Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 5467)

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Max. Drain-Source Spannung
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Gehäuse
Hersteller
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 380 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: LBSS8402DW1T3G;
LBSS8402DW1T1G RoHS || LBSS8402DW1T1G SC88 LRC SC-88
Hersteller:
LRC
Hersteller-Teilenummer:
LBSS8402DW1T1G RoHS
Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
445 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,1978 0,0936 0,0523 0,0397 0,0360
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 380mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 LRC
BSS84AK,215 P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 13,5 Ohm; 180mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
BSS84AK,215 RoHS || BSS84AK,215 || BSS84AK,215 SOT23-3
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AK,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3700 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1464 0,0696 0,0392 0,0297 0,0266
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
36000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0266
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
777000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0266
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AK,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23-3
 
Externes Lager:
1038000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0266
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSS84AKS NXP 2xP-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 13,5 Ohm; 160mA; 320 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84AKS,115;
BSS84AKS RoHS || BSS84AKS,115 || BSS84AKS NXP SOT363
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2359 0,1303 0,0866 0,0722 0,0673
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3000
Menge (mehrere 1)
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0673
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
39000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0673
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3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKS,115
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
123000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0673
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
BSS84AKW,115 P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 13,5 Ohm; 150mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
BSS84AKW,115 RoHS || BSS84AKW,115 || BSS84AKW,115 SOT323
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKW,115 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1350 0,0640 0,0360 0,0273 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
1164000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
39000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BSS84AKW,115
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
930000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0245
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
BSS84DW-7-F Diodes 2xP-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BSS84DW-7-F Pbf K84.. || BSS84DW-7-F || BSS84DW-7-F Diodes SOT363
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84DW-7-F Pbf K84..
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3380 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2522 0,1336 0,1034 0,0955 0,0915
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84DW-7-F Pbf K84..
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2600 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2522 0,1336 0,1034 0,0955 0,0915
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Standard-Verpackung:
2600
Menge (mehrere 1)
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84DW-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
282000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0915
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84DW-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0915
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84DW-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT363
 
Externes Lager:
12000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1028
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
LBSS84DW1T1G SC-88 LRC 2xP-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 380 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84DW-7-F;
LBSS84DW1T1G RoHS PD. || LBSS84DW1T1G SC-88 LRC SC-88
Hersteller:
LRC
Hersteller-Teilenummer:
LBSS84DW1T1G RoHS PD.
Präzisionsgehäuse:
SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1670 0,0794 0,0446 0,0339 0,0304
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
2xP-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 380mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 LRC
BSS84PH6327XTSA2 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12 Ohm; 170mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327 (halogenfrei); BSS84P-L6327 (Pb-frei); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
BSS84PH6327XTSA2 RoHS || BSS84P H6327 RoHS || BSS84PH6327XTSA2 || BSS84PH6327XTSA2 SOT23
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
40601 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2223 0,1056 0,0593 0,0451 0,0404
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84P H6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2223 0,1056 0,0593 0,0451 0,0404
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PH6327XTSA2
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
7319000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0404
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PH6327XTSA2
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
758400 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0404
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PH6327XTSA2
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
209200 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0404
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS84P P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; +/-20V; 10 Ohm; 130mA; 225 mW; -55°C~150°C;
BSS84 RoHS || BSS84P SOT23
Hersteller:
AnBon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1684 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 2784+
Preis netto (EUR) 0,1130 0,0444 0,0259 0,0189 0,0174
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Standard-Verpackung:
2784
Menge (mehrere 10)
P-MOSFET 50V 10V 20V 10mOhm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
 
Hersteller:
AnBon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
216 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 2784+
Preis netto (EUR) 0,1130 0,0444 0,0259 0,0189 0,0174
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Standard-Verpackung:
216
Menge (mehrere 10)
P-MOSFET 50V 10V 20V 10mOhm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
BSS84PWH Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12 Ohm; 150mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
BSS84PWH6327XTSA1 RoHS || BSS84PW H6327 RoHS || BSS84PWH6327XTSA1 || BSS84PWH Infineon SOT323
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PWH6327XTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
15730 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1644 0,0780 0,0439 0,0334 0,0299
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PW H6327 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1644 0,0780 0,0439 0,0334 0,0299
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PWH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
4983000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0299
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PWH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
150000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0299
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS84PWH6327XTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
13900 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0385
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
BSS84W-7-F P-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 10 Ohm; 130mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;
BSS84W-7-F RoHS || BSS84W-7-F || BSS84W-7-F SOT323
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84W-7-F RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1997 0,1013 0,0614 0,0486 0,0444
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84W-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
1143000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84W-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer:
BSS84W-7-F
Präzisionsgehäuse:
SOT323
 
