Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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2N7002ET1G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002ET1E3;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2N7002EW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 340mA; 200 mW; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
MOSFET | 60V | 20V | 30V | 5,3Ohm | 340mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | AnBon | ||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 Infineon
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
17910 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
2N7002K JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 500mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
2N7002K SOT23 MDD
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
2N7002K VISHAY
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
980 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
51000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
2436000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
2N7002KW
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
63000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
381000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec.
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1240 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
2N7002P,215
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P;
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Auf Lager:
2845 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,215 Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
178000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,215 Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
120000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,215 Präzisionsgehäuse: SOT23-3 |
Externes Lager:
42000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
2N7002PS NXP
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125;
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Auf Lager:
2990 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PS,125 Präzisionsgehäuse: SC-88 |
Externes Lager:
42000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PS,115 Präzisionsgehäuse: SC-88 |
Externes Lager:
2067000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PS,115 Präzisionsgehäuse: SC-88 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
2N7002PW NXP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
708000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
84000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
2N7002T-7-F SOT-523 DIODES
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C; Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
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Auf Lager:
79 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002T-7-F Präzisionsgehäuse: SOT523 |
Externes Lager:
90000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002T-7-F Präzisionsgehäuse: SOT523 |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: 2N7002T-7-F Präzisionsgehäuse: SOT523 |
Externes Lager:
129000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
K2N7002W-7-F KUU
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: K2N7002W-7-F RoHS Präzisionsgehäuse: SOT323 t/r |
Auf Lager:
600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 600 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | KUU | ||||||||||||
2N7002WT1G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5 Ohm; 310mA; 280 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002W;
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Auf Lager:
11490 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 310mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002WT1G Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
12000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 310mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002WT1G Präzisionsgehäuse: SOT323 |
Externes Lager:
111000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 310mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2N7008-G Microchip
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 30V; 7,5 Ohm; 230mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 30V | 7,5Ohm | 230mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | MICROCHIP | ||||||||||||
2SJ162
P-Channel-MOSFET-Transistor; 160V; 15V; 7A; 100 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
2 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 160V | 15V | 7A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Renesas | ||||||||||||||
2SJ360
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 1,2 Ohm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
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Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer: 2SJ360 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT89 t/r |
Auf Lager:
70 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 1,2Ohm | 1A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | TOSHIBA | ||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-04-20
Anzahl der Stücke: 100
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2SK1118
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SK1118 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
18 Stk. |
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Standard-Verpackung: 24 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 1,25Ohm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | |||||||||||||
2SK209-GR
N-Channel-JFET-Transistor; 50V; 14mA; 150 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK209-GR(TE85L,F);
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Auf Lager:
450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-JFET | 50V | 14mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 125°C | SC-59 | TOSHIBA | |||||||||||||||
2SK2746
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 7A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
17 Stk. |
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung: 17 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 1,7Ohm | 7A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK2883
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 3,6 Ohm; 3A; 75W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 3,6Ohm | 3A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220/FL | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK2963(TE12L,F)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 950 mOhm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
37 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 950mOhm | 1A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK3018 KUU
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: K2SK3018-7-F;
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Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SK3018 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 100mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
2SK3018-TP
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 100mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
2SK3565
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 2,5 Ohm; 5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
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Auf Lager:
60 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 900V | 30V | 2,5Ohm | 5A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK3666-3-TB-E SOT23-3
N-Channel-JFET-Transistor; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
175 Stk. |
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Standard-Verpackung: 250 Menge (mehrere 1) |
N-JFET | 30V | 30V | 200Ohm | 10mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2SK3878 TOSHIBA
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 9A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); ähnlich STW11NK100Z;
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Auf Lager:
110 Stk. |
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Standard-Verpackung: 25/500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | TOSHIBA | ||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2025-05-19
Anzahl der Stücke: 500
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2SK3878 JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 9A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
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Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SK3878 RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | JSMICRO | |||||||||||||
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: 2SK3878 RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | JSMICRO | |||||||||||||
2SK4013
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK4013(STA4,Q,M);
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 1,7Ohm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | TOSHIBA | ||||||||||||
Hersteller:
Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SK4013(STA4,Q,M) Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Externes Lager:
450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 1,7Ohm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | TOSHIBA | ||||||||||||
2V7002LT1G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2V7002LT1G Präzisionsgehäuse: SOT23-5 |
Externes Lager:
1776000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2V7002LT1G Präzisionsgehäuse: SOT23-5 |
Externes Lager:
297000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.