Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5515)

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Max. Drain-Source Spannung
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Gehäuse
Hersteller
2N7000 DIOTEC N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
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2N7000 RoHS || 2N7000 || 2N7000 DIOTEC TO92
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
7800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Preis netto (EUR) 0,1771 0,0707 0,0411 0,0341 0,0322
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Standard-Verpackung:
4000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
6126 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1021
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
2N7002 N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
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2N7002 RoHS || 2N7002 || 2N7002 SOT23
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0902 0,0355 0,0207 0,0152 0,0139
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
252000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0139
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
5160 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0172
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Standard-Verpackung:
20
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
RTR040N03TL 30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS
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RTR040N03TL RoHS || RTR040N03TL SOT23
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
RTR040N03TL RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
130 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 350+ 1750+
Preis netto (EUR) 0,3711 0,2060 0,1625 0,1496 0,1431
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Standard-Verpackung:
350
Menge (mehrere 1)
2N7002-T1-E3 VISHAY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 40V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-T1-GE3;
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2N7002-T1-E3 RoHS || 2N7002-T1-E3 VISHAY SOT23
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-T1-E3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2222 0,1055 0,0594 0,0451 0,0404
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 40V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
AO3407 HXY MOSFET P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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AO3407 RoHS || AO3407 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
AO3407 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1616 0,0768 0,0432 0,0327 0,0294
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 98mOhm 4,1A 1,32W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
AO3407 JUXING P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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JX3407"3407" RoHS || AO3407 JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING
Hersteller-Teilenummer:
JX3407"3407" RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1668 0,0792 0,0446 0,0338 0,0303
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 87mOhm 4,1A 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 JUXING
8205A Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
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8205A RoHS || 8205A TSSOP08
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
8205A RoHS
Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2654 0,1459 0,0956 0,0824 0,0761
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 27mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HXY MOSFET
AO3403 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AO3403 RoHS || AO3403 SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3403 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2316 0,1170 0,0705 0,0557 0,0514
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 12V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3415A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3415A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
380 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2584 0,1297 0,0773 0,0639 0,0576
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
AO3415A P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
AO3415A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2584 0,1118 0,0733 0,0608 0,0573
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBS
STD26P3LLH6 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
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STD26P3LLH6 RoHS || STD26P3LLH6 JSMICRO TO252 (DPACK)
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
STD26P3LLH6 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6225 0,3946 0,3101 0,2819 0,2701
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 18mOhm 55A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) JSMICRO
AO3418 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AO3418 RoHS AK... || AO3418 || AO3418 SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3418 RoHS AK...
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2372 0,1306 0,0864 0,0719 0,0677
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 85mOhm 3,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3418
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0677
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 12V 85mOhm 3,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3419 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 168 mOhm; 3,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AO3419 RoHS || AO3419 SOT23
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO3419 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
20570 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2105 0,1066 0,0646 0,0512 0,0467
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 168mOhm 3,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3420 SOT23-3L N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AO3420 RoHS || AO3420 SOT23-3L SOT23
Hersteller:
HOTTECH
Hersteller-Teilenummer:
AO3420 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,1938 0,0914 0,0510 0,0409 0,0352
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
AO3422 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 12V; 120 mOhm; 2A; 1,56 W; -55°C~150°C;
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AO3422 RoHS || AO3422 SOT23
Hersteller:
MSKSEMI
Hersteller-Teilenummer:
AO3422 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2513 0,1261 0,0752 0,0622 0,0559
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 12V 120mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
AO4409 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AO4409 RoHS || AO4409 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4409 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7822 0,4909 0,4087 0,3641 0,3406
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 12mOhm 15A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4435 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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rufen Sie an: +48785054437
AO4435 RoHS || AO4435 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4435 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5825 0,3242 0,2537 0,2396 0,2325
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 25V 36mOhm 14A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4455 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 17A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder
rufen Sie an: +48785054437
AO4455 RoHS || AO4455 SOP08
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AO4455 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
95 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8832 0,5872 0,4862 0,4393 0,4205
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 25V 9,5mOhm 17A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AON7520 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 3,1 mOhm; 50A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AON7520C RoHS || AON7520 DFN08(3.3x3.3)
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AON7520C RoHS
Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
 
