Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5505)

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Hersteller
2SJ162 P-Channel-MOSFET-Transistor; 160V; 15V; 7A; 100 W; -55 °C ~ 150 °C;
2SJ162 RoHS || 2SJ162 TO 3P
Hersteller:
RENESAS
Hersteller-Teilenummer:
2SJ162 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
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2 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 5,9461 5,3337 5,1907 5,0429 4,9547
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 160V 15V 7A 100W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Renesas
2SJ360 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 1,2 Ohm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
2SJ360 RoHS || 2SJ360 SOT89
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
2SJ360 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
 
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6959 0,4361 0,3623 0,3241 0,3027
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 60V 20V 1,2Ohm 1A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 TOSHIBA
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-03-14
Anzahl der Stücke: 100
                     
2SK1118 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK1118 RoHS || 2SK1118 TO220iso
Hersteller:
PMC-Sierra
Hersteller-Teilenummer:
2SK1118 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Auf Lager:
18 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 24+ 96+ 288+
Preis netto (EUR) 2,0806 1,6516 1,4800 1,4133 1,3870
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Standard-Verpackung:
24
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 600V 30V 1,25Ohm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso
2SK170-BL(F) N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 20mA; 400 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
2SK170-BL(F) RoHS || 2SK170-BL(F) TO92
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK170-BL(F) RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
94 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 3,2459 2,8980 2,6859 2,5500 2,4976
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-JFET 40V 20mA 400mW THT -55°C ~ 125°C TO92 TOSHIBA
2SK209-GR N-Channel-JFET-Transistor; 50V; 14mA; 150 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK209-GR(TE85L,F);
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS || 2SK209-GR SC-59
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC-59 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3456 0,1921 0,1516 0,1378 0,1332
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-JFET 50V 14mA 150mW SMD -55°C ~ 125°C SC-59 TOSHIBA
2SK2746 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 7A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK2746 || 2SK2746  
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK2746
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
17 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 5+ 10+ 17+
Preis netto (EUR) 2,2950 1,9471 1,6540 1,5110 1,4347
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
17
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 1,7Ohm 7A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P TOSHIBA
2SK2883 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 3,6 Ohm; 3A; 75W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK2883 RoHS || 2SK2883 TO220/FL
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK2883 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220/FL
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 2+ 3+ 5+ 25+
Preis netto (EUR) 1,6015 1,3441 1,2345 1,1273 0,9414
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 3,6Ohm 3A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220/FL TOSHIBA
2SK2963(TE12L,F) N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 950 mOhm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
2SK2963 RoHS || 2SK2963(TE12L,F) SOT89
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK2963 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT89
Datenblatt
Auf Lager:
37 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3489 0,9461 0,8031 0,7340 0,7102
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 950mOhm 1A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 TOSHIBA
2SK3018 KUU N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: K2SK3018-7-F;
2SK3018 RoHS || 2SK3018 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
2SK3018 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1225 0,0560 0,0303 0,0226 0,0204
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
2SK3018-TP N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2SK3018-TP RoHS || 2SK3018-TP SOT323
Hersteller:
Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer:
2SK3018-TP RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1442 0,0684 0,0386 0,0293 0,0262
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Micro Comercial Components Corp.
2SK3565 N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 2,5 Ohm; 5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
2SK3565 RoHS || 2SK3565 TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK3565 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
60 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5348 1,2250 1,0486 0,9414 0,9032
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 900V 30V 2,5Ohm 5A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso TOSHIBA
2SK3666-3-TB-E SOT23-3 N-Channel-JFET-Transistor; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
2SK3666-2-TB-E RoHS || 2SK3666-3-TB-E SOT23-3 SOT23-3
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2SK3666-2-TB-E RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
175 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3456 0,2262 0,1621 0,1397 0,1327
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Standard-Verpackung:
250
Menge (mehrere 1)
N-JFET 30V 30V 200Ohm 10mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
2SK3878 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 9A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
2SK3878 RoHS || 2SK3878 JSMICRO TO 3P
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
2SK3878 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
 
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9995 1,5872 1,4085 1,3465 1,3322
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 9A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P JSMICRO
 
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
2SK3878 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
 
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9995 1,5872 1,4347 1,3561 1,3322
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 9A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P JSMICRO
2SK3878 TOSHIBA N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 9A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); ähnlich STW11NK100Z;
2SK3878(STA1,E,S) RoHS || 2SK3878 TOSHIBA TO 3P
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK3878(STA1,E,S) RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
210 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,5357 2,0114 1,7993 1,7207 1,6897
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Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 900V 900V 30V 1,3Ohm 9A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P TOSHIBA
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-15
Anzahl der Stücke: 500
                     
2SK4013 N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK4013(STA4,Q,M);
2SK4013 RoHS || 2SK4013(STA4,Q,M) || 2SK4013 TO220iso
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK4013 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,6206 1,2369 1,0248 0,8985 0,8532
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 1,7Ohm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso TOSHIBA
 
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
2SK4013(STA4,Q,M)
Präzisionsgehäuse:
TO220iso
 