Externes Lager:
123000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0444
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
BSS84W P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,9 Ohm; 170mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS84W-F2-0000HF;
BSS84W-F2-0000HF RoHS || BSS84W SOT323
Hersteller:
YY
Hersteller-Teilenummer:
BSS84W-F2-0000HF RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2165 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0673 0,0259 0,0127 0,0101 0,0096
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
P-MOSFET 60V 20V 9,9Ohm 170mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
BSS87 N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 7Ohm; 700mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS87,115;
BSS87 RoHS || BSS87 SOT89
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BSS87 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT89
Datenblatt
Auf Lager:
17 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 770+
Preis netto (EUR) 0,3853 0,2522 0,1800 0,1572 0,1483
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Standard-Verpackung:
770
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 7Ohm 700mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 NXP
BSS87H6327 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 7,5 Ohm; 260mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
BSS87H6327FTSA1 RoHS || BSS87H6327FTSA1 || BSS87H6327 Infineon SOT89
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS87H6327FTSA1 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT89 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
237 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4951 0,2989 0,2300 0,2076 0,1976
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 240V 20V 7,5Ohm 260mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon
Hersteller-Teilenummer:
BSS87H6327FTSA1
Präzisionsgehäuse:
SOT89
 
Externes Lager:
15000 Stk.
Anzahl der Stücke 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1976
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 240V 20V 7,5Ohm 260mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
BST82 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BST82.215; BST82,235;
BST82,215 RoHS || BST82 RoHS || BST82,215 || BST82,235 || BST82 SOT23
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BST82,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2499 0,1322 0,1025 0,0946 0,0906
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BST82,215 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2499 0,1322 0,1025 0,0946 0,0906
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BST82 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
308 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2662 0,1410 0,1093 0,1009 0,0967
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BST82,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
57000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0967
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BST82,235
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
40000 Stk.
Anzahl der Stücke 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0967
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BST82,215
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0967
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BUK6D120-60PX P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; +/-20V; 120 mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Äquivalent: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
BUK6D120-60PX RoHS || BUK6D120-60PX || BUK6D120-60PX DFN06
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK6D120-60PX RoHS
Präzisionsgehäuse:
DFN06
Datenblatt
Auf Lager:
290 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3620 0,2013 0,1590 0,1443 0,1396
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 60V 20V 120mOhm 8A 15W SMD -55°C ~ 175°C DFN06 NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK6D120-60PX
Präzisionsgehäuse:
DFN06
 