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8856 0,5614 0,4440 0,4040 0,3852
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 3,1mOhm 50A 83,3W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3.3x3.3) ALPHA&OMEGA
FDG6317NZ Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
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FDG6317NZ || FDG6317NZ RoHS || FDG6317NZ SC-88
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDG6317NZ
Präzisionsgehäuse:
SC-88
 
Externes Lager:
53000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0622
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDG6317NZ
Präzisionsgehäuse:
SC-88
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0622
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
FDG6317NZ RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2180 0,1205 0,0801 0,0669 0,0622
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
AOT10N60 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
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AOT10N60 RoHS || AOT10N60 TO220
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOT10N60 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220
 
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4235 1,0876 0,8997 0,7893 0,7493
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 250W THT -55°C ~ 150°C TO220 ALPHA&OMEGA
AOTF16N50 N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 370 mOhm; 16A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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AOTF16N50 RoHS || AOTF16N50 TO220iso
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOTF16N50 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3342 0,9349 0,7939 0,7258 0,7023
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 500V 30V 370mOhm 16A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
 
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOTF16N50 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3342 1,0194 0,8433 0,7399 0,7023
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 500V 30V 370mOhm 16A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
AOTF9N70 N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 1,2 Ohm; 9A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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AOTF9N70 RoHS || AOTF9N70 TO220iso
Hersteller:
ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer:
AOTF9N70 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,8832 0,6483 0,5191 0,4463 0,4205
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 700V 30V 1,2Ohm 9A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
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AP2311GN-HF-3 Pbf B22D || AP2311GN-HF RoHS || AP2311GN RoHS || AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2842 0,1508 0,1170 0,1078 0,1034
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2311GN-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
14045 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2842 0,1508 0,1170 0,1078 0,1034
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2311GN RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
560 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2842 0,1508 0,1170 0,1078 0,1034
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
NTMD6P02R2G 2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28 W; -55 °C ~ 150 °C;
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NTMD6P02R2G RoHS || NTMD6P02R2G || NTMD6P02R2G SOP08
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTMD6P02R2G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7939 0,5027 0,3970 0,3617 0,3453
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
2xP-MOSFET 20V 12V 50mOhm 6,2A 1,28W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTMD6P02R2G
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
12500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5205
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 20V 12V 50mOhm 6,2A 1,28W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTMD6P02R2G
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4944
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 20V 12V 50mOhm 6,2A 1,28W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
NTR0202PLT1G P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 1,1 Ohm; 400mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR0202PLT3G;
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NTR0202PLT1G RoHS PL. || NTR0202PLT1G || NTR0202PLT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR0202PLT1G RoHS PL.
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Preis netto (EUR) 0,2316 0,1008 0,0630 0,0540 0,0514
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 20V 1,1Ohm 400mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR0202PLT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0633
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 20V 1,1Ohm 400mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR4003NT1G N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4003NT3G;
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NTR4003NT1G RoHS TR8 || NTR4003NT1G || NTR4003NT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR4003NT1G RoHS TR8
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
95 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,2145 0,0857 0,0498 0,0416 0,0390
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 2Ohm 500mA 690mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR4003NT1G RoHS TR8
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2185 0,1038 0,0583 0,0444 0,0397
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 2Ohm 500mA 690mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR4003NT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
231000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0397
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 30V 20V 2Ohm 500mA 690mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR4101PT1G P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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NTR4101PT1G RoHS || NTR4101PT1G || NTR4101PT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR4101PT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3970 0,2607 0,1874 0,1604 0,1527
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 210mOhm 2,4A 730mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
NTR4101PT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
565 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1527
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 20V 8V 210mOhm 2,4A 730mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR4171PT1G P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 150 mOhm; 2,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4171PT3G;
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NTR4171PT1G Pbf TRF || NTR4171PT1G || NTR4171PT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR4171PT1G Pbf TRF
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2748 0,1759 0,1236 0,1071 0,1003
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 12V 150mOhm 2,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR4171PT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
51000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1003
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 12V 150mOhm 2,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR4501NT1G N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 105 mOhm; 3,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4501NT3G;
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NTR4501NT1G RoHS || NTR4501NT1G SOT23
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
NTR4501NT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2631 0,1687 0,1182 0,1027 0,0961
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 105mOhm 3,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.