Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5505)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
|
Max. Drain-Source Spannung
|
Msx. Drain-Gate Spannung
|
Max. Gate-Source Spannung
|
Widerstand im offenen Kanal
|
Max. Drainstrom
|
Maximaler Leistungsverlust
|
Montage
|
Betriebstemperatur (Bereich)
|
Gehäuse
|
Hersteller
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2304DDS
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
500 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
219000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Hersteller:
- Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
201000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
129000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
SI2308BDS
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
140 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
AS3400
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 51mOhm | 5,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | |||||||||||||
SI4435DDY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
75 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
7500 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
800 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
20000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4459ADY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
40 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9407BDY
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
14 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
3 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
37500 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-E3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SI9407BDY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
5000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9433BDY
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
50 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 4,5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9926BDY
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
200 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 6,2A | 1,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SK3415 SHIKUES
P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 12V; 180 mOhm; 4,2A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3415;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
500 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 25V | 12V | 180mOhm | 4,2A | SMD | 25°C ~ 150°C | SC59 | SHIKUES | ||||||||||||||
SKML2402 SHIKUES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
500 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 80mOhm | 2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||
SKQ50N03BD SHIKUES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
200 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 50A | 30W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN08(3.3x3.3) | SHIKUES | |||||||||||||
STF14NM50N
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
50 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STF14NM50N Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
420 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STF14NM50N Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
950 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
STN1HNK60
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 400mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
250 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STN1HNK60 Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
84000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STN1HNK60 Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
124000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STN3NF06L
N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 120 mOhm; 4A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
0 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 120mOhm | 4A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STN3NF06L Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
180000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 120mOhm | 4A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STN3NF06L Präzisionsgehäuse: SOT223 |
Externes Lager:
4000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 4000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 120mOhm | 4A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP10NK60ZFP
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
973 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 50/1000/5000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
STW70N60M2
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
28 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW70N60M2 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
2140 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW70N60M2 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
600 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STW88N65M5
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
5 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 5 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW88N65M5 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
5498 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW88N65M5 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
1140 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer: STW88N65M5 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
232 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
SUM90P10-19L-E3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3 RoHS Präzisionsgehäuse: TO263t/r (D2PAK) |
Auf Lager:
10 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 96 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3 Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
800 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3 Präzisionsgehäuse: TO263 (D2PAK) |
Externes Lager:
56800 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 800 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
WPM2015 SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
300 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 110mOhm | 2,4A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
Auf Lager:
300 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 110mOhm | 2,4A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
IRF7401TR
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
180 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 180 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer: YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
20 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
2N6027
PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
0 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
PUT | 40V | 150mA | 300mW | THT | -50°C ~ 100°C | TO92 | UTC | |||||||||||||||
2N7000
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
350 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000/2000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
45000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000TA Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000-D26Z Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
16000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 2000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
6040 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000/10000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5,3Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92ammoformed | |||||||||||||
2N7000
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
1500 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 1000/2000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 6Ohm | 200mA | 350mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | LGE | ||||||||||||||
2N7002-7-F
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 210mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-13-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
158920 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002-7-F Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3201000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002-7-F Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
156000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: 2N7002-TP Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1989000 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
2N7002
N-Channel (mit ESD) MOSFET 0,43 A 60 V 4000 m?
|
||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
MIC Hersteller-Teilenummer: 2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
6980 Stk. |
|||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-03-15
Anzahl der Stücke: 15000
|
|||||||||||||||||||||||
2N7002 GALAXY
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
3010 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | ||||||||||||
7002 SOT23 GAOGE
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 4Ohm; 340mA; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
5596 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 4Ohm | 340mA | SMA | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GAOGE | |||||||||||||||
2N7002 HXY MOSFET
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
3000 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
2N7002 JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
4350 Stk. |
||||||||||||||||||||||||
|
Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.