Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Gehäuse
Hersteller
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSD314spe Infos
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BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
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80 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2615 0,1427 0,0936 0,0845 0,0745
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 230mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD840N 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 400 mOhm; 880mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalente: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
Micros Symbol: TBSD840n Infos
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BSD840NH6327XTSA1 RoHS || BSD840NH6327XTSA1 || BSD840N SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2207 0,1221 0,0810 0,0677 0,0631
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 8V 400mOhm 880mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
1095000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0631
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		2xN-MOSFET 20V 8V 400mOhm 880mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
BSH103,215 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 600 mOhm; 850mA; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH103.215; BSH103,235; BSH103.215;
Micros Symbol: TBSH103 Infos
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BSH103 RoHS || BSH103,215 || BSH103,235 || BSH103,215 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH103 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
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3890 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2756 0,1462 0,1133 0,1046 0,1002
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH103,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
75000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1002
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH103,235 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
70000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1002
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH103,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
60000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1002
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH105 N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8V; 375 mOhm; 1,05A; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH105.215; BSH105.235;
Micros Symbol: TBSH105 Infos
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BSH105,215 RoHS || BSH105,215 || BSH105,235 || BSH105 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH105,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
4144 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3293 0,1819 0,1431 0,1324 0,1270
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH105,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
96000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1270
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH105,235 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1270
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH105,235 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1270
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH108 N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 240 mOhm; 1,9A; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH108.215;
Micros Symbol: TBSH108 Infos
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BSH108 RoHS || BSH108,215 || BSH108 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH108 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
360 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
Preis netto (EUR) 0,2125 0,1172 0,0778 0,0647 0,0607
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Standard-Verpackung:
2180
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH108 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2125 0,1177 0,0780 0,0652 0,0607
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH108,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
27000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0778
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH108,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
486000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0815
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH108,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0780
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH111 N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH111BKR; BSH111,235;
Micros Symbol: TBSH111 Infos
Datenblatt
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BSH111 RoHS || BSH111BKR || BSH111 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH111 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5628 0,3386 0,2592 0,2328 0,2249
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH111BKR Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
81000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2249
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH111BKR Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
222000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2249
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH111BKR Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2249
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH114 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 1,15 Ohm; 850mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH114.235; BSH114,215; BSH114-VB;
Micros Symbol: TBSH114 Infos
Datenblatt
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BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH114,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
63 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 1,0789 0,7122 0,5861 0,5254 0,5137
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Standard-Verpackung:
20/200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 1,15Ohm 850mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH201 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 4,25 Ohm; 300mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH201.215; BSH205.215;
Micros Symbol: TBSH201 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSH201,215 RoHS || BSH201,215 || BSH201 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2520 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2709 0,1431 0,1109 0,1023 0,0981
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0981
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
18000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0981
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH201,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
267000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0981
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH202 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 1,35 Ohm; 520mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH202.215;
Micros Symbol: TBSH202 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSH202 RoHS || BSH202 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH202 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2849 0,1824 0,1284 0,1091 0,1037
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 30V 20V 1,35Ohm 520mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH203 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 8V; 1,65 Ohm; 470mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH203.215;
Micros Symbol: TBSH203 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSH203,215 RoHS WJ. || BSH203,215 || BSH203 SOT23-3
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 RoHS WJ. Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
190 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2872 0,1569 0,1030 0,0929 0,0820
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH203,215 Präzisionsgehäuse:
SOT23-3  
Externes Lager:
21000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0820
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH205 P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 12V; 8V; 750 mOhm; 750mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
Micros Symbol: TBSH205 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSH205G2 RoHS || BSH205G2R || BSH205 SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
5265 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2592 0,1434 0,0953 0,0794 0,0740
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2R Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
30000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0740
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2R Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
354000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0740
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSH205G2R Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0740
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSL207SPH6327 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL207SPH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSL207sph Infos
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BSL207SPH6327 Pbf sPA || BSL207SPH6327XTSA1 || BSL207SPH6327 TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL207SPH6327 Pbf sPA Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
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465 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3153 0,1744 0,1378 0,1249 0,1210
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL207SPH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1624
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL207SPH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1691
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
BSL211SPH6327 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL211SPH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSL211sp Infos
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BSL211SPH6327 RoHS || BSL211SPH6327XTSA1 || BSL211SPH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL211SPH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4040 0,2639 0,1892 0,1653 0,1551
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 12V 110mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL211SPH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1560
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 20V 12V 110mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSL215CH6327 Infineon N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm/280 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000;
Micros Symbol: TBSL215c Infos
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BSL215CH6327 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 || BSL215CH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
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Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4554 0,2756 0,2116 0,1910 0,1817
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
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Auf Lager:
4260 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4554 0,2756 0,2116 0,1910 0,1817
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
102000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1817
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL215CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1817
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSL307SPH6327 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 74 mOhm; 5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL307SPH6327XTSA1;
Micros Symbol: TBSL307sp Infos
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BSL307SPH6327XTSA1 RoHS || BSL307SPH6327XTSA1 || BSL307SPH6327 Infineon TSOP06
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOP06 t/r
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Auf Lager:
1650 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6982 0,4414 0,3479 0,3176 0,3036
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL307SPH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
