Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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AON7230
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 22mOhm; 47A; 54W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 100V | 20V | 22mOhm | 47A | 54W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AONR21117
P-MOSFET 20V 34A
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AONS21357
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -36A; 19W; DFN5x6
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P-MOSFET | 30V | 25V | 7,8mOhm | 36A | 19W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOT12N50
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 12A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 12A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | ||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-12-30
Anzahl der Stücke: 50
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AOT2500L
N-MOSFET 152A 150V 375W 0.0065Ω
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N-MOSFET | |||||||||||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTF11S65L
N-MOSFET 650V 11A
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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G90P04F
MOSFET-Transistor; TO-220F; P-Channel; NO ESD; -40V; -68A; 83W; -1,5 V; 6m?; 8m? AOTF4185;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTF4N90
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 3,6 Ohm; 4A; 37W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 900V | 30V | 3,6Ohm | 4A | 37W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTF8N80
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,63 Ohm; 7,4A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 800V | 30V | 1,63Ohm | 7,4A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOTL66810
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; +/-20V; 1,25 mOhm; 420A; 425 W; -55°C~175°C;
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N-MOSFET | 80V | 20V | 1,25mOhm | 420A | 425W | SMD | -55°C ~ 175°C | 8-PowerSFN | ALPHA&OMEGA | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AOY2610E
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,5 mOhm; 36,5A; 23,5 W; -55°C~150°C;
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N-MOSFET | 60V | 20V | 9,5mOhm | 36A | 23,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP0704GMT
N-MOSFET 40V 62A 44,6W PMP6 AP0704GMT-HF AP0704GMT-HF-3 AP0704GMT-H
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP2310GN SOT23 TECH PUBLIC
SOT-23 MOSFETs RoHS Ähnlich zu: AP2310GN-HF-3; VBSemi AP2310GN-VB;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP2311GN
SOT-23-3 MOSFETs ROHS Äquivalent: AP2311GN-VB; AP2311GN-HF; AP2311GN-HF-3-B22D;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AP2311GN JGSEMI
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 240 mOhm; 2A; 1,56 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AP2311GN-HF-3;
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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P-MOSFET | 60V | 20V | 240mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT23 | JGSEMI | ||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-25
Anzahl der Stücke: 500
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AP9477GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 110mOhm; 4.1A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
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N-MOSFET | 60V | 20V | 110mOhm | 4,1A | 2,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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APT68GA60LD40
IGBT-Transistor; PT; 600V; 300V; 198 nC; 68A; 520 W; -55°C~150°C;
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IGBT | 600V | 30V | 4,7Ohm | 68A | 520W | THT | -55°C ~ 150°C | TO264 | MICROCHIP | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRF3805S-7P International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 2,6 mOhm; 240A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 55V | 20V | 2,6mOhm | 240A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK/7 | Infineon Technologies | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRF7103Q
Trans N-MOSFET Si 50V 3A Automotive AUIRF7103QTR
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRF7313QTR
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 46mOhm; 6,9A; 2,4 W; -55 °C ~ 175 °C;
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2xN-MOSFET | 30V | 20V | 46mOhm | 6,9A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRFS8409-7P International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 0,75 mOhm; 522A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;
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N-MOSFET | 40V | 20V | 0,75mOhm | 522A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK/7 | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRGDC0250
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube AUIRGDC0250AKMA1
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRL7732S2TR INFINEON
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRLR2905Z International Rectifier
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 22,5 mOhm; 60A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL;
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N-MOSFET | 55V | 16V | 22,5mOhm | 60A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | ||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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AUIRLR3636
MOSFET N-CH 60V 99A Automotive AUIRLR3636TRL
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BF245B
N-FET-Transistor; 30V; 30V; 30V; 15mA; 300 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF545B SMD SOT23; veraltet;
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N-FET | 30V | 30V | 30V | 15mA | 300mW | THT | -65°C ~ 150°C | TO92 | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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BF998 smd
N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;
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N-MOSFET | 12V | 20V | 30mA | 200mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT143 | Infineon Technologies | |||||
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Artikel auf Anfrage erhältlich
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.