Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5505)

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SI2304DDS N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS-T1-GE3 || SI2304DDS SOT23
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3254 0,1740 0,1354 0,1225 0,1184
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500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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219000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1184
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3000
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N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
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201000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
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3000
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N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI2304DDS-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
129000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1184
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3000
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N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2308BDS Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
SI2308BDS RoHS E8.
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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140 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Preis netto (EUR) 0,2872 0,1831 0,1326 0,1134 0,1046
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 105mOhm 3A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
AS3400 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2 W; -55°C~150°C;
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Hersteller:
AnBon
Hersteller-Teilenummer:
AS3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1816 0,0864 0,0486 0,0369 0,0330
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 51mOhm 5,6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
SI4435DDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5671 0,3565 0,2943 0,2632 0,2465
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
7500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2465
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2576
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2465
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4459ADY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY-T1-GE3 || SI4459ADY SOP08
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3424 0,9380 0,7705 0,7179 0,7059
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7059
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9407BDY P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY-T1-E3 || SI9407BDY SOP08
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
14 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7921 0,4977 0,4140 0,3685 0,3446
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
3 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8256 0,5193 0,4307 0,3829 0,3589
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
37500 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3589
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-E3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3589
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3
Präzisionsgehäuse:
SOP08
 
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3589
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9433BDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,4190 1,0816 0,8950 0,7849 0,7466
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 60mOhm 4,5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9926BDY 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7274 0,4594 0,3637 0,3302 0,3159
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 30mOhm 6,2A 1,14W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SK3415 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 12V; 180 mOhm; 4,2A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3415;
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
SK3415 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC59
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2391 0,1208 0,0730 0,0577 0,0531
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 25V 12V 180mOhm 4,2A SMD 25°C ~ 150°C SC59 SHIKUES
SKML2402 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
SKML2402 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1981 0,1003 0,0603 0,0476 0,0440
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 10V 80mOhm 2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
SKQ50N03BD SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
SKQ50N03BD RoHS
Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3207 0,2103 0,1508 0,1319 0,1235
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 50A 30W SMD -55°C ~ 175°C DFN08(3.3x3.3) SHIKUES
STF14NM50N N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
STF14NM50N RoHS || STF14NM50N || STF14NM50N TO220iso
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6224 1,2946 1,1079 0,9955 0,9548
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Externes Lager:
420 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9548
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Externes Lager:
950 Stk.
Anzahl der Stücke 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,9548
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
STN1HNK60 N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 400mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 || STN1HNK60 SOT223
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,5049 0,3063 0,2355 0,2089 0,2017
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
84000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2017
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
124000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2017
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
STN3NF06L N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 120 mOhm; 4A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
STN3NF06L RoHS || STN3NF06L || STN3NF06L SOT223
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6389 0,3996 0,3326 0,2967 0,2776
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 16V 120mOhm 4A 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
180000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2776
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 16V 120mOhm 4A 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L
Präzisionsgehäuse:
SOT223
 
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2776
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 16V 120mOhm 4A 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
STP10NK60ZFP N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
STP10NK60ZFP RoHS || STP10NK60ZFP TO220iso
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STP10NK60ZFP RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
973 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3424 1,0242 0,8471 0,7418 0,7059
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Standard-Verpackung:
50/1000/5000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 35W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
STW70N60M2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 || STW70N60M2 TO247
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,8081 7,3295 7,0328 6,8796 6,7887
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
2140 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,7887
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 6,7887
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
STW88N65M5 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 || STW88N65M5 TO247
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 14,4413 13,6013 13,3932 13,2400 13,1275
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
5498 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 13,1275
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
1140 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 13,1275
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Hersteller:
ST
Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5
Präzisionsgehäuse:
TO247
 
Externes Lager:
232 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 13,1275
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
SUM90P10-19L-E3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Siliconix
Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
 
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
Preis netto (EUR) 3,5487 3,1539 2,9170 2,7997 2,7303
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Standard-Verpackung:
96
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
Externes Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,7303
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
 
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3
Präzisionsgehäuse:
TO263 (D2PAK)
 
Externes Lager:
56800 Stk.
Anzahl der Stücke 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,7303
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
WPM2015 SOT23 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
WPM2015-3/TR RoHS || WPM2015-HXY RoHS || WPM2015 SOT23 SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-3/TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2199 0,1036 0,0577 0,0464 0,0400
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
 
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-HXY RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2304 0,1153 0,0687 0,0570 0,0512
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
IRF7401TR N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
YFW4406AS RoHS || IRF7401TR SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
Preis netto (EUR) 0,4403 0,2872 0,2123 0,1807 0,1694
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Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
 
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
Preis netto (EUR) 0,4403 0,2872 0,2123 0,1807 0,1694
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
2N6027 PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
2N6027G-T92-B RoHS || 2N6027 TO92
Hersteller:
UTC
Hersteller-Teilenummer:
2N6027G-T92-B RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3709 0,2063 0,1630 0,1479 0,1431
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
PUT 40V 150mA 300mW THT -50°C ~ 100°C TO92 UTC
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
2N7000BU RoHS || 2N7000TA || 2N7000-D26Z || 2N7000 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000BU RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
Auf Lager:
350 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2560 0,1359 0,1053 0,0972 0,0931
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
45000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0931
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000TA
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0931
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7000-D26Z
Präzisionsgehäuse:
TO92
 
Externes Lager:
16000 Stk.
Anzahl der Stücke 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0931
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE TO92ammoformed
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
 
Auf Lager:
6040 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1436 0,0574 0,0333 0,0278 0,0261
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Standard-Verpackung:
1000/10000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5,3Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92ammoformed
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Hersteller:
LGE
Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1579 0,0625 0,0359 0,0299 0,0287
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Standard-Verpackung:
1000/2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 6Ohm 200mA 350mW THT -55°C ~ 150°C TO92 LGE
2N7002-7-F N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 210mA; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-13-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z;
2N7002-7-F RoHS || 2N7002-7-F || 2N7002-TP || 2N7002-7-F SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
158920 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1070 0,0421 0,0246 0,0180 0,0165
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
3201000 Stk.
Anzahl der Stücke 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0165
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
156000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0173
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2N7002-TP
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
1989000 Stk.
Anzahl der Stücke 15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0165
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
2N7002 N-Channel (mit ESD) MOSFET 0,43 A 60 V 4000 m?
2N7002 RoHS || 2N7002 SOT23
Hersteller:
MIC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
6980 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0541 0,0202 0,0108 0,0081 0,0075
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-03-15
Anzahl der Stücke: 15000
                     
2N7002 GALAXY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3010 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0878 0,0347 0,0202 0,0148 0,0135
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 GALAXY
7002 SOT23 GAOGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 4Ohm; 340mA; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
7002 RoHS || 7002 SOT23 GAOGE SOT23
Hersteller:
GAOGE
Hersteller-Teilenummer:
7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
5596 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0629 0,0236 0,0126 0,0094 0,0087
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 4Ohm 340mA SMA -55°C ~ 150°C SOT23 GAOGE
2N7002 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0766 0,0294 0,0144 0,0114 0,0109
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
2N7002 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.