Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5515)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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2N7000 DIOTEC
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
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Auf Lager:
7800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 4000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Präzisionsgehäuse: TO92 |
Externes Lager:
6126 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
2N7002
N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350 mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
252000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
5160 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
RTR040N03TL
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS
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Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer: RTR040N03TL RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
130 Stk. |
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Standard-Verpackung: 350 Menge (mehrere 1) |
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2N7002-T1-E3 VISHAY
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 40V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-T1-GE3;
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Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 40V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
AO3407 HXY MOSFET
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3407 JUXING
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
8205A
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Ersatz: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
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Auf Lager:
90 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3403
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3403 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3415A
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
380 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
AO3415A
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBS | |||||||||||||
STD26P3LLH6 JSMICRO
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 55A | 37,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
AO3418
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3418 RoHS AK... Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3418 Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3419
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 168 mOhm; 3,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3419 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
20570 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3420 SOT23-3L
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | |||||||||||||
AO3422
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 12V; 120 mOhm; 2A; 1,56 W; -55°C~150°C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 55V | 12V | 120mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | |||||||||||||
AO4409
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4409 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 15A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4435
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4435 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 36mOhm | 14A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4455
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 9,5 mOhm; 17A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO4455 RoHS Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
95 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,5mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7520
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 3,1 mOhm; 50A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AON7520C RoHS Präzisionsgehäuse: DFN08(3.3x3.3) |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 3,1mOhm | 50A | 83,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
FDG6317NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6317NZ Präzisionsgehäuse: SC-88 |
Externes Lager:
53000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6317NZ Präzisionsgehäuse: SC-88 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
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Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6317NZ RoHS Präzisionsgehäuse: SC-88 t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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AOT10N60
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOT10N60 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220 |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF16N50
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 370 mOhm; 16A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
4 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF9N70
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; 30V; 1,2 Ohm; 9A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Hersteller:
ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOTF9N70 RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
40 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 1,2Ohm | 9A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Auf Lager:
14045 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Auf Lager:
560 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
NTMD6P02R2G
2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6,2A | 1,28W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMD6P02R2G Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
12500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6,2A | 1,28W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMD6P02R2G Präzisionsgehäuse: SOP08 |
Externes Lager:
10000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6,2A | 1,28W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR0202PLT1G
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 1,1 Ohm; 400mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR0202PLT3G;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 20V | 1,1Ohm | 400mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR0202PLT1G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
9000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 20V | 1,1Ohm | 400mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4003NT1G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4003NT3G;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
95 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 500mA | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Auf Lager:
1400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 500mA | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4003NT1G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
231000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 500mA | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4101PT1G
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730 mW; -55 °C ~ 150 °C;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: NTR4101PT1G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
565 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4171PT1G
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 150 mOhm; 2,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4171PT3G;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4171PT1G Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
51000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4501NT1G
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 105 mOhm; 3,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4501NT3G;
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Fragen? Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48785054437 |
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 105mOhm | 3,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.