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1396
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
P-MOSFET 60V 20V 120mOhm 8A 15W SMD -55°C ~ 175°C DFN06 NXP
BUK7K15-80EX 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; BUK7K15-80EX
BUK7K15-80EX RoHS || BUK7K15-80EX LFPAK
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7K15-80EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK
Datenblatt
Auf Lager:
11 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 21+ 84+ 252+
Preis netto (EUR) 1,7771 1,4081 1,2680 1,2073 1,1839
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Standard-Verpackung:
21
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 80V 80V 20V 38mOhm 23A 68W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
BUK7M12-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK7M12-60EX RoHS || BUK7M12-60EX || BUK7M12-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M12-60EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8682 1,4735 1,2750 1,1933 1,1676
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 27mOhm 53A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M12-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
121500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1676
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 27mOhm 53A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M12-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1676
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 27mOhm 53A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M15-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 34 mOhm; 43A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK7M15-60EX RoHS || BUK7M15-60EX || BUK7M15-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M15-60EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,7934 1,3731 1,1629 1,0812 1,0555
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 34mOhm 43A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M15-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0555
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 34mOhm 43A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M27-80EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK7M27-80EX RoHS || BUK7M27-80EX || BUK7M27-80EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M27-80EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8822 1,4852 1,2844 1,2026 1,1769
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 80V 80V 20V 68mOhm 30A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M27-80EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1769
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 80V 80V 20V 68mOhm 30A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M27-80EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1769
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 80V 80V 20V 68mOhm 30A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M33-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 74 mOhm; 24A; 44W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK7M33-60EX RoHS || BUK7M33-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M33-60EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7262 0,5745 0,3993 0,3363 0,3153
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 74mOhm 24A 44W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M3R3-40H N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 7,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK7M3R3-40HX;
BUK7M3R3-40HX RoHS || BUK7M3R3-40HX || BUK7M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M3R3-40HX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1886 0,9084 0,7519 0,6585 0,6258
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 7,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M3R3-40HX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
4500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6258
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 40V 20V 7,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M3R3-40HX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6258
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 40V 20V 7,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M67-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 150 mOhm; 14A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK7M67-60EX RoHS || BUK7M67-60EX || BUK7M67-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M67-60EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3264 0,9644 0,7893 0,7216 0,6982
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M67-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6982
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M67-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
7500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6982
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M67-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6982
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M6R3-40EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 20V; 12,5 mOhm; 70A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK7M6R3-40EX RoHS || BUK7M6R3-40EX || BUK7M6R3-40EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M6R3-40EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
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5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 40V 20V 12,5mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK7M6R3-40EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
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N-MOSFET 40V 40V 20V 12,5mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7V4R2-40HX Dualer N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,2 mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C;
BUK7V4R2-40HX RoHS || BUK7V4R2-40HX LFPAK56D
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK7V4R2-40HX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK56D
Datenblatt
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
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2xN-MOSFET 40V 20V 4,2mOhm 98A 85W SMD -55°C ~ 150°C LFPAK56D NXP
BUK96180-100A N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 15V; 450 mOhm; 11A; 54W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BUK96180-100A,118;
BUK96180-100A,118 RoHS || BUK96180-100A D2PAK
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK96180-100A,118 RoHS
Präzisionsgehäuse:
D2PAK t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8594 0,5394 0,4484 0,3993 0,3736
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100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 100V 15V 450mOhm 11A 54W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK NXP
BUK9M15-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 34 mOhm; 47A; 75W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK9M15-60EX RoHS || BUK9M15-60EX || BUK9M15-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M15-60EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
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5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9802 1,4642 1,2774 1,2143 1,1653
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 10V 34mOhm 47A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M15-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
3000 Stk.
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1500
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 10V 34mOhm 47A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M15-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,1653
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 10V 34mOhm 47A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M19-60EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 10V; 43mOhm; 38A; 62W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK9M19-60EX RoHS || BUK9M19-60EX || BUK9M19-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M19-60EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
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5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7818 1,3170 1,1489 1,0929 1,0485
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 10V 43mOhm 38A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M19-60EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
4500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,0485
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
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20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 60V 10V 43mOhm 38A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M23-80EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK9M23-80EX RoHS || BUK9M23-80EX || BUK9M23-80EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M23-80EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,0923 1,6019 1,4198 1,3591 1,3077
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 80V 80V 10V 58mOhm 37A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M23-80EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,3077
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 80V 80V 10V 58mOhm 37A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M3R3-40H N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 9,2 mOhm; 80A; 101W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK9M3R3-40HX RoHS || BUK9M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M3R3-40HX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2867 0,9831 0,8126 0,7122 0,6772
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 16V 9,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M52-40EX N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55 °C ~ 175 °C;
BUK9M52-40EX RoHS || BUK9M52-40EX || BUK9M52-40EX LFPAK33 (SOT1210)
Hersteller:
NXP
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M52-40EX RoHS
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
Datenblatt
Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5926 1,1583 0,9481 0,8664 0,8383
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Standard-Verpackung:
4
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 40V 10V 101mOhm 17,6A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Hersteller:
Nexperia
Hersteller-Teilenummer:
BUK9M52-40EX
Präzisionsgehäuse:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Externes Lager:
4500 Stk.
Anzahl der Stücke 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,8383
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Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
N-MOSFET 40V 40V 10V 101mOhm 17,6A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
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Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.