Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5412)

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Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
FDN361BN N-MOSFET 1.4A 30V 0.5W 0.11? OBSOLETE;
FDN361BN SuperSOT3
 
 
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G2003A MOSFET-Transistor; SOT-23-3L; N-Channel; NO ESD; 190V; 3A; 1,8 W; 1,7 V; 430 m? ~ 540 m?; 440 m? ~ 560 m? FDN86246-D;
G2003A SOT23-3
 
 
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FDP20N50 Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 20A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDP20N50F; FDP20N50; CSD18532KCS;
FDP20N50 Fairchild TO220
  N-MOSFET 500V 30V 230mOhm 20A 250W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
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FDP8860 Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,8 mOhm; 80A; 254W; -55 °C ~ 175 °C;
FDP8860 Fairchild TO220AB
  N-MOSFET 30V 20V 3,8mOhm 80A 254W SMD -55°C ~ 175°C TO220AB ON SEMICONDUCTOR
 
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FDS9934C N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V/12V; 50mOhm/90mOhm; 6,5A/5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
FDS9934C SOP08
  N/P-MOSFET 20V 12V 90mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
 
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FDT434P P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 83mOhm; 6A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;
FDT434P SOT223
  P-MOSFET 20V 8V 83mOhm 6A 3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Fairchild
 
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FDY301NZ N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 10 Ohm; 200mA; 625 mW; -55 °C ~ 150 °C;
FDY301NZ SOT523
  N-MOSFET 20V 12V 10Ohm 200mA 625mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 ON SEMICONDUCTOR
 
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FDY302NZ Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin SC-89 T/R
FDY302NZ SC89-3
 
 
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FQA11N90C_F109 N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,1 Ohm; 11A; 300 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQA11N90C-F109;
FQA11N90C_F109 TO 3P
  N-MOSFET 900V 30V 1,1Ohm 11A 300W THT -55°C ~ 150°C TO 3P ON SEMICONDUCTOR
 
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FQA30N40 Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 140 mOhm; 30A; 290 W; -55 °C ~ 150 °C;
FQA30N40 Fairchild TO 3P
  N-MOSFET 400V 30V 140mOhm 30A 290W THT -55°C ~ 150°C TO 3P ON SEMICONDUCTOR
 
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FQA36P15 P-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 30V; 90mOhm; 36A; 294W; -55 °C ~ 175 °C;
FQA36P15 TO 3P
  P-MOSFET 150V 30V 90mOhm 36A 294W THT -55°C ~ 175°C TO 3P Fairchild
 
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FQA6N90C Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2,3 Ohm; 6,4A; 198W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FQA6N90C_F109;
FQA6N90C Fairchild TO 3P
  N-MOSFET 900V 30V 2,3Ohm 6,4A 198W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Fairchild
 
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FQA70N15 Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 25V; 28mOhm; 70A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C;
FQA70N15 Fairchild TO 3P
  N-MOSFET 150V 25V 28mOhm 70A 330W THT -55°C ~ 175°C TO 3P ON SEMICONDUCTOR
 
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FQA9N90C Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; 280 W; TO3PN FQA9N90C-F109 FQA9N90C_F109
FQA9N90C TO-3P
  N-MOSFET 900V 30V 1,4Ohm 9A 280W THT -55°C ~ 150°C TO-3P ON SEMICONDUCTOR
 
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FQB27P06TM Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 27A; 120W; -55°C ~ 175°C;
FQB27P06TM TO263 (D2PAK)
  P-MOSFET 60V 25V 70mOhm 27A 120W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) Fairchild
 
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FQB6N80TM N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 1,95 Ohm; 5,8A; 158W; -55 °C ~ 150 °C;
FQB6N80TM TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 800V 30V 1,95Ohm 5,8A 158W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) ON SEMICONDUCTOR
 
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FQD2N100TM N-Channel-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
FQD2N100TM TO252 (DPACK)
  N-MOSFET 1000V 30V 9Ohm 1,6A 50W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
 
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FQD4P40TM ON Semiconductor MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
FQD4P40TM ON Semiconductor DPAK
 
 
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FQD5P20TM Trans. P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 1,4Ohm; 3,7A; 45W; -55°C ~ 150°C
FQD5P20TM TO252 (DPACK)
                         
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Geplantes Datum: 2025-04-30
Anzahl der Stücke: 1
                     
FQP13N06L N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 140 mOhm; 13,6A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;
FQP13N06L TO220
  N-MOSFET 60V 20V 140mOhm 13,6A 45W THT -55°C ~ 175°C TO220 Fairchild
 
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FQP17N40 N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 270 mOhm; 16A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
FQP17N40 TO220
  N-MOSFET 400V 30V 270mOhm 16A 170W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
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FQP3P50 Fairchild P-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 4,9 Ohm; 2,7A; 85W; -55 °C ~ 150 °C;
FQP3P50 Fairchild TO220
  P-MOSFET 500V 30V 4,9Ohm 2,7A 85W THT -55°C ~ 150°C TO220 Fairchild
 
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FQP4P40 P-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 3,1 Ohm; 3,5A; 85W; -55 °C ~ 150 °C;
FQP4P40 TO220
  P-MOSFET 400V 30V 3,1Ohm 3,5A 85W THT -55°C ~ 150°C TO220 Fairchild
 
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FQP85N06 Fairchild N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 10mOhm; 85A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C;
FQP85N06 Fairchild TO220
  N-MOSFET 60V 25V 10mOhm 85A 160W THT -55°C ~ 175°C TO220 Fairchild
 
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FQPF20N06 Fairchild Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
FQPF20N06 Fairchild TO220
  N-MOSFET 60V 25V 60mOhm 15A 30W THT -55°C ~ 175°C TO220 Fairchild
 
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FQPF47P06-YDTU TO220-FORMED LEADS P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 26mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C; FQPF47P06YDTU;
FQPF47P06-YDTU TO220-FORMED LEADS TO220/3Q iso
  P-MOSFET 60V 25V 26mOhm 30A 62W THT -55°C ~ 175°C TO220/3Q iso ON SEMICONDUCTOR
 
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FQS4901TF 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 400V; 25V; 4,2 Ohm; 450mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C; FQS4901; FQS4901TF;
FQS4901TF SOP08
  2xN-MOSFET 400V 25V 4,2Ohm 450mA 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
 
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FQU13N06LTU N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 145 mOhm; 11A; 28W; -55 °C ~ 150 °C;
FQU13N06LTU IPAK
  N-MOSFET 60V 20V 145mOhm 11A 28W THT -55°C ~ 150°C IPAK ON SEMICONDUCTOR
 
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G01N20LE Goford Semiconductor N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9, SOT-23-3L FDN86246-D; G2003A GOFORD;
G01N20LE Goford Semiconductor  
 
 
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G01N20RE MOSFET-Transistor; TO-92; N-Channel; YES ESD; 200V; 1,7A; 3W; 1,8 V; 0,58 ?; 0,62 ?
G01N20RE TO92
 
 
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.