63000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3036
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSL307SPH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
TSOP06  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3036
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSN20 NXP N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSN20.215; BSN20.235;
Micros Symbol: TBSN20 Infos
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BSN20 RoHS || BSN20 NXP SOT23
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSN20 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
2900 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2197 0,1114 0,0675 0,0535 0,0488
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 50V 50V 20V 28Ohm 173mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSN20-7 N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSN20-7 Diodes Infos
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BSN20-7 RoHS || BSN20-7 || BSN20-7 SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BSN20-7 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2255 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1892 0,0960 0,0581 0,0460 0,0420
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BSN20-7 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
303000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0438
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BSN20-7 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
54000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BSN20-7 Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
63000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0487
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BSO080P03S Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: TBSO080p03s Infos
Datenblatt
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BSO080P03S RoHS || BSO080P03S SOP08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSO080P03S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3801 0,9668 0,8220 0,7519 0,7262
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1020
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 25V 8mOhm 14,9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSO080P03S RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
410 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2680 0,8897 0,7543 0,6912 0,6679
Zum Vergleichstool hinzufügen
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 25V 8mOhm 14,9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
BSO220N03MDG INFINEON 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO220N03MDGXUMA1;
Micros Symbol: TBSO220n03mdg Infos
Datenblatt
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BSO220N03MDG RoHS || BSO220N03MDG INFINEON SOIC08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSO220N03MDG RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5815 0,3223 0,2545 0,2405 0,2324
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 27mOhm 7,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 Infineon Technologies
BSO613SPV G Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 3,44A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
Micros Symbol: TBSO613spv Infos
Datenblatt
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BS0613SPV G RoHS || BSO613SPV G Infineon SOIC08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BS0613SPV G RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8477 0,5324 0,4414 0,3946 0,3690
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 3,44A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 Infineon Technologies
BSP125 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
Micros Symbol: TBSP125 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP125-L6327 RoHS || BSP125H6433XTMA1 || BSP125 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP125-L6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5838 0,3246 0,2545 0,2405 0,2331
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP125H6433XTMA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
4000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2331
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP129H6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Micros Symbol: TBSP129 Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BSP129H6327XTSA1 RoHS || BSP129H6327XTSA1 || BSP129H6327XTSA1 SOT223-3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8920 0,5931 0,4904 0,4437 0,4250
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1755 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8920 0,5931 0,4904 0,4437 0,4250
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
28000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4250
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
2400 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4250
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP129H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4250
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
BSP135 N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Micros Symbol: TBSP135 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP135H6327XTSA1 RoHS || BSP135H6327XTSA1 || BSP135 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5319 1,1676 0,9668 0,8477 0,8056
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
61000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8056
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
126000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8056
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP135H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
2800 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8056
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP149 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3,5 Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
Micros Symbol: TBSP149 Infos
Datenblatt
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BSP149H6327XTSA1 RoHS || BSP149H6327XTSA1 || BSP149 SOT223-3
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP149H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-3
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Auf Lager:
3 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,9341 0,5861 0,4881 0,4343 0,4063
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
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Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP149H6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,9341 0,5861 0,4881 0,4343 0,4063
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP149H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
244000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4063
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1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP149H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
27000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4063
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP149H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-3  
Externes Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,4063
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
BSP170P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Micros Symbol: TBSP170p Infos
Datenblatt
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BSP170PH6327XTSA1 || BSP170PH6327 RoHS || BSP170P SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
155000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2685
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
105000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2685
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
5625 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2685
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP170PH6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6188 0,3876 0,3223 0,2872 0,2685
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP171P P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
Micros Symbol: TBSP171 Infos
Datenblatt
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BSP171P H6327 RoHS || BSP171PH6327XTSA1 || BSP171P SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171P H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1530 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6492 0,4110 0,3246 0,2966 0,2826
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
92000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2826
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
55000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2826
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP171PH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
31025 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2826
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP250 P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Micros Symbol: TBSP250 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP250,115 RoHS || BSP250,115 || BSP250,135 || BSP250 SOT223
Hersteller:
NXP Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r  
Auf Lager:
385 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7636 0,4834 0,3806 0,3479 0,3316
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
62000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3316
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP250,135 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
8000 Stk.
Anzahl der Stücke 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3316
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
 
Hersteller:
Nexperia Hersteller-Teilenummer:
BSP250,115 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
187000 Stk.
Anzahl der Stücke 508+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3316
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
BSP296NH6327XTSA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;
Micros Symbol: TBSP296N Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP296NH6327XTSA1 RoHS || BSP296NH6327XTSA1 || BSP296NH6327XTSA1 SOT223-4
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1136 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6865 0,4367 0,3433 0,3129 0,2989
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-4  
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2989
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-4  
Externes Lager:
39000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2989
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP296NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223-4  
Externes Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2989
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
BSP297 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP297 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP297 RoHS || BSP297H6327XTSA1 || BSP297 SOT223
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6772 0,4250 0,3526 0,3153 0,2942
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 3Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
6981 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2942
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 200V 20V 3Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP297H6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT223  
Externes Lager:
10575 Stk.
Anzahl der Stücke 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2942
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 200V 20V 3Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP299H N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
Micros Symbol: TBSP299h Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSP299 H6327 RoHS || BSP299H SOT223-4
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSP299 H6327 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223-4 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,4432 1,0088 0,8570 0,7846 0,7589
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 500V 20V 4Ohm 400mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
1    9  10  11  12  13  14  15  16  17    183

Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.