Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120 mOhm; 3,2A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP2305CGN-HF-3 RoHS || AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2305CGN-HF-3 RoHS
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P-MOSFET 30V 12V 120mOhm 3,2A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2306GN-HF-3 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;
AP2306GN-HF-3 Pbf N6.. || AP2306GN-HF-3 RoHS N6.. || AP2306GN-HF-3TR RoHS N6.. || AP2306GN-HF-3 SOT23
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2306GN-HF-3 Pbf N6..
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
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N-MOSFET 20V 12V 50mOhm 5,3A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2306GN-HF-3 RoHS N6..
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N-MOSFET 20V 12V 50mOhm 5,3A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2306GN-HF-3TR RoHS N6..
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Preis netto (EUR) 0,2615 0,1443 0,0955 0,0796 0,0747
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N-MOSFET 20V 12V 50mOhm 5,3A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 16V; 8V; 90mOhm; 4A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP2307GN-HF-3 RoHS || AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2307GN-HF-3 RoHS
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SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2176 0,1105 0,0668 0,0530 0,0483
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P-MOSFET 16V 8V 90mOhm 4A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 120 mOhm; 3,7A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2309GN; AP2309GN-HF; AP2309GN-HF-3;
AP2309GN-HF-3 Pbf NB.. || AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2309GN-HF-3 Pbf NB..
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
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P-MOSFET 30V 20V 120mOhm 3,7A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 120 mOhm; 3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3TR;
AP2310GN RoHS || AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2310GN RoHS
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SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4180 0,2319 0,1831 0,1663 0,1609
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N-MOSFET 60V 20V 120mOhm 3A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2310GN JGSEMI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 3A; 1,56 W; -50 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3;
AP2310GN RoHS || AP2310GN JGSEMI SOT23
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JGSEMI
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AP2310GN RoHS
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SOT23t/r
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3012 0,1663 0,1102 0,0918 0,0862
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500
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N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 3A 1,56W SMD -50°C ~ 125°C SOT23 JGSEMI
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D || AP2311GN-HF RoHS || AP2311GN RoHS || AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
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P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2311GN-HF RoHS
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2615 0,1394 0,1081 0,0997 0,0955
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3000/78000
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P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2311GN RoHS
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360 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2615 0,1394 0,1081 0,0997 0,0955
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P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
                           
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Geplantes Datum: 2025-05-01
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AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 300 mOhm; 2,5A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2313GN-HF-3TR;
AP2313GN-HF-3 RoHS || AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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AP2313GN-HF-3 RoHS
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
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P-MOSFET 20V 12V 300mOhm 2,5A 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 125 mOhm; 3,5A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C;
AP2314GN-HF-3 RoHS || AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2314GN-HF-3 RoHS
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SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2223 0,1217 0,0799 0,0689 0,0635
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N-MOSFET 20V 12V 125mOhm 3,5A 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2316GN-HF-3TR;
AP2316GN-HF-3 RoHS || AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp.
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AP2316GN-HF-3 RoHS
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SOT23t/r
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70 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2223 0,1217 0,0799 0,0689 0,0635
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100
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N-MOSFET 30V 20V 72mOhm 4,7A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 150 mOhm; 3.1A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP2319GN-HF-3 RoHS || AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2319GN-HF-3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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900 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2405 0,1315 0,0862 0,0745 0,0687
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1000
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P-MOSFET 30V 20V 150mOhm 3,1A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. || AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2320GN-HF-3 RoHS NN..
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3736 0,2057 0,1618 0,1497 0,1436
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100
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N-MOSFET 100V 20V 9Ohm 250mA 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 39mOhm; 6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP2324GN-HF RoHS || AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2324GN-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3549 0,1957 0,1539 0,1424 0,1366
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 39mOhm 6A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm; 5,6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. || AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2334GN-HF-3 RoHS M5..
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3153 0,1735 0,1366 0,1263 0,1212
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 42mOhm 5,6A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 120 mOhm; 5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP2603GY RoHS || AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2603GY RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT26
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124 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2639 0,1452 0,0960 0,0801 0,0752
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 120mOhm 5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT26 Advanced Power Electronics Corp.
AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 2,6 Ohm; 570mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP2608GY-HF-3 RoHS YF.. || AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2608GY-HF-3 RoHS YF..
Präzisionsgehäuse:
SOT26
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3153 0,1733 0,1361 0,1261 0,1210
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 2,6Ohm 570mA 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT26 Advanced Power Electronics Corp.
AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
AP2N7002K-HF RoHS || AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP2N7002K-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1798 0,0855 0,0481 0,0364 0,0327
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 450mA 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4410GM RoHS || AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4410GM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
440 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3643 0,2018 0,1593 0,1445 0,1399
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 25V 22mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4435GH-HF RoHS || AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4435GH-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4180 0,2307 0,1814 0,1681 0,1611
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4435GH-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4180 0,2307 0,1814 0,1681 0,1611
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4435GJ-HF RoHS || AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4435GJ-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
36 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6609 0,4157 0,3433 0,3059 0,2872
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4435GM RoHS || AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO 8
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4435GM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4063 0,2662 0,1908 0,1670 0,1565
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 32mOhm 9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO 8 Advanced Power Electronics Corp.
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4435GM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SO 8
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4157 0,2288 0,1798 0,1665 0,1597
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 32mOhm 9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO 8 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4501AGEM-HF  RoHS || AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4501AGEM-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4787 0,2662 0,2092 0,1973 0,1910
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 150mOhm 8A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4501AGM RoHS || AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4501AGM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
125 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4040 0,2639 0,1899 0,1660 0,1555
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4501GM RoHS || AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4501GM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4437 0,2685 0,2064 0,1863 0,1772
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4503BGM RoHS || AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4503BGM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
175 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3993 0,2615 0,1873 0,1637 0,1534
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 45mOhm 8,2A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4503GM RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5838 0,3246 0,2545 0,2405 0,2331
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 6,9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4578GH RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5815 0,3526 0,2709 0,2452 0,2328
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 60V 25V 150mOhm 9A 8,9W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP4800DGM-HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3573 0,2335 0,1674 0,1464 0,1373
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 30mOhm 9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP60T10GS-HF-3TR;
AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
435 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1279 0,7496 0,6212 0,5604 0,5371
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 67A 167W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp.
AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 75A; 89W; -55 °C ~ 150 °C;
AP6679GH-HF-3 RoHS || AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer:
AP6679GH-HF-3 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8477 0,5324 0,4414 0,3946 0,3690
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 15mOhm 75A 89W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.