Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 2124)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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AOD482
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 76mOhm; 32A; 100W; -55°C ~ 175°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD482 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 76mOhm | 32A | 100W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOD4N60
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD4N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,3Ohm | 4A | 104W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOD5N50
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,6Ohm; 5A; 104W; -50°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD5N50 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
75 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,6Ohm | 5A | 104W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOD603A
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
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Auf Lager:
31 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 60V | 20V | 180mOhm | 12A | 42,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/5-2 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOD609
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 46mOhm/66mOhm; 12A; 27W/30W; -55°C ~ 175°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD609 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252/5-2 |
Auf Lager:
66 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 66mOhm | 12A | 30W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/5-2 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOI403
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8,5mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOI403 RoHS Präzisionsgehäuse: TO251A |
Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 8,5mOhm | 70A | 90W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251A | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AOI4185
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOI4185 RoHS Präzisionsgehäuse: TO251A |
Auf Lager:
18 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 23mOhm | 40A | 62,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251A | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6226
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 6,4mOhm; 17,5A; 43W; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 100V | 20V | 6,4mOhm | 17,5A | 43W | SMD | -55°C ~ 125°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6242
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,8mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6242 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,8mOhm | 85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6298
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 31mOhm; 46A; 78W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6298 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 31mOhm | 46A | 78W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6324 ALPHA&OMEGA
30V N-Channel MOSFET 85A
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6324 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
79 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 4,1mOhm | 85A | 32,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6403
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,4mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6403 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 4,4mOhm | 85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6407
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6407 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
47 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 6,5mOhm | 85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6411
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3,6mOhm; 85A; 156W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6411 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 3,6mOhm | 85A | 156W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6414A
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,4mOhm; 30A; 31W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6414A RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
44 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11,4mOhm | 30A | 31W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6500 DFN08
N-MOSFET 71A 30V
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6500 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(5x6) |
Auf Lager:
280 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 1,4mOhm | 200A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON6512
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1,7mOhm; 150A; 83W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON6512 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08 |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 1,7mOhm | 150A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7246
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26mOhm; 34,5A; 34,7W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 26mOhm | 34,5A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7254
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 17A; 39W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7254 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3.3x3.3) |
Auf Lager:
28 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 17A | 39W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7296
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 12,5A; 20,8W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7296 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3x3) |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 122mOhm | 12,5A | 20,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7400A
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,3mOhm; 40A; 25W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7400A RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3x3) |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11,3mOhm | 40A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7401
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 19mOhm; 35A; 29W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7401 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3x3) |
Auf Lager:
28 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 19mOhm | 35A | 29W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7403
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 29A; 25W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7403 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3x3) |
Auf Lager:
228 Stk. |
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Standard-Verpackung: 400 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 36mOhm | 29A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7406
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 24mOhm; 25A; 15,5W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
Allegro Hersteller-Teilenummer: AON7406 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3x3) |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 24mOhm | 25A | 15,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7407
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 18mOhm; 40A; 29W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 18mOhm | 40A | 29W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7408
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 18A; 11W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
31 Stk. |
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Standard-Verpackung: 94 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 32mOhm | 18A | 11W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7410
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 29mOhm; 24A; 20W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7410 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3x3) |
Auf Lager:
44 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 29mOhm | 24A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7416
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 13,5mOhm; 40A; 25W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 13,5mOhm | 40A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7423
Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin DFN EP T/R
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 11mOhm | 50A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7430
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 34A; 23W; -55°C ~ 150°C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7430 RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3x3) |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 19mOhm | 34A | 23W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.