl der Stücke: 50
                     
AOT2500L N-MOSFET 152A 150V 375W 0.0065Ω
AOT2500L TO220
  N-MOSFET
 
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AOTF11S65L N-MOSFET 650V 11A
AOTF11S65L TO220FP
 
 
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G90P04F MOSFET-Transistor; TO-220F; P-Channel; NO ESD; -40V; -68A; 83W; -1,5 V; 6m?; 8m? AOTF4185;
G90P04F TO220F
 
 
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AOTF4N90 N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 3,6 Ohm; 4A; 37W; -55 °C ~ 150 °C;
AOTF4N90 TO220iso
  N-MOSFET 900V 30V 3,6Ohm 4A 37W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
 
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AOTF8N80 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,63 Ohm; 7,4A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
AOTF8N80 TO220iso
  N-MOSFET 800V 30V 1,63Ohm 7,4A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
 
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AOTL66810 N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; +/-20V; 1,25 mOhm; 420A; 425 W; -55°C~175°C;
AOTL66810  
  N-MOSFET 80V 20V 1,25mOhm 420A 425W SMD -55°C ~ 175°C 8-PowerSFN ALPHA&OMEGA
 
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AOY2610E N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,5 mOhm; 36,5A; 23,5 W; -55°C~150°C;
AOY2610E TO251 (IPACK)
  N-MOSFET 60V 20V 9,5mOhm 36A 23,5W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) ALPHA&OMEGA
 
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AP0704GMT N-MOSFET 40V 62A 44,6W PMP6 AP0704GMT-HF AP0704GMT-HF-3 AP0704GMT-H
AP0704GMT PMPAK5x6
 
 
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AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC SOT-23 MOSFETs RoHS Ähnlich zu: AP2310GN-HF-3; VBSemi AP2310GN-VB;
AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC SOT23
 
 
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AP2311GN SOT-23-3 MOSFETs ROHS Äquivalent: AP2311GN-VB; AP2311GN-HF; AP2311GN-HF-3-B22D;
AP2311GN SOT23
 
 
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AP2311GN JGSEMI P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 2A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;
AP2311GN JGSEMI SOT23
                         
Artikel auf Anfrage erhältlich
P-MOSFET 60V 20V 240mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 125°C SOT23 JGSEMI
                           
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Geplantes Datum: 2025-04-25
Anzahl der Stücke: 500
                     
AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 4.1A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
  N-MOSFET 60V 20V 110mOhm 4,1A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
 
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APT68GA60LD40 IGBT-Transistor; PT; 600V; 300V; 198 nC; 68A; 520 W; -55°C~150°C;
APT68GA60LD40 TO264
  IGBT 600V 30V 4,7Ohm 68A 520W THT -55°C ~ 150°C TO264 MICROCHIP
 
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AUIRF3805S-7P International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 2,6 mOhm; 240A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRF3805S-7P International Rectifier D2PAK/7
  N-MOSFET 55V 20V 2,6mOhm 240A 300W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK/7 Infineon Technologies
 
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AUIRF7103Q Trans N-MOSFET Si 50V 3A Automotive AUIRF7103QTR
AUIRF7103Q SOP08
 
 
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AUIRF7313QTR 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm; 6,9A; 2,4 W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRF7313QTR SOP08
  2xN-MOSFET 30V 20V 46mOhm 6,9A 2,4W SMD -55°C ~ 175°C SOP08 International Rectifier
 
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AUIRFR9024NTRPBF-VB TO252 VBsemi Elec TO252
 
 
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AUIRFS8409-7P International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 0,75 mOhm; 522A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;
AUIRFS8409-7P International Rectifier D2PAK/7
  N-MOSFET 40V 20V 0,75mOhm 522A 375W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK/7 International Rectifier
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AUIRGDC0250 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube AUIRGDC0250AKMA1
AUIRGDC0250 TO220
 
 
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AUIRL7732S2TR INFINEON Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R
AUIRL7732S2TR INFINEON  
 
 
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AUIRLR2905Z International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 22,5 mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL;
AUIRLR2905Z International Rectifier TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 55V 16V 22,5mOhm 60A 110W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
AUIRLR3636 MOSFET N-CH 60V 99A Automotive AUIRLR3636TRL
AUIRLR3636 DPAK
 
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
BF245B N-FET-Transistor; 30V; 30V; 30V; 15mA; 300 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF545B SMD SOT23; veraltet;
BF245B TO92
  N-FET 30V 30V 30V 15mA 300mW THT -65°C ~ 150°C TO92
 
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BF998 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;
BF998 smd SOT143
  N-MOSFET 12V 20V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT143 Infineon Technologies
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
                     
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.