Externes Lager:
450 Stk.
Anzahl der Stücke 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8532
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 800V 800V 30V 1,7Ohm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso TOSHIBA
2V7002LT1G N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
2V7002LT1G RoHS || 2V7002LT1G || 2V7002LT1G SOT23-5
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2V7002LT1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-5/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2221 0,1127 0,0682 0,0541 0,0493
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2V7002LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23-5
 
Externes Lager:
1812000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0493
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2V7002LT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23-5
 
Externes Lager:
963000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0493
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
2V7002KT1G Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23
2V7002KT1G RoHS 704 || 2V7002KT1G || 2V7002KT1G SOT23-5
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2V7002KT1G RoHS 704
Präzisionsgehäuse:
SOT23-5/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2178 0,1103 0,0670 0,0531 0,0484
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
MOSFET 60V 20V 300W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2V7002KT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23-5
 
Externes Lager:
2781000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0484
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
MOSFET 60V 20V 300W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
2V7002KT1G
Präzisionsgehäuse:
SOT23-5
 
Externes Lager:
30000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0484
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
MOSFET 60V 20V 300W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
3SK293 N-Channel-MOSFET-Transistor; 12,5 V; 8V; 30mA; 100 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 3SK293(TE85L,F);
3SK293 (TE85L,F) RoHS || 3SK293 2-2K1B
Hersteller:
Toshiba
Hersteller-Teilenummer:
3SK293 (TE85L,F) RoHS
Präzisionsgehäuse:
2-2K1B
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5338 0,2979 0,2338 0,2204 0,2135
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 12,5V 8V 30mA 100mW SMD -55°C ~ 125°C 2-2K1B TOSHIBA
8205A N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 25mOhm; 6A; 1,5 W; -55°C~150°C; Ähnlich wie: 8205A; S8205A; MS8205A; FS8205A; WST8205A; .8205A/B; CJL8205A; 8205A-HXY; JMTM8205A; UT8205AG-AG6; TPM8205ATS6; TPM8205ATS6-1;
8205A RoHS || MS8205A RoHS || 8205A SOT23-6
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
8205A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-6/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2164 0,1025 0,0572 0,0434 0,0393
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 25mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 MSK
 
Hersteller:
MSKSEMI
Hersteller-Teilenummer:
MS8205A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-6/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2164 0,1025 0,0572 0,0434 0,0393
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 25mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 MSK
 
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
8205A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-6/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2431 0,1323 0,0867 0,0751 0,0691
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 25mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23-6 MSK
AO3400 SOT23-3 HOTTECH N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3400 RoHS || AO3400 SOT23-3 HOTTECH SOT23
Hersteller:
HOTTECH
Hersteller-Teilenummer:
AO3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3270 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1547 0,0734 0,0412 0,0315 0,0281
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 55mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
AO3400 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3400-HXY RoHS || AO3400 HXY MOSFET SOT23
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HXY MOSFET
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AO3400-HXY RoHS
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N-MOSFET 30V 12V 55mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
KAO3400 KUU N-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 35mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
KAO3400 RoHS || KAO3400 KUU SOT23
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kuu semiconductor
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KAO3400 RoHS
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SOT23t/r
 
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N-MOSFET 30V 12V 35mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
AO3400A UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3400A RoHS || AO3400A UMW SOT23
Hersteller:
UMW
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AO3400A RoHS
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SOT23t/r
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3000
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N-MOSFET 30V 12V 48mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
AO3401A Alpha & Omega Semiconductor AOS P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 85mOhm; 4A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3401A RoHS || AO3401A Alpha & Omega Semiconductor AOS SOT23
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ALPHA&OMEGA
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AO3401A RoHS
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SOT23t/r
 
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P-MOSFET 30V 12V 85mOhm 4A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3401A SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 85mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
AO3401A RoHS || AO3401A SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN
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AO3401A RoHS
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SOT23t/r
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P-MOSFET 30V 12V 85mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
                           
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BL3401 GALAXY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
BL3401A RoHS || BL3401 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY
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BL3401A RoHS
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3000
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P-MOSFET 30V 12V 90mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 GALAXY
AO3401 HXY MOSFET P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3401 RoHS || AO3401 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
AO3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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P-MOSFET 30V 12V 90mOhm 4,2A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
AO3401 JUXING P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
JX3401 RoHS || AO3401 JUXING SOT23
Hersteller:
JUXING
Hersteller-Teilenummer:
JX3401 RoHS
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SOT23t/r
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3000
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P-MOSFET 30V 12V 90mOhm 4,2A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JUXING
KAO3401 SOT23 KUU P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 100 mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
KAO3401 RoHS || KAO3401 SOT23 KUU SOT23
Hersteller:
kuu semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
KAO3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 293+ 1172+
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293
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N-MOSFET 30V 12V 100mOhm 4,1A 1,4W SMD -55°C ~ 155°C SOT23 KUU
AO3401 MLCCBASE P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 120 mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
A03401 RoHS || AO3401 MLCCBASE SOT23
Hersteller:
MLCCBASE
Hersteller-Teilenummer:
A03401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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1000
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P-MOSFET 30V 12V 120mOhm 4,2A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MLCCBASE
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.