Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
Produkt | Warenkorb |
Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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AOT410L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 11mOhm; 150A; 333W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT410L RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 25V | 11mOhm | 150A | 333W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT414
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 43mOhm; 43A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT414 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 25V | 43mOhm | 43A | 115W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT424
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6mOhm; 110A; 100 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6mOhm | 110A | 100W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT430
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT430 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
60 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 75V | 25V | 19mOhm | 80A | 268W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT4N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2,2 Ohm; 4A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT4N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
33 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,2Ohm | 4A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT5N50
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1,5 Ohm; 5A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT5N50 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
45 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,5Ohm | 5A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT7N65
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 192W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT7N65 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
12 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,56Ohm | 7A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF10N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF10N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF11N70
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 870 mOhm; 11A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF11N70 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
5 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 870mOhm | 11A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF11N70 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 870mOhm | 11A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF12N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF12N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 550mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF12N60FD
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 650 mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 650mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Auf Lager:
22 Stk. |
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Standard-Verpackung: 22 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 650mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Auf Lager:
28 Stk. |
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Standard-Verpackung: 28 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 650mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF12N65
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 720 mOhm; 12A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF12N65 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 720mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF12N65 Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
2900 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 720mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF16N50
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 370 mOhm; 16A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
4 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF20N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 370 mOhm; 20A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF20N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
35 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 370mOhm | 20A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF240L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,7 mOhm; 85A; 41W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF240L RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,7mOhm | 85A | 41W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF2916L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 62mOhm; 17A; 23,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF2916L RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 62mOhm | 17A | 23,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF4185
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 23mOhm; 34A; 33W; -55 °C ~ 175 °C;
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Hersteller:
AD - Analog Devices Hersteller-Teilenummer: AOTF4185 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 23mOhm | 34A | 33W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF4N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 2,2 Ohm; 4A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF4N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,2Ohm | 4A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF5N50
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 1,5 Ohm; 5A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF5N50 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,5Ohm | 5A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF7N65
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,56 Ohm; 7A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N65 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,56Ohm | 7A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N65 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25/50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,56Ohm | 7A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF7N70
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 1,8 Ohm; 7A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF7N70 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 1,8Ohm | 7A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF7T60P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 1,1 Ohm; 7A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,1Ohm | 7A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF9N70
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 1,2 Ohm; 9A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF9N70 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 1,2Ohm | 9A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF9N90
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 9A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF9N90 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOU2N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,4 Ohm; 2A; 56,8 W; -50 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOU2N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO251 (IPACK) |
Auf Lager:
80 Stk. |
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Standard-Verpackung: 80 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 56,8W | THT | -50°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOU2N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO251 (IPACK) |
Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 56,8W | THT | -50°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AP2301GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 190 mOhm; 2,6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2301AGN;
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Auf Lager:
2260 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 190mOhm | 2,6A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2302AGN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 60mOhm; 4,6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2302AGN; AP2302AGN-HF;
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Auf Lager:
165 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 60mOhm | 4,6A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2302GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 115 mOhm; 3,2A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2365 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 115mOhm | 3,2A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2303GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 460 mOhm; 1,9A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2303GN; AP2303GN-HF; AP2303GN-HF-3;
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Auf Lager:
160 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 460mOhm | 1,9A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2304AGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 190 mOhm; 2,5A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
110 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 190mOhm | 2,5